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公开(公告)号：CN102184879A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110112178.1
申请日：2011-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F17/5036 , H01L22/20
Abstract: 本发明公开了一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法，通过建立TCAD工艺仿真程序得到不同沟道长度Lgate的工艺仿真MOS器件结构，在此基础上，根据实际器件的透射电镜TEM测试结果、二次离子质谱SIMS测试结果、CV测试结果、WAT测试结果及方块电阻测试结果对工艺仿真MOS器件结构进行校准，从而完成SOI场效应晶体管关键电学参数的TCAD仿真校准。本发明的校准方法可以使同一SOI工艺下各尺寸MOSFET关键参数Vt和Idsat的TCAD仿真结果均达到误差小于10%的高精度要求，并且能在多个Split条件上实现精准有效的预测，从而为新工艺流程的研发和优化提供了有力的指导。
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公开(公告)号：CN101976283A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010515128.3
申请日：2010-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G01R31/2628 , G01R31/2603 , G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种BSIMSOI4直流模型参数的确定方法，该方法通过提供若干不同尺寸的体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件；测量所有体引出结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id/Ip-Vd-Vg、Ig-Vg-Vd、Ig-Vp、Ip-Vg-Vd、Is/Id-Vp及Id/Ip-Vp-Vd特性，以及所有浮体结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id-Vd-Vg及Ig-Vg-Vd特性；并获取各个体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件的无自热效应的电学特性曲线；然后依次按照特定步骤提取BSIMSOI4模型的直流参数。本发明根据模型方程依次选择适当的测试曲线，逐步确定各类参数，从而可准确有效的提取出BSIMSOI4模型的直流参数。
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公开(公告)号：CN106991201B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201610038229.3
申请日：2016-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；S3：提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数；S4：导出总剂量集约模型卡文件；S5：导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件，生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。本发明采用了与主晶体管分立的方式进行参数提取，细化了物理模型中各个区域的敏感参数，提高了参数拟合的准确度，可以准确地拟合出SOI MOSFET受总剂量辐射效应影响时在亚阈值区产生的hump效应，模型以Bin模型卡的形式存在，可以仿真全区域尺寸器件总剂量效应。
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公开(公告)号：CN105895703B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610237275.6
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，该N型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构；所述阈值可调结构至少包含两个NMOS管和两个二极管，两个NMOS管共用体区，所述体区为N型重掺杂区；两个二极管共用N区，并以两个NMOS管共用的体区作为N区；所述第一二极管的N区与所述第一NMOS管的栅连接，所述第二二极管的N区与所述第二NMOS管的栅连接。本发明通过在两个NMOS管的栅体连接通路上各形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了N型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。
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公开(公告)号：CN105845733A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610236397.3
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体接触区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行两次P型重掺杂分别形成PMOS器件的源、漏区和PN结器件，再进行N型重掺杂形成PMOS器件的体接触区；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行P型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将PMOS器件的栅和PN结器件的P区相连。本发明通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体接触区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104716191A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510131999.8
申请日：2015-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/66045
Abstract: 本发明提供一种双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底； 在半导体衬底的正面形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上形成源电极及漏电极；去除源电极及漏电极外围的石墨烯沟道层；对石墨烯沟道层进行表面功能化处理或等离子体物理吸附；形成高k栅介质层；在源电极及漏电极之间的高k栅介质层上形成第一栅电极；在半导体衬底的背面形成第二栅电极。直接将石墨烯附着于所需的衬底上，无需进行繁琐的转移，避免了对石墨烯结构造成破坏和杂质污染；该方法制备的双栅双极石墨烯场效应晶体管具备更加优异的开断性能，更高的载流子迁移率以及更小的栅漏电流；工艺流程简单，成本经济，适合基于石墨烯场效应晶体管的大规模生产。
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公开(公告)号：CN102800589B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210304134.3
申请日：2012-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/266 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/66242
Abstract: 本发明提供一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该方法通过在所述外基区注入杂质由硼改为氟化硼，并将注入能量和剂量限定在特定范围内，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGe-HBT器件的集电极电阻大幅增加和最高截止频率Ft参数明显降低的问题。同时，相对于增大集电区注入剂量和掺杂浓度的其它方法，该方法避免了集电区掺杂浓度增加导致的器件耐压降低。此外，该制备工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN103094178A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310015290.2
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法。根据本发明的方法，先在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；随后，对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；最后再在进行了再掺杂的绝缘体上材料结构上再制备电极层以形成SOI器件。由于所制作的结构在源区存在重掺杂的P+区，源区N+区与P+区形成二级管结构，有效释放器件体区的空穴，使得体区电势与源区相等，因此器件的阈值电压不再漂移，从而提高器件的射频性能；此外，相对于业界普遍采用的TB结构，本发明的器件也不需要额外增加器件面积。
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公开(公告)号：CN102800590A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210304149.X
申请日：2012-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/266 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/66242
Abstract: 本发明提出了一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该制备方法通过在基于SOI的SiGe-HBT工艺流程中增加使用一个特定的光刻版，将外基区注入限定在指定的区域，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGeBJT器件的集电极电阻大幅增加和最高截止频率Ft参数明显降低的问题。同时，相对于增大集电区注入剂量和掺杂浓度的其它方法，该方法避免了集电区掺杂浓度增加导致的器件耐压降低。此外，该制备工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN102800589A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210304134.3
申请日：2012-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/266 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/66242
Abstract: 本发明提供一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该方法通过在所述外基区注入杂质由硼改为氟化硼，并将注入能量和剂量限定在特定范围内，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGe-HBT器件的集电极电阻大幅增加和最高截止频率Ft参数明显降低的问题。同时，相对于增大集电区注入剂量和掺杂浓度的其它方法，该方法避免了集电区掺杂浓度增加导致的器件耐压降低。此外，该制备工艺简单，易于实现。
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