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公开(公告)号：CN101059439A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610011750.4
申请日：2006-04-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种显微拉曼谱仪与近红外光谱仪的联合测试系统，包括：可见光显微拉曼光谱仪，该谱仪包括了样品平台和工作在可见光范围的探测器；反射镜位于可见光显微拉曼光谱仪的光路上；透镜位于反射镜折射的光路上；三维调节架位于透镜的光路上；多模石英光纤的一端固定在三维调节架上；近红外光谱仪与多模石英光纤的另一端连接。反射镜将从可见光显微拉曼光谱仪样品平台上样品发出的荧光信号偏离原方向，荧光信号经过透镜会聚后准确地入射到位置由三维调节架精密地调整的多模石英光纤内芯，多模石英光纤随之将信号传输到近红外光谱仪进行荧光光谱测量。
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公开(公告)号：CN101452043B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710178300.9
申请日：2007-11-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R33/12
Abstract: 本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器，把一束HeNe激光变成线偏振光，然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器，根据光学原理，偏振光变成50kHz调制的左右旋圆偏振光，圆偏振光照射样品，样品中产生自旋极化的电子；在反向电场的驱动下，铁磁金属向半导体中注入自旋极化电子，但是由于半导体在圆偏振光的照射下会有50％的自旋极化电子，从而会对注入的自旋极化电子产生磁阻效应；在正向电场的驱动下，半导体中光照产生的自旋极化电子向铁磁这边驱动，受铁磁中极化电子的影响，会滤除与其自旋方向相反的注入电子。
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公开(公告)号：CN101581672B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810106706.0
申请日：2008-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 肖文波 , 郑厚植 , 徐萍 , 鲁军 , 刘剑 , 李桂荣 , 谭平恒 , 赵建华 , 章昊 , 朱汇 , 甘华东 , 李蕴慧 , 朱科 , 吴昊 , 张泉 , 袁思芃 , 罗晶 , 申超 , 李科
IPC: G01N21/66
Abstract: 本发明一种测量电致自旋荧光的显微测量系统，其特征在于，包括：一显微拉曼光谱仪、一宽波段线偏振片和一宽波段四分之一波片，所述的显微拉曼光谱仪、宽波段线偏振片和宽波段四分之一波片相距一预定距离，且位于同一光路上；一磁体系统；一数字电压源表，该数字电压源表与磁体系统并联；一超长工作距离显微物镜，该超长工作距离显微物镜位于宽波段四分之一波片和磁体系统之间，且在同一光路上。
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公开(公告)号：CN100358121C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510090641.1
申请日：2005-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是半导体低维量子结构中量子点的光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法。通过选择光激发下电容-电压测量，利用低维半导体结构内部两层之间电子态隧穿耦合引起的光电容特征结构，来确定量子点电荷密度。对半导体量子点器件的研制、开发和应用具有重要意义。对于含量子点的半导体多层异质结构，在选择光激发条件下，通过常规电容-电压测量，利用量子点和另一限制层(量子阱、量子线或量子点)之间的量子态隧穿耦合引起的电容谱特征结构，可以很容易得到量子点的电荷密度。
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公开(公告)号：CN1917161A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200510090641.1
申请日：2005-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是半导体低维量子结构中量子点的光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法。通过选择光激发下电容—电压测量，利用低维半导体结构内部两层之间电子态隧穿耦合引起的光电容特征结构，来确定量子点电荷密度。对半导体量子点器件的研制、开发和应用具有重要意义。对于含量子点的半导体多层异质结构，在选择光激发条件下，通过常规电容—电压测量，利用量子点和另一限制层(量子阱、量子线或量子点)之间的量子态隧穿耦合引起的电容谱特征结构，可以很容易得到量子点的电荷密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101806623B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010143096.9
申请日：2010-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种多功能反射式磁光光谱测量系统，使用超连续白光光源、光栅单色仪、若干偏振镜片、光弹调制器、宽带1/4与1/2波片、消偏振分光棱镜(NPBS)、单端与差分探测器以及OXFORD低温超导磁体系统，组成结构灵活可变的光谱探测系统，可以在同一光路上实现反射式磁圆二向色性(MCD)、极向磁光克尔效应、偏振反射光谱以及磁线二向色性(MLD)的测量。该系统灵敏度高，可用于基础物理研究、材料特性分析和偏振调制光通信等诸多领域。
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公开(公告)号：CN101446620B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710178326.3
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流信号的响应，得出样品的动态电阻，即微分电导。因为半导体样品是非线性元器件，所以微分电导会有不同的频率响应；调节锁相的工作方式为2F，同时可以读出样品在不同直流偏置下样品电导的导数随偏压的变化关系。
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公开(公告)号：CN100498298C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610011749.1
申请日：2006-04-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种变温显微磁光光谱系统，包括：一激光器；一致冷机控制样品的温度；一中心带有室温孔洞的超导磁体杜瓦提供用于磁光光谱的磁场；一激光入射光路把激光器的输出激光引入并聚焦到致冷头内的样品表面来激发样品的荧光光谱；一样品监视光路监视激光通过第一分束器和显微物镜聚焦到样品上的具体位置和聚焦情况；一信号收集光路通过多模光纤把荧光信号传输到光谱仪进行光谱测量；一光纤监视光路观察荧光信号和激光反射信号的具体位置，确保样品荧光信号有效地被多模光纤收集；一光谱仪和相应的探测器，位于多模光纤的一端，用来色散和测量样品的荧光信号。
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公开(公告)号：CN100438085C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510005744.3
申请日：2005-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光存储器技术领域，特别是一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元。利用半导体双势垒异质结构光存储器单元来实现光探测和摄像单元器件。双势垒中间是宽量子阱；宽量子阱两端或者嵌入二个窄量子阱，或者二个量子点层，或者一个量子阱层和一个量子点层；在双势垒外侧分别有一个厚度适当的、不掺杂的隔离层，上述整个结构放在nin结构的不掺杂i区，构成的完整器件结构。
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公开(公告)号：CN101059437A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610011749.1
申请日：2006-04-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种变温显微磁光光谱系统，包括：一激光器；一致冷机控制样品的温度；一中心带有室温孔洞的超导磁体杜瓦提供用于磁光光谱的磁场；一激光入射光路把激光器的输出激光引入并聚焦到致冷头内的样品表面来激发样品的荧光光谱；一样品监视光路监视激光通过第一分束器和显微物镜聚焦到样品上的具体位置和聚焦情况；一信号收集光路通过多模光纤把荧光信号传输到光谱仪进行光谱测量；一光纤监视光路观察荧光信号和激光反射信号的具体位置，确保样品荧光信号有效地被多模光纤收集；一光谱仪和相应的探测器，位于多模光纤的一端，用来色散和测量样品的荧光信号。
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