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公开(公告)号：CN102534764A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210037639.8
申请日：2012-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法，包括：选择一衬底，作为外延层的承载体；在该衬底上外延生长缓冲层；降温，在该缓冲层上外延生长p型掺杂的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格层；在该p型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层；在该本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层上外延生长n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层；在该n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长n型掺杂的InAs盖层，完成InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长。
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公开(公告)号：CN101847672A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010171382.6
申请日：2010-05-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，包括如下步骤：(A)将一衬底烘干、脱氧，以其作为量子阱红外探测器的承载体；(B)利用外延设备在衬底上依次生长N型掺杂的下欧姆接触层、量子阱层，以及N型掺杂的上欧姆接触层；(C)采用光刻及湿法刻蚀技术，将量子阱层及上欧姆接触层的一侧刻蚀，使下欧姆接触层的一侧形成一台面；(D)采用机械抛光的方法，将衬底及下欧姆接触层远离台面的一侧抛成45°抛角，形成入射光窗口；(E)烘干；(F)在上欧姆接触层的表面压焊第一n型电极；(G)在下欧姆接触层一侧形成的台面上压焊第二n型电极。
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公开(公告)号：CN114649432B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210298475.8
申请日：2022-03-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种反转型太赫兹光电探测器，包括：衬底，依次叠设于衬底上的缓冲层、第一势垒层、反转型超晶格吸收层、第二势垒层、盖层；其中，反转型超晶格吸收层包括周期性交叉叠设的InAs层和GaSb层，每一周期内叠设的InAs层GaSb层厚度需满足使得InAs层的电子能级低于GaSb层的空穴能级；且InAs层的电子能级和GaSb层的空穴能级之间交叠而发生耦合，在能级交叠处产生一个杂化带隙。反转型InAs/GaSb超晶格吸收层对太赫兹波段的电磁波吸收效率高，通过在太赫兹光电探测器中布置反转型InAs/GaSb超晶格吸收层，提高探测器对太赫兹波的探测性能。本公开还提供一种反转型太赫兹光电探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN111477717B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010341299.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/024 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 一种自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法，自制冷型锑化物超晶格红外探测器包括：衬底；缓冲欧姆接触层，形成于所述衬底上；发射极层，形成于所述缓冲欧姆接触层上；所述发射极层包括n型重掺杂InAs/GaSb二类超晶格；微制冷区，形成于所述发射极层上；所述微制冷区由下到上依次包括AlxGa1‑xSb势垒、InAs量子阱和GaSb势垒，其中，0.5＜x＜1；超晶格制冷区，形成于所述微制冷区上；所述超晶格制冷区包括InAs/GaSb本征二类超晶格；集电极层，形成于所述超晶格制冷区上。本发明使得锑化物超晶格红外探测器能在更高的温度下工作，提高锑化物超晶格红外探测器的工作性能。
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公开(公告)号：CN110311000A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910648930.0
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0248 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种二类超晶格雪崩光电探测器及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；N型欧姆接触层，位于所述缓冲层上，为N型InAs/GaSb超晶格；雪崩倍增层，覆于部分所述欧姆接触层之上，未被覆盖的欧姆接触层形成一台面；光吸收层，位于所述雪崩倍增层上，为InAs/GaSb超晶格，用于探测红外光；P型欧姆接触层，位于所述光吸收层上；钝化层，覆于所述台面的部分上表面并开设有第一电极窗口，同时覆盖所述P型欧姆接触层上表面边缘处，并开设有第二电极窗口；以及还覆于所述雪崩倍增层、光吸收层、P型欧姆接触层的侧面；P电极，位于所述第二电极窗口内，居中裸露P型欧姆接触层区域作为通光孔；以及N电极，位于所述台面上的第一电极窗口内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116659671A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210159385.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J4/04
Abstract: 本公开提供了一种圆偏振光探测方法，应用于光探测技术领域，包括：获取不同外加偏压下探测器探测到的左圆偏振光电流和右圆偏振光电流，计算在每个该外加偏压下该左圆偏振光电流和该右圆偏振光电流的平均值，基于每个该外加偏压下的该左圆偏振光电流和该右圆偏振光电流的平均值，确定该平均值等于零时该探测器所需施加的目标外加偏压；给该探测器施加该目标外加偏压，利用施加该目标外加偏压后的探测器探测圆偏振光。本申请还公开了一种圆偏振光探测装置、电子设备及存储介质。
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公开(公告)号：CN110311000B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910648930.0
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0248 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种二类超晶格雪崩光电探测器及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；N型欧姆接触层，位于所述缓冲层上，为N型InAs/GaSb超晶格；雪崩倍增层，覆于部分所述欧姆接触层之上，未被覆盖的欧姆接触层形成一台面；光吸收层，位于所述雪崩倍增层上，为InAs/GaSb超晶格，用于探测红外光；P型欧姆接触层，位于所述光吸收层上；钝化层，覆于所述台面的部分上表面并开设有第一电极窗口，同时覆盖所述P型欧姆接触层上表面边缘处，并开设有第二电极窗口；以及还覆于所述雪崩倍增层、光吸收层、P型欧姆接触层的侧面；P电极，位于所述第二电极窗口内，居中裸露P型欧姆接触层区域作为通光孔；以及N电极，位于所述台面上的第一电极窗口内。
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公开(公告)号：CN103233271B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310135986.9
申请日：2013-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/68 , C30B19/00 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，包括步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲层上外延生长InAs/GaSb超晶格结构。本发明在所述生长过程中通过控制As、Sb束流比以及InSb界面层的厚度以实现较好的材料质量。本发明通过控制InAs层和GaSb层的厚度比例关系可以实现在不同红外波段的响应，并进一步可以制作多种波段的红外探测器器件。
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公开(公告)号：CN103219291B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310157698.3
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层和第一p掺杂层；在第一p掺杂层上生长p+掺杂势垒层和非掺杂势垒层，形成二维空穴气；在二维空穴气上依次生长第一非掺杂空间层、具有II类异质结构的量子点层和第二非掺杂空间层；在第二非掺杂空间层上生长第二p掺杂层；在第二p掺杂层上生长n+掺杂层；通过工艺技术制造数据擦写端口和数据读取端口，形成空穴型量子点存储器。利用本发明，实现的存储器作为一种新型的存储器概念，具有寿命长、读写速度快、存储时间长等优势，在下一代非挥发高性能存储器的研制中具有很大潜力，有望取代目前广泛使用的动态随机存储器(DRAM)和FLASH存储器。
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公开(公告)号：CN103233271A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310135986.9
申请日：2013-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/68 , C30B19/00 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，包括步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲层上外延生长InAs/GaSb超晶格结构。本发明在所述生长过程中通过控制As、Sb束流比以及InSb界面层的厚度以实现较好的材料质量。本发明通过控制InAs层和GaSb层的厚度比例关系可以实现在不同红外波段的响应，并进一步可以制作多种波段的红外探测器器件。
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