公开(公告)号：CN102104063B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200910201332.5

申请日：2009-12-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  周建华 ,  肖德元 ,  王曦

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7317 ,  H01L29/66265

Abstract: 本发明公开了一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法，该双极晶体管包括SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次为SOI衬底体区，SOI衬底隐埋氧化层，顶层硅膜，所述SOI衬底上采用集成电路STI工艺在顶层硅膜位置处形成有有源区，有源区位置处通过离子注入形成有集电区和基区，集电区靠近SOI衬底隐埋氧化层，基区靠近顶层硅膜表面；基区上形成有发射极和基极，发射极和基极分别被侧氧隔离墙包围。本发明它采用一种简单的双多晶硅技术，不仅提高晶体管性能，而且可以减小有源区面积提高集成度；此外本发明采用侧氧隔离工艺，提高SOI BJT与SOI CMOS的兼容性，使SOI BiCMOS工艺变得简单，从而降低成本。

公开(公告)号：CN101771028B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910200961.6

申请日：2009-12-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 肖德元 ,  王曦 ,  陈静

IPC: H01L25/075 ,  H01L21/50 ,  H01L33/48 ,  H01L33/58

Abstract: 本发明揭示了一种白光LED芯片，包括构成顺次构成层叠结构的第一类型LED芯片、第二类型LED芯片、及第三类型LED芯片；所述第一类型LED芯片、所述第二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片均包括间隔排列的基本发光单元与环氧树脂透镜。本发明还提供一种LED芯片的制造方法，包括分别制作包括间隔排列的基本发光单元与环氧树脂透镜的第一类型LED芯片、所述第二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片，并将上述三者键合以构成层叠结构的步骤。本发明的有益效果在于：节约芯片面积，发光效率高。

公开(公告)号：CN101950723B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201010220390.5

申请日：2010-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  伍青青 ,  罗杰馨 ,  肖德元 ,  王曦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/78612 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明公开了一种实现源体欧姆接触且基于SOI的MOS器件制作方法，先制作栅区，进行高剂量的源区和漏区轻掺杂，形成较高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区，之后在栅区周围制备侧墙隔离结构，进行源区和漏区离子注入，通过一道在源区位置设有开口的掩膜版，倾斜的进行重掺杂P离子注入，从而在源区与体区之间形成重掺杂的P型区，最后在源区的部分表面形成一层金属，通过热处理使金属与其下的Si材料反应生成硅化物。本发明通过硅化物与其旁边的重掺杂P区形成欧姆接触，释放基于SOI的MOS器件在体区积累的空穴，从而抑制基于SOI的MOS器件的浮体效应，并具有不增加芯片面积，制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容等优点。

公开(公告)号：CN101719500B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200910199722.3

申请日：2009-12-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 肖德元 ,  王曦 ,  张苗 ,  陈静 ,  薛忠营

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及栅区域，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道的横截面均为腰形(跑道形)，且具有不同的半导体材料，所述的第一沟道为n型Ge材料，所述的第二沟道为p型Si材料；栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构简单、紧凑，集成度高，在反型工作模式下，采用混合材料的沟道、跑道形全包围栅结构、高介电常数栅介质和金属栅，具备高载流子迁移率，可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应等。

公开(公告)号：CN101710584B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910199723.8

申请日：2009-12-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 肖德元 ,  王曦 ,  张苗 ,  陈静 ,  薛忠营

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及栅区域，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道的横截面均为腰形(跑道形)，且具有不同的半导体材料，所述的第一沟道为Ge材料，所述的第二沟道为Si材料；栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构在积累工作模式下，电流流过整个跑道形的沟道，具备高载流子迁移率，增大了沟道横截面积，提高了器件的驱动电流而同时又保持器件的电完整性，并可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应。

公开(公告)号：CN101986435A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201010212134.1

申请日：2010-06-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 肖德元 ,  王曦 ,  黄晓橹 ,  陈静

