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公开(公告)号：CN108878426B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201810561734.5
申请日：2018-06-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管均采用L型栅；可以在牺牲较小单元面积的情况下(最终的有效单元面积可小于8μm2)有效抑制PD SOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力；并且本发明的静态随机存储单元的制作方法不引入额外掩膜板、与现有逻辑工艺完全兼容，单元内部采用中心对称结构，不仅有利于MOS管的尺寸和阈值电压等匹配，还有利于形成阵列，方便全定制SRAM芯片。
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公开(公告)号：CN112819148A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011638759.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06N3/063 , G06N3/06 , H01L29/788
Abstract: 本发明提供了一种基于浮栅晶体管的脉冲神经元网络，包括多节点输入单元和脉冲产生单元：所述多节点输入单元包括一多输入端浮栅晶体管，多输入端浮栅晶体管的多个栅极输入端分别连接外部的多个仿生传感器输入信号，源极接地，漏极接脉冲产生单元的正极；脉冲产生单元包括一Mott忆阻器，Mott忆阻器的负极连接工作电压，正极连接晶体管的漏极，并作为所述脉冲神经元网络的脉冲输出端。本发明给出了一种全新的电子传入神经元实现架构。该架构面向硬件神经形态脉冲神经网络的应用，实现了模拟信号到脉冲信号的转换，具有结构简单、功能多、功耗低等优点，更加适应于脉冲神经网络。
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公开(公告)号：CN112685983A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011600789.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/3308 , G06F30/33 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供了一种片上电容的建模方法，所述电容为插指电容，包括如下步骤：提取主电容拟合系数，并计算主电容；提取拐角电容拟合系数，并计算拐角电容；提取边缘寄生电容拟合系数，并计算边缘寄生电容；提取版图寄生电容；反馈验证。本发明针对集成电路片上电容器的物理特性结合数学公式建立细致提取流程，提供可靠的器件建模方法和模型。
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公开(公告)号：CN109509507B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811301868.X
申请日：2018-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，包括：发射脉冲激光的脉冲激光辐射装置；设置于步进机台上的被测模块，与脉冲激光辐射装置的激光出射口相对；与被测模块连接的器件供电和信号传输采集模块，用于为被测模块提供电源，并检测被测模块的单粒子翻转效应。提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将SRAM存储单元配置为保持状态；开启脉冲激光辐射装置，对被测模块进行逐点辐照；当器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。本发明结构简单、试验费用低，基于本发明的单粒子翻转效应的研究周期短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564167A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010324690.1
申请日：2020-04-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C7/24 , G11C11/412 , H01L27/11
Abstract: 本申请实施例提供了一种存储单元、晶体管的制备方法及存储单元的制备方法，其中，该存储单元是通过第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，第七晶体管和第八晶体管，这八个晶体管的电性连接得到的具有特定功能的存储单元。本发明公开的存储单元相较于现有技术中的存储单元，在传统六管单元的基础上加入两个晶体管，以牺牲较小单元面积的情况下提升单元抗单粒子能力；该存储单元中的晶体管均采用“工”字型的栅氧层和金属栅结构，可有效抑制总剂量效应引起的上下边角漏电及侧壁漏电和寄生晶体管效应。此外，该存储单元不仅可以在抗单粒子效应能力上得到提高，还可以在存储数据的稳定性上得到增加。
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公开(公告)号：CN105845733B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610236397.3
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体接触区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行两次P型重掺杂分别形成PMOS器件的源、漏区和PN结器件，再进行N型重掺杂形成PMOS器件的体接触区；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行P型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将PMOS器件的栅和PN结器件的P区相连。本发明通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体接触区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。
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公开(公告)号：CN108536959A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810311857.3
申请日：2018-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法及仿真方法，包括：获取标准MOS商用静态模型文件；获取建立好的MOS总剂量辐射模型，将所述MOS总剂量辐射模型转换为受控辐射电压源模型及受控侧壁晶体管辐射电流源模型；将所述受控辐射电压源模型及所述受控侧壁晶体管辐射电流源模型的子电路写入所述标准MOS商用静态模型文件中，以构建MOS总剂量辐射模型的电路拓扑结构；将所述MOS总剂量辐射模型以子电路的形式嵌入所述标准MOS商用静态模型文件中，以形成含辐射效应的MOS模型；调用所述含辐射效应的MOS模型进行电路辐射效应仿真。本发明简化了辐射仿真过程，方便电路设计人员直接调用，且适用于Hspice和Spectre仿真器，普适性高。
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公开(公告)号：CN104716191B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510131999.8
申请日：2015-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的正面形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上形成源电极及漏电极；去除源电极及漏电极外围的石墨烯沟道层；对石墨烯沟道层进行表面功能化处理或等离子体物理吸附；形成高k栅介质层；在源电极及漏电极之间的高k栅介质层上形成第一栅电极；在半导体衬底的背面形成第二栅电极。直接将石墨烯附着于所需的衬底上，无需进行繁琐的转移，避免了对石墨烯结构造成破坏和杂质污染；该方法制备的双栅双极石墨烯场效应晶体管具备更加优异的开断性能，更高的载流子迁移率以及更小的栅漏电流；工艺流程简单，成本经济，适合基于石墨烯场效应晶体管的大规模生产。
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公开(公告)号：CN107305593A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610252163.8
申请日：2016-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法，包括：建立一受控电流源，所述受控电流源并联于一MOSFET器件的源、漏端之间，其电流大小受所述MOSFET器件的栅端、源端、体端、漏端及总剂量控制；建立一受控电压源，所述受控电压源串联于所述MOSFET器件的栅端，其电压大小受总剂量控制；将所述受控电流源、所述受控电压源及所述MOSFET器件进行封装，以形成所述SOI MOSFET总剂量辐照模型。本发明的SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法可同时仿真NMOS和PMOS，可以仿真阈值电压的漂移，还可仿真各个尺寸、各个辐射剂量的MOSFET特性，大大提高仿真准确性。
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