一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器

    公开(公告)号:CN103367473A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201210092230.6

    申请日:2012-03-31

    Abstract: 本发明提供一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器,包括:半导体衬底、金属反射层、多量子阱结构、以及金属光栅。所述金属光栅、多量子阱结构与金属反射层组成法布里-珀罗结构的金属共振微腔,调整所述金属光栅的周期、金属条的宽度以及多量子阱结构的厚度,使入射光子在腔体内形成符合法布里-珀罗结构的共振模,可以在金属共振微腔中形成强场区,提高了入射光的有效强度,进而提高器件的响应率、探测灵敏度和工作温度。本发明结构简单,效果显著,实用性强,适用于工业生产。

    光子晶体双带通滤波器
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114843724B

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202110144740.2

    申请日:2021-02-02

    Abstract: 本发明提供一种光子晶体双带通滤波器,包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱,第一金属板与第二金属板对应设置,金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间,且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触,以构成金属柱阵列;缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度,缺陷金属柱包括具有不同横截面积的第一缺陷金属柱及第二缺陷金属柱,以构成缺陷子周期结构,且缺陷子周期结构呈二维周期性排列于金属柱阵列中。本发明提出了一种光子晶体双带通滤波器,可用于未来6G通信和光通信的双带通滤波器,填补了这一领域的空白。

    光子晶体双带通滤波器
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114843724A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202110144740.2

    申请日:2021-02-02

    Abstract: 本发明提供一种光子晶体双带通滤波器,包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱,第一金属板与第二金属板对应设置,金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间,且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触,以构成金属柱阵列;缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度,缺陷金属柱包括具有不同横截面积的第一缺陷金属柱及第二缺陷金属柱,以构成缺陷子周期结构,且缺陷子周期结构呈二维周期性排列于金属柱阵列中。本发明提出了一种光子晶体双带通滤波器,可用于未来6G通信和光通信的双带通滤波器,填补了这一领域的空白。

    二维封闭式表面波光子晶体结构

    公开(公告)号:CN114839717A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202110145539.6

    申请日:2021-02-02

    Abstract: 本发明提供一种二维封闭式表面波光子晶体结构,包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱,第一金属板与第二金属板对应设置,金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间,且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触,以构成金属柱阵列;缺陷金属柱位于金属柱阵列中,且缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度。本发明在表面波光子晶体结构的基础之上,通过结合金属板,可集成包括表面波光子晶体结构及金属‑绝缘体‑金属结构的二维封闭式表面波光子晶体结构,以提供一种抗干扰性较强、集成度较高的二维封闭式表面波光子晶体结构。

    一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN108428762A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810384191.4

    申请日:2018-04-26

    Abstract: 本发明涉及一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构及其制作方法,其中,所述耦合结构包括:多个呈阵列分布的微腔单元以及一位于所述微腔单元下方的衬底,其中,每个所述微腔单元包括:一上金属电极,以及一设置在所述上金属电极的下表面上的所述量子阱探测器中的外延层,该外延层的几何尺寸与所述上金属电极的几何尺寸相同;所有所述微腔单元还包括:一共用的供所述外延层设置于其上的下金属电极板,该下金属电极板设置在所述衬底的上表面上。本发明不仅可以实现光的正入射耦合,有效提高量子阱对光的吸收效率,降低量子阱探测器的暗电流,提高其工作温度,而且可以达到微腔内电场增强的效果,提高量子阱探测器的光耦合效率。

    一种表面等离激元耦合太赫兹量子阱探测器

    公开(公告)号:CN103367518A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201210092931.X

    申请日:2012-03-31

    Abstract: 本发明提供一种表面等离激元耦合太赫兹量子阱探测器,包括:半导体衬底、下电极、多量子阱结构、上电极、以及金属光栅。所述金属光栅用于实现入射光子的极性偏转,调整所述金属光栅的周期、金属条的宽度以及上电极的电子掺杂浓度、上电极的厚度,能使入射光子与所述上电极中的电子相互作用以在所述上电极表面形成表面等离激元。由于器件厚度仅为2~5µm,在太赫兹频段处于亚波长范围,因而,表面等离激元对应的衰逝波在共振频率处能够提高器件子带吸收效率,并且提高器件响应率和工作温度。

    光子晶体双带通滤波器
    17.
    实用新型

    公开(公告)号:CN214505742U

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202120299666.7

    申请日:2021-02-02

    Abstract: 本实用新型提供一种光子晶体双带通滤波器,包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱,第一金属板与第二金属板对应设置,金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间,且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触,以构成金属柱阵列;缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度,缺陷金属柱包括具有不同横截面积的第一缺陷金属柱及第二缺陷金属柱,以构成缺陷子周期结构,且缺陷子周期结构呈二维周期性排列于金属柱阵列中。本实用新型提出了一种光子晶体双带通滤波器,可用于未来6G通信和光通信的双带通滤波器,填补了这一领域的空白。

    一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构

    公开(公告)号:CN208157437U

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201820606657.6

    申请日:2018-04-26

    Abstract: 本实用新型涉及一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构,其包括:多个呈阵列分布的微腔单元以及一位于所述微腔单元下方的衬底,其中,每个所述微腔单元包括:一上金属电极,以及一设置在所述上金属电极的下表面上的所述量子阱探测器中的外延层,该外延层的几何尺寸与所述上金属电极的几何尺寸相同;所有所述微腔单元还包括:一共用的供所述外延层设置于其上的下金属电极板,该下金属电极板设置在所述衬底的上表面上。本实用新型不仅可以实现光的正入射耦合,有效提高量子阱对光的吸收效率,降低量子阱探测器的暗电流,提高其工作温度,而且可以达到微腔内电场增强的效果,提高量子阱探测器的光耦合效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    二维封闭式表面波光子晶体结构

    公开(公告)号:CN214201830U

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202120299661.4

    申请日:2021-02-02

    Abstract: 本实用新型提供一种二维封闭式表面波光子晶体结构,包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱,第一金属板与第二金属板对应设置,金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间,且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触,以构成金属柱阵列;缺陷金属柱位于金属柱阵列中,且缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度。本实用新型在表面波光子晶体结构的基础之上,通过结合金属板,可集成包括表面波光子晶体结构及金属‑绝缘体‑金属结构的二维封闭式表面波光子晶体结构,以提供一种抗干扰性较强、集成度较高的二维封闭式表面波光子晶体结构。

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