公开(公告)号：CN115863149A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211599581.6

申请日：2022-12-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  徐文慧 ,  游天桂 ,  沈正皓 ,  瞿振宇

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种氧化镓结构的制备方法，通过智能剥离转移的方法将晶圆级的氮化镓转移到高导热的衬底上，之后经氧化退火将氮化镓薄膜氧化成氧化镓薄膜，从而实现氧化镓与高导热衬底的异质集成，有效解决氧化镓散热的瓶颈问题，且可制备大面积、高质量的氧化镓结构。

公开(公告)号：CN119947209A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411965526.3

申请日：2024-12-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  徐文慧 ,  瞿振宇 ,  王业良 ,  游天桂

IPC: H10D64/01 ,  H10D64/00 ,  H10D64/27

Abstract: 本申请提供了一种氧化镓功率器件及其制备方法，该制备方法通过将氧化镓衬底与器件衬底进行键合处理、退火处理之后，实现了氧化镓和器件衬底的异质集成，从而可以提升氧化镓功率器件的散热能力，之后通过对氧化镓异质结构进行开槽处理，显露部分器件衬底的表面，形成沟道结构，可以控制器件的开关，并可实现天然的增强型功率器件，提升氧化镓器件在模块和电路中的安全性；之后在沟道结构和氧化镓衬底上制备场板结构，能够提高器件的击穿电压、抑制电流崩塌、改善期间性能以及优化电场分布，从而基于异质集成得到了一种增强型、高导热的氧化镓功率器件。

公开(公告)号：CN119381252A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411509689.0

申请日：2024-10-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  赵天成 ,  徐文慧 ,  游天桂 ,  瞿振宇

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/02 ,  H01L21/223 ,  H01L21/306 ,  H10D84/03

Abstract: 本发明提供了一种阵列化的碳基半导体薄膜材料及其制备方法，首先将经离子注入的半导体晶圆和表面具有牺牲层的支撑衬底，沿牺牲层进行键合，随后对半导体薄膜层进行刻蚀处理，以使半导体薄膜层形成阵列化图案，得到阵列化的半导体薄膜层，以及通过刻蚀处理去除牺牲层，得到包含阵列化的半导体薄膜层和支撑衬底的半导体异质材料，再通过转印技术将阵列化的半导体薄膜层，从支撑衬底上转移至目标碳基衬底上，得到阵列化的碳基半导体薄膜材料。通过该方法可实现半导体与具有优良性能的碳基材料的异质集成，进一步释放半导体半导体材料在功率、射频等领域的应用潜力。

公开(公告)号：CN117577518B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311555216.X

申请日：2023-11-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  赵天成 ,  徐文慧 ,  游天桂 ,  瞿振宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，在金刚石衬底上制备碳化硅层，形成金刚石‑碳化硅复合结构，并将碳化硅层作为中间层，用于与氧化镓材料的异质集成，形成金刚石‑碳化硅‑氧化镓复合结构，从而可提供散热性能良好、易键合且键合强度高，可批量化生产的金刚石基氧化镓半导体结构。

公开(公告)号：CN115831877B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202211599584.X

申请日：2022-12-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  徐文慧 ,  游天桂 ,  沈正皓 ,  瞿振宇

IPC: H01L21/8256 ,  H01L27/088 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明提供一种基于异质集成的氧化镓cascade结构及制备方法，通过异质集成的方法将无法实现P型掺杂的氧化镓半导体材料与增强型器件相集成制备cascade结构，并且cascade结构是制备在兼具有高散热能力的衬底上，基于此可制备增强型级联功率器件、且可实现高导热，从而解决氧化镓无法制备常关器件和散热的问题。

公开(公告)号：CN116666201A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310684473.7

申请日：2023-06-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  徐文慧 ,  伊艾伦 ,  游天桂 ,  瞿振宇

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/34 ,  H01L29/165 ,  H01L21/263 ,  H01L21/423

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种异质集成体及其制备方法，该方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一面，第二晶圆包括第二面；对第一面和第二面进行激活处理，分别得到第一激活面和第二激活面；向第一激活面和第二激活面提供水蒸气或含有羟基的气态物质，以在第一激活面上形成亲水性基团，在第二激活面上形成亲水性基团；对第一晶圆与第二晶圆进行脱水键合处理，得到异质集成体，本发明能够显著减少异质材料界面的缺陷，形成高质量的异质界面，进而可提高利用上述异质集成体制备的异质集成器件的性能。

公开(公告)号：CN116564802A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310639707.6

申请日：2023-05-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  徐文慧 ,  伊艾伦 ,  游天桂 ,  瞿振宇

IPC: H01L21/18

Abstract: 本申请公开了一种异质结构制备方法，包括提供单晶功能材料基板和异质衬底基板；对单晶功能材料基板进行第一离子注入，以形成第一缺陷层，形成第一缺陷层的单晶功能材料基板呈现翘曲状态；对异质衬底基板进行翘曲调控处理，以形成翘曲调控层，形成翘曲调控层的异质衬底基板呈现翘曲状态；键合形成第一缺陷层的单晶功能材料基板和形成翘曲调控层的异质衬底基板，得到异质键合体；对异质键合体进行剥离，得到目标异质结构。本申请的异质结构制备方法通过使异质衬底基板与单晶功能材料基板均形成翘曲，以减小异质衬底基板与单晶功能材料基板间的键合间隙，进而增强键合波的扩散能力，进而增强键合强度。