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公开(公告)号：CN103500729A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310492853.7
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L23/5226 , H01L21/76898 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；S5：最后划片形成独立的硅转接板。本发明的硅转接板中，硅通孔具有倾斜侧壁，可以形成一孔多线结构，提高互连线密度；凹槽结构有利于实现更高密度的系统集成；本发明的制作方法还具有工艺难度低、适合于工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN103187364A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110457844.5
申请日：2011-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , C23C14/16
Abstract: 本发明涉及一种在高深宽比深孔中制备种子层的方法，包括，提供晶圆，所述晶圆的正面带有深孔；在所述晶圆的正面形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述深孔的底部和侧壁；在所述绝缘层上蒸发沉积阻挡层；以及在所述阻挡层上蒸发沉积种子层。在蒸发沉积所述阻挡层和所述种子层时，加热使所述晶圆达到200℃至250℃，并旋转所述晶圆；在蒸发沉积所述种子层时，采用分步沉积法。根据本发明的制备方法，能够实现深宽比达到10、深度为280um的深孔的种子层连续覆盖，能够对不同尺寸的TSV实现种子层的连续覆盖；并且工艺过程简单，可操作性强；该方法只需一步完成，降低了工艺的时间和成本，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103066040A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110324618.X
申请日：2011-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01P3/06 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/66 , H01L2223/6622 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01P11/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法，其特征在于设计了一种使用与高频可替代同轴线结构的穿硅通孔传输线结构，此结构使用多个TSV环绕一个传输信号的TSV芯的结构，环绕在周围的TSV接地，构成一个形成类似同轴线的共轴屏蔽层，接地TSV和TSV芯之间的硅片正反两面均使用填充有低介电常数聚合物的隔离槽；接地通孔的数量、尺寸和距离根据实际的应用频段通过仿真确定，以此结构实现微波频段硅片两面互连。使用穿硅传输结构降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免损耗过大。该工艺步骤简单，与其他工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN103065985A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110324631.5
申请日：2011-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种双面布线封装的圆片级大厚度光敏BCB背面制作方法，其特征在于在制作好晶圆正面之后，在背面先进行表面处理，先涂覆BCB的增粘剂，再涂覆厚度大于20μm的光敏BCB，使用烘箱进行前烘，光刻后将BCB再次放入烘箱进行显影前软烘，根据显影检测工艺确定显影时间并显影，甩干或吹干，进行显影后软烘，最后放入烘箱进行固化，等离子体处理残胶。使用穿硅通孔TSB作为双面布线的连线，形成层间互连，层间互连是由背面光敏BCB光刻显形形成锥台形通孔。所述的方法适用于高频应用，运用这种方法，可在晶圆正面制造有源或无源器件之后，直接在背面BCB介质层上集成微波无源器件，而不占用晶圆正面的面积，不影响正面器件的性能，与集成电路工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN102723306A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210219229.5
申请日：2012-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L25/00 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，该方法利用TSV实现双面集成的系统级封装结构，在需要集成MMIC芯片时，不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温退火等工艺可以在MMIC集成之前使用，需要使用特殊工艺的元器件可以在衬底的另一面事先组装和集成。因而包括有源和无源器件、MEMS器件、以及光电器件等的衬底在集成MMIC之前可以很方便地大规模制造，并且工艺相对简单，成本降低，是目前极为先进、可靠的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102593024A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210015989.4
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度。电阻种类可根据需要、性能和成本进行选择，以制造薄膜电阻为例，先在衬底上形成一层氧化层，然后淀积电阻材料，光刻腐蚀形成电阻图形和金属布线，不影响电阻的连接。然后再在衬底表明形成一层钝化层，保护电阻不受外界影响。通过光刻腐蚀开出焊盘窗口。测量前，先对热敏电阻做温度标定，在30～120℃区间作出温度-阻值特性曲线。测量时，先热敏电阻焊盘连接到测试仪器上测电阻；然后，将测试样品放入恒温箱内，待温度稳定后测量电阻值，从而根据温度-阻值特性曲线推算出接面温度值。
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公开(公告)号：CN102337541A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110288669.1
申请日：2011-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23F1/02 , C23F1/12 , H01L21/308 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种制作锥形穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)所使用的刻蚀方法，其特征在于首先在硅片正面沉积一层SiO2，然后光刻去除图形中的SiO2，露出下面的硅。放入STS刻蚀机中，对硅片正面进行第一步刻蚀，第一步刻蚀的过程中刻蚀阶段和钝化阶段交替进行，从而获得出深度为50-200μm的垂直深孔。然后对硅片正面进行第二步刻蚀，刻蚀出具有倒梯形的锥形形貌的深孔。所采用的刻蚀方法可操作性强，适合于工业化生产，不仅可望降低制作晶圆TSV的工艺成本，而且提高了TSV的电镀填充的成品率。
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公开(公告)号：CN102241388A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110129333.0
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于Chip to Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的保护；采用Chip to Wafer叠层方式在硅盖板圆片表面贴装互连ASIC等CMOS芯片，实现ASIC等CMOS芯片与MEMS器件圆片的三维混合集成；将分立的集成微系统贴装在低成本的有机基板上，采用引线键合方式完成CMOS芯片、MEMS器件和基板的多层互连，并采用围坝(Dam)方式灌注(Fill)低应力塑封料以保护集成微系统，提高环境可靠性。从而形成高密度、易加工、低成本、低应力和高可靠性的MEMS圆片级三维混合集成封装结构。
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公开(公告)号：CN101712449A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910198655.3
申请日：2009-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片级气密封装的双腐蚀槽结构及方法，其特征在于在硅盖板上，在玻璃浆料密封环落入的区域两侧有两条环状的腐蚀槽。所述的两条环状腐蚀槽内边缘的间距为玻璃浆料密封环宽度的1.0-1.2倍。所述腐蚀槽的深度为30-40μm。所述的封装方法是先在丝网印刷前，在硅盖板玻璃浆料密封环落入的区域的两侧，用刻蚀工艺刻蚀两条环状的腐蚀槽阵列，然后玻璃浆料经丝网印刷机定位印刷到硅盖板的双腐蚀槽之间的位置，与带有MEMS器件阵列的硅片实现键合。由于双腐蚀槽的结构严格限制了玻璃浆料的键合尺寸，因而大大提高了气密封装的成品率。
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公开(公告)号：CN102593024B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210015989.4
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度。电阻种类可根据需要、性能和成本进行选择，以制造薄膜电阻为例，先在衬底上形成一层氧化层，然后淀积电阻材料，光刻腐蚀形成电阻图形和金属布线，不影响电阻的连接。然后再在衬底表明形成一层钝化层，保护电阻不受外界影响。通过光刻腐蚀开出焊盘窗口。测量前，先对热敏电阻做温度标定，在30～120℃区间作出温度-阻值特性曲线。测量时，先热敏电阻焊盘连接到测试仪器上测电阻；然后，将测试样品放入恒温箱内，待温度稳定后测量电阻值，从而根据温度-阻值特性曲线推算出接面温度值。
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