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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111443442A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010192524.0
申请日：2020-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种SNSPD阵列与光波导阵列的耦合装置及方法，该耦合装置包括金属底座、硅衬底层、DBR介质层和上表面刻蚀有SNSPD阵列的氮化铌层，光波导阵列和固定座，其中，单元光波导与单元SNSPD一一对应，固定座的一端与光波导阵列的侧表面连接另一端与金属底座的上表面连接。本申请相较于传统的单个SNSPD器件与单根光纤耦合的方法，本申请具有提高SNSPD集成度、拓展器件规模等优点，并且还有助于提高工作效率和实现SNSPD大批量生产，此外，相较于片上集成斜入射耦合或射倏逝波耦合方法，采用分离式垂直耦合的方法将SNSPD阵列与光波导阵列直接耦合，能够有效减少光路损耗，提高光耦合效率。
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公开(公告)号：CN110031094B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910334409.X
申请日：2019-04-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高单光子探测器的光子数分辨率能力的系统及方法,包括：若干个单光子探测器；若干个读出电路，各读出电路的输入端与各单光子探测器的输出端一一对应连接；若干个电平转换电路，各电平转换电路的输入端与各读出电路的输出端一一对应连接；合路器，合路器的输入端与各电平转换电路的输出端相连接。本发明的提高单光子探测器的光子数分辨率能力的系统可以将响应光子数较多时将读出电路的输出信号中波峰与波峰之间区分开，从而可以获得高光子数分辨探测动态范围；可以在保证单光子探测器探测效率的同时，提高单光子探测器的信噪比，从而提高单光子探测器统计数据的准确性。
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公开(公告)号：CN110031094A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910334409.X
申请日：2019-04-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高单光子探测器的光子数分辨率能力的系统及方法,包括：若干个单光子探测器；若干个读出电路，各读出电路的输入端与各单光子探测器的输出端一一对应连接；若干个电平转换电路，各电平转换电路的输入端与各读出电路的输出端一一对应连接；合路器，合路器的输入端与各电平转换电路的输出端相连接。本发明的提高单光子探测器的光子数分辨率能力的系统可以将响应光子数较多时将读出电路的输出信号中波峰与波峰之间区分开，从而可以获得高光子数分辨探测动态范围；可以在保证单光子探测器探测效率的同时，提高单光子探测器的信噪比，从而提高单光子探测器统计数据的准确性。
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公开(公告)号：CN111443442B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010192524.0
申请日：2020-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种SNSPD阵列与光波导阵列的耦合装置及方法，该耦合装置包括金属底座、硅衬底层、DBR介质层和上表面刻蚀有SNSPD阵列的氮化铌层，光波导阵列和固定座，其中，单元光波导与单元SNSPD一一对应，固定座的一端与光波导阵列的侧表面连接另一端与金属底座的上表面连接。本申请相较于传统的单个SNSPD器件与单根光纤耦合的方法，本申请具有提高SNSPD集成度、拓展器件规模等优点，并且还有助于提高工作效率和实现SNSPD大批量生产，此外，相较于片上集成斜入射耦合或射倏逝波耦合方法，采用分离式垂直耦合的方法将SNSPD阵列与光波导阵列直接耦合，能够有效减少光路损耗，提高光耦合效率。
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公开(公告)号：CN111707362A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010396996.8
申请日：2020-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及高速超导微米线单光子探测器，包括衬底，所述衬底上设置有电流输入端、超导微米线、串联电感、并联电阻和接地端。所述超导微米线由超导薄膜材料经微纳加工制备而成的、具有微米量级宽度的线条，同时表面贴合有光传输元件。所述串联电感是由超导微带线制备而成的电感或是独立的外接电感。所述并联电阻是由金属薄膜材料制备而成的电阻或是独立的外接贴片电阻，连接在电流输入端和接地端之间。本发明还涉及高速超导微米线单光子探测器制备方法。本发明具有规模可拓展、集成度高、光路损耗小等优点，可应用于量子光学、量子保密通信、激光雷达等领域。
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