公开(公告)号：CN111477717B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202010341299.2

申请日：2020-04-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 聂碧颖 ,  马文全 ,  黄建亮 ,  张艳华

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/024 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法，自制冷型锑化物超晶格红外探测器包括：衬底；缓冲欧姆接触层，形成于所述衬底上；发射极层，形成于所述缓冲欧姆接触层上；所述发射极层包括n型重掺杂InAs/GaSb二类超晶格；微制冷区，形成于所述发射极层上；所述微制冷区由下到上依次包括AlxGa1‑xSb势垒、InAs量子阱和GaSb势垒，其中，0.5＜x＜1；超晶格制冷区，形成于所述微制冷区上；所述超晶格制冷区包括InAs/GaSb本征二类超晶格；集电极层，形成于所述超晶格制冷区上。本发明使得锑化物超晶格红外探测器能在更高的温度下工作，提高锑化物超晶格红外探测器的工作性能。

公开(公告)号：CN111477717A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010341299.2

申请日：2020-04-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 聂碧颖 ,  马文全 ,  黄建亮 ,  张艳华

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/024 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法，自制冷型锑化物超晶格红外探测器包括：衬底；缓冲欧姆接触层，形成于所述衬底上；发射极层，形成于所述缓冲欧姆接触层上；所述发射极层包括n型重掺杂InAs/GaSb二类超晶格；微制冷区，形成于所述发射极层上；所述微制冷区由下到上依次包括AlxGa1-xSb势垒、InAs量子阱和GaSb势垒，其中，0.5＜x＜1；超晶格制冷区，形成于所述微制冷区上；所述超晶格制冷区包括InAs/GaSb本征二类超晶格；集电极层，形成于所述超晶格制冷区上。本发明使得锑化物超晶格红外探测器能在更高的温度下工作，提高锑化物超晶格红外探测器的工作性能。