一种双层30度扭角石墨烯单晶晶圆的制备方法

    公开(公告)号:CN114525581A

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202210129361.0

    申请日:2022-02-11

    Abstract: 本发明涉及一种双层30度扭角石墨烯单晶晶圆的制备方法,其包括提供300‑800nm厚的铜镍单晶衬底,该铜镍单晶衬底中镍原子占原子总数的15‑22%;放入化学气相沉积炉中,在氩气和氢气比为(100‑300sccm):(5‑15sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下退火;然后在氩气、氢气和甲烷比为(100‑300sccm):(5‑15sccm):(0.025‑0.5sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下进行生长得到双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。根据本发明的制备方法,采用铜镍单晶薄膜作为衬底,结合退火阶段和生长阶段可以得到大尺寸晶圆级的双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。

    一种超导全张量磁梯度探头及超导全张量磁梯度测量系统

    公开(公告)号:CN113030798A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110251821.2

    申请日:2021-03-08

    Abstract: 本发明提供一种超导全张量磁梯度探头及超导全张量磁梯度测量系统,所述超导全张量磁梯度探头包括:固定支架,安装于固定支架上的3个平面梯度计及2个轴向梯度计;其中,第1个平面梯度计用于测量Gxy和Gyx中的任一平面梯度分量,第2个平面梯度计用于测量Gxz和Gzx中的任一平面梯度分量,第3个平面梯度计用于测量Gyz和Gzy中的任一平面梯度分量,2个轴向梯度计用于测量Gxx、Gyy和Gzz中的任两个轴向梯度分量。通过本发明提供的超导全张量磁梯度探头及超导全张量磁梯度测量系统,解决了现有超导全张量磁梯度探头只适用于静态测量、低灵敏度动态测量的问题或需要结合旋转结构,导致系统构建比较复杂,实用性不强的问题。

    一种极低场核磁共振成像系统及其基线校准方法

    公开(公告)号:CN112611994A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011520306.1

    申请日:2020-12-21

    Abstract: 本发明提供一种极低场核磁共振成像系统及其基线校准方法,所述成像系统包括:设于射频屏蔽室内的核磁共振线圈组、预极化线圈、参考通道、第一SQUID读出电路、程控运算处理器、检测通道和第二SQUID读出电路,及设于射频屏蔽室外的SQUID控制/数据采集器和上位机;本发明利用参考通道的输出来补偿检测通道所探测的磁信号,以此抵消检测通道中的涡流磁场脉冲,从而减小检测通道的输出漂移,使其输出信号的基线稳定。通过本发明提供的一种极低场核磁共振成像系统及其基线校准方法,解决了现有技术中通过强预极化磁场脉冲及增大二阶梯度计尺寸来提高极低场核磁共振成像的信噪比时导致输出信号基线漂移的问题。

    单光子探测器及制备方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112229510A

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN202011101934.6

    申请日:2020-10-15

    Abstract: 本发明提供一种单光子探测器及制备方法,包括:衬底及形成于所述衬底上的超导线,所述超导线包括多个直线部及连接直线部的拐角部;其中,所述超导线的拐角部的厚度大于直线部的厚度。本发明的单光子探测器及制备方法将超导线拐角部的厚度加厚(大于直线部厚度),从而提升拐角区域的临界电流。尽管超导线拐角部仍然存在“电流拥挤效应”,但因为拐角区域整体的临界电流提升至高于直线部的临界电流水平,拐角区域不再是限制整体超导线临界电流的瓶颈,从而达到抑制拐角区域“电流拥挤效应”所带来的不良影响的目的。

    一种双模态造影剂的制备方法

    公开(公告)号:CN111714646A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN201910687518.X

    申请日:2019-07-29

    Abstract: 本申请提供一种双模态造影剂的制备方法,包括以下步骤:获取生物质材料、无机稀土盐和溶剂;将生物质材料和无机稀土盐加入溶剂中,获得第一混合体系;将第一混合体系进行溶剂热反应处理,获得第二混合体系;对第二混合体系依次进行抽滤、透析和真空干燥,获得造影剂;造影剂用于荧光-核磁共振双模态成像。本申请提供的一种双模态造影剂的制备方法步骤简单,材料成本低,且能够快速制备,制得的造影剂在应用中弛豫率较高,且同时具有的荧光特性使得该造影剂具有荧光-核磁共振双模态成像的功能。

    一种SNSPD阵列与光波导阵列的耦合装置及方法

    公开(公告)号:CN111443442A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN202010192524.0

    申请日:2020-03-18

    Abstract: 本申请提供一种SNSPD阵列与光波导阵列的耦合装置及方法,该耦合装置包括金属底座、硅衬底层、DBR介质层和上表面刻蚀有SNSPD阵列的氮化铌层,光波导阵列和固定座,其中,单元光波导与单元SNSPD一一对应,固定座的一端与光波导阵列的侧表面连接另一端与金属底座的上表面连接。本申请相较于传统的单个SNSPD器件与单根光纤耦合的方法,本申请具有提高SNSPD集成度、拓展器件规模等优点,并且还有助于提高工作效率和实现SNSPD大批量生产,此外,相较于片上集成斜入射耦合或射倏逝波耦合方法,采用分离式垂直耦合的方法将SNSPD阵列与光波导阵列直接耦合,能够有效减少光路损耗,提高光耦合效率。

    石墨烯边界调控方法
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107500277B

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201710890641.2

    申请日:2017-09-27

    Abstract: 本发明提供一种石墨烯边界的调控方法,包括骤:提供一绝缘衬底,并将绝缘衬底置于生长腔室中;向生长腔室中通入第一反应气体,且第一反应气体至少包括碳源气体,通过控制第一反应气体的流量,以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨烯结构,通过上述技术方案,本发明提供一种石墨烯边界调控方法,通过调节衬底表面生长石墨烯生长过程中碳源气体和催化气体的比例,以实现石墨烯的边界可控;本发明还可以在已经形成的石墨烯的基础上,通过改变生长条件使其继续生长,改变原有的石墨烯的边界形状;还可以在具有台阶的衬底表面生长石墨烯,通过对应取向台阶优化生长条件,得到特定取向且边界整齐的石墨烯带以及控制得到较窄的石墨烯纳米带。

    一种基于超导量子干涉仪的总场测量方法及装置

    公开(公告)号:CN110118948A

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201910481742.3

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明提供一种基于超导量子干涉仪的总场测量方法及装置,所述方法包括:对高灵敏度三轴SQUID磁强计进行非正交度、灵敏度和零点偏移的标定;通过高灵敏度三轴SQUID磁强计对待测环境中的磁场分量进行测量,并在磁场分量值大于预设阈值时对相应高灵敏度SQUID进行复位后再重新锁定工作点;同时利用相应低灵敏度SQUID收集高灵敏度SQUID在死区时间内发生的磁通变化以获取磁通量子跳跃数,并以此对死区时间内高灵敏度SQUID测得的磁场分量值进行补偿,以获取准确磁场分量值;基于准确磁场分量值进行总场合成,以获取待测环境中的总场。通过本发明解决了现有技术中使用三轴矢量磁通门进行总场测量时探测精度较低的问题。

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