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78612

Abstract: 本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法。该MOS器件结构，包括Si衬底和位于Si衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区与Si衬底之间，以及漏区与Si衬底之间分别设有绝缘埋层，在沟道与Si衬底之间设有SiGe隔层。该MOS器件结构的沟道可以通过SiGe隔层向Si衬底导电导热，防止了器件的浮体效应及自加热效应；在源区及漏区与Si衬底之间保留绝缘埋层，可减小源漏区的寄生电容。该器件结构采用Si\SiGe\Si外延层通过刻蚀、掺杂、选择性刻蚀、填充绝缘介质等工艺制备，其步骤简单，易于实施，具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN101931008A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010225638.7

申请日：2010-07-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  伍青青 ,  罗杰馨 ,  肖德元 ,  王曦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L21/266 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78612

Abstract: 本发明公开了一种具有体接触结构的PD SOI器件，该器件的有源区包括：栅区、体区、N型源区、N型漏区、体接触区以及硅化物；所述N型源区和N型漏区相对的分别位于所述体区前部的两侧，所述体接触区位于所述体区后部一侧与所述N型源区并排，所述硅化物位于所述体接触区及所述N型源区之上并同时与它们相接触，所述栅区为倒L型，位于所述体区之上，由所述体区的后部向外引出。该器件的体接触制作在源区与栅极引出的交界处，在有效抑制浮体效应的同时，还具有不会增加芯片面积，消除了传统体接触结构增加芯片面积的缺点，并具有制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容等优点。

公开(公告)号：CN101916776A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010225623.0

申请日：2010-07-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  肖德元 ,  王曦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78612

Abstract: 本发明公开了一种具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法。该SOIMOS器件的源区包括：两个重掺杂N型区、位于两个重掺杂N型区之间的重掺杂P型区、位于两个重掺杂N型区和重掺杂P型区之上的硅化物、以及与该硅化物相连的浅N型区；该重掺杂P型区与其上的硅化物形成欧姆接触，释放SOIMOS器件在体区积累的空穴，从而有效抑制SOIMOS器件的浮体效应，不增加芯片面积，并消除了传统BTS结构降低有效沟道宽度的缺点。制作时先通过离子注入的方法形成重掺杂P型区，再在源区表面形成金属，通过热处理使金属与其下的Si反应生成硅化物。该制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容。

公开(公告)号：CN101872737A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010102139.9

申请日：2010-01-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  肖德元 ,  王曦

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78612 ,  H01L21/266 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明公开了一种抑制SOI浮体效应的MOS结构，其包括：衬底、位于衬底之上的埋层绝缘层、位于埋层绝缘层之上的有源区；所述有源区包括体区、分别位于体区两端的第一导电类型源区和第一导电类型漏区；在体区之上设有栅区，其中，所述有源区还包括位于第一导电类型源区与埋层绝缘层之间的重掺杂第二导电类型区。制作本结构时，可通过掩膜版向第一导电类型源区的位置进行离子注入，使第一导电类型源区下部、埋层绝缘层之上的区域形成重掺杂第二导电类型区。本发明在有效抑制浮体效应的同时，具有不会增加芯片面积，制造工艺与常规CMOS工艺相兼容等优点。

公开(公告)号：CN101794712A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010102138.4

申请日：2010-01-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 肖德元 ,  罗杰馨 ,  陈静 ,  伍青青 ,  王曦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/74

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78615

Abstract: 本发明公开了一种大角度离子注入抑制SOI MOS器件浮体效应的方法，其特征在于：对具有埋层绝缘层的NMOS结构以倾斜的方式进行离子注入，使所述NMOS结构的源区下部，所述埋层绝缘层之上的区域形成重掺杂的P型区，进行所述离子注入时以垂直于所述NMOS结构表面的竖直面为基准，倾斜角度在大于15度小于等于45度的范围内。本发明通过大角度离子注入的方法，在源区下方制备重掺杂的P型区，源区下方的重掺杂P区与重掺杂的N型源区形成隧道结，从而有效抑制浮体效应，同时还具有不会增加芯片面积，制造工艺简单，与常规CMOS工艺相兼容等优点。