公开(公告)号：CN113571635B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202010975902.2

申请日：2020-09-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱敏 ,  沈佳斌 ,  贾淑静 ,  宋志棠

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10N50/01 ,  H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10B61/00 ,  H10B53/20 ,  H10B53/30

Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及制备方法、存储器结构，其中，选通管材料包括Te、Se及S中的至少一种，也就是说，选通管材料选用Te、Se和S单质或者其中任意元素构成的化合物，进一步，可通过掺入O、N、Ga、In、As等元素、氧化物、氮化物以及碳化物等介质材料提高性能，本发明的选通管材料用于选通管单元时具有开通电流大、材料简单、开关速度快、重复性好以及低毒性等优点，有助于实现高密度的三维信息存储。

公开(公告)号：CN108461628A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810174959.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 沈佳斌 ,  朱敏 ,  任堃 ,  吕士龙 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/141

Abstract: 本发明提供一种自加热相变存储单元及自加热相变存储结构。自加热相变存储单元包括自加热电极以及和所述自加热电极相连接的相变存储介质，所述自加热电极包括至少一层自加热材料层，所述相变存储介质包括至少一层相变存储材料层，其中，所述自加热材料层和所述相变存储材料层的材料不同，且所述自加热材料层和所述相变存储材料层均包含至少一种硫族元素。本发明的自加热相变存储单元在具有快速数据写入能力的同时还具有低功耗的特性，且能有效避免相邻自加热相变存储单元之间的热干扰；本发明的自加热相变存储结构具有非常快的数据写入速度，且数据保持能力强，同时还具有功耗低，使用寿命长等优点。