公开(公告)号：CN104049112B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201410300612.2

申请日：2014-06-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  东南大学

Inventor： 李铁 ,  袁志山 ,  陈云飞 ,  梁晨 ,  张啸 ,  倪中华 ,  易红 ,  王跃林

IPC: G01Q70/12

Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。

公开(公告)号：CN104047060A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310080785.3

申请日：2013-03-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 梁晨 ,  李铁 ,  王跃林

IPC: C30B31/08

Abstract: 本发明提供一种对石墨烯进行硫掺杂的方法，包括步骤：1）提供石墨烯，将所述石墨烯置于化学气相沉积反应腔中；2）采用惰性气体对所述反应腔进行通气及排气处理；3）于500~1050℃下通入硫源气体对所述石墨烯进行硫掺杂；4）于氢气及惰性气体气氛中对所述反应腔进行降温。本发明可以简单高效的对石墨烯进行硫掺杂，经济成本低，可大规模生产；可以实现对石墨烯进行大面积的硫掺杂；可直接对绝缘衬底或金属衬底上的石墨烯进行掺杂，便于制作硫掺杂石墨烯器件；制备过程中，可以通过调节硫源气体流量控制硫掺杂浓度，从而实现对石墨烯进行可控掺杂。

公开(公告)号：CN103928296A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310015049.X

申请日：2013-01-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  梁晨 ,  王文荣 ,  王跃林

IPC: H01L21/02 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L21/02527 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439

Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上的方法。该方法包括以下步骤：将PDMS胶涂在附着有石墨烯的原衬底上；使所述PDMS胶固化成PDMS过渡层；对该PDMS过渡层与硬质衬底进行等离子处理，然后将该PDMS过渡层与硬质衬底进行轻压键合；将键合后的硬质衬底放入腐蚀液中腐蚀掉所述原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/PDMS过渡层/硬质衬底结合体并吹干，即得到转移到具有PDMS过渡层的硬质衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯电子器件。

公开(公告)号：CN205091287U

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201520894592.6

申请日：2015-11-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  郭联峰 ,  梁晨 ,  王跃林

IPC: G01N27/00 ,  C01B31/04

Abstract: 本实用新型提供一种基于硫掺杂石墨烯的氮氧化物气体传感器，包括：微加热器平台衬底及硫掺杂石墨烯；所述微加热器平台衬底上设有测试电极及加热器；所述硫掺杂石墨烯至少覆盖所述测试电极。本实用新型的基于硫掺杂石墨烯的氮氧化物气体传感器可采用圆片级衬底，实现圆片级制备，达到批量制造的水平，大大降低生产成本；本实用新型的基于硫掺杂石墨烯的氮氧化物气体传感器对氮氧化物气体分子具有较高的灵敏度和选择性，可有效降低水蒸气等其它气体对检测的影响，提高检测的精确度。