公开(公告)号：CN103811568A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410060091.8

申请日：2014-02-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄北举 ,  程传同 ,  张赞 ,  张赞允 ,  陈弘达

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L31/02325 ,  H01L31/028 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，用以调制与石墨烯层作用的光场的空间分布；形成于该一维光栅之上的石墨烯层(8)，作为有源层与其周围的光场作用产生电子空穴对；形成于该石墨烯层(8)之上的第一叉指电极(4)和第二叉指电极(5)，二者均与石墨烯接触从而在接触面形成内建电场，用以实现对光生载流子的有效收集而形成光电流。利用本发明，通过光栅结构调制入射光在石墨烯周围的光场，以实现红外探测的高响应度和高带宽。

公开(公告)号：CN102928925A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210408449.2

申请日：2012-10-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄北举 ,  张赞 ,  张赞允 ,  陈弘达

IPC: G02B6/26

Abstract: 一种基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器，包括：一个垂直耦合光栅；两个模式转换器，分别制作在垂直耦合光栅的两侧，实现近似无损耗的能量传输以及模式转换；两个单模脊型波导，其分别与两个模式转换器的一端连接；一个光学合束器，其分别与两个单模脊型波导的另一端连接；其中所述的一个垂直耦合光栅、两个模式转换器、两个单模脊型波导和一个光学合束器均制作在一衬底上。其具有耦合与光隔离功能一体化、易于对准、低插入损耗、制作工艺与CMOS工艺兼容等潜在的特性和优点，有望在未来的片上/片间光互连网络中获得重要应用。

公开(公告)号：CN103956408B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410191727.2

申请日：2014-05-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄北举 ,  张赞 ,  张赞允 ,  程传同 ,  毛旭瑞 ,  陈弘达

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/173

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。

公开(公告)号：CN103956408A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410191727.2

申请日：2014-05-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄北举 ,  张赞 ,  张赞允 ,  程传同 ,  毛旭瑞 ,  陈弘达

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/173

CPC classification number: Y02P70/521 ,  G02B6/13

Abstract: 一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。

公开(公告)号：CN103956340A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410192668.0

申请日：2014-05-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄北举 ,  张赞 ,  张赞允 ,  陈弘达

IPC: H01L21/8249

CPC classification number: H01L21/823871

Abstract: 一种采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，包括如下步骤：步骤1：提供CMOS集成电路芯片；步骤2：在CMOS集成电路芯片上表面制备二氧化硅层；步骤3：对二氧化硅层进行平坦化处理；步骤4：在二氧化硅层上表面制备光电器件层，并在此层制备光电器件；步骤5：在光电器件层的表面向下刻蚀多个通孔，并在通孔中填充金属，与CMOS集成电路芯片上的电极接触，完成电学互连；步骤6：在光电器件层的表面淀积金属，制备电极，完成制备。本发明的工艺温度控制在400℃以下，可以防止因工艺温度过高导致的集成电路芯片失效。