公开(公告)号：CN114525581B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202210129361.0

申请日：2022-02-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张学富 ,  赵一沣 ,  于庆凯 ,  谢晓明

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明涉及一种双层30度扭角石墨烯单晶晶圆的制备方法，其包括提供300‑800nm厚的铜镍单晶衬底，该铜镍单晶衬底中镍原子占原子总数的15‑22％；放入化学气相沉积炉中，在氩气和氢气比为(100‑300sccm):(5‑15sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下退火；然后在氩气、氢气和甲烷比为(100‑300sccm):(5‑15sccm):(0.025‑0.5sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下进行生长得到双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。根据本发明的制备方法，采用铜镍单晶薄膜作为衬底，结合退火阶段和生长阶段可以得到大尺寸晶圆级的双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。

公开(公告)号：CN114525581A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210129361.0

申请日：2022-02-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张学富 ,  赵一沣 ,  于庆凯 ,  谢晓明

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明涉及一种双层30度扭角石墨烯单晶晶圆的制备方法，其包括提供300‑800nm厚的铜镍单晶衬底，该铜镍单晶衬底中镍原子占原子总数的15‑22％；放入化学气相沉积炉中，在氩气和氢气比为(100‑300sccm):(5‑15sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下退火；然后在氩气、氢气和甲烷比为(100‑300sccm):(5‑15sccm):(0.025‑0.5sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下进行生长得到双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。根据本发明的制备方法，采用铜镍单晶薄膜作为衬底，结合退火阶段和生长阶段可以得到大尺寸晶圆级的双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。