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公开(公告)号:CN106784132B
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201611059090.7
申请日:2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/102 , H01L31/109 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光探测器结构及其制作方法,利用分步腐蚀的方法,制作出收集层面积比吸收层面积小的光探测器结构,使得器件电容大大减小,在相同吸收层厚度条件下,提高了器件的RC响应带宽,进而提高了器件的总带宽;在相同收集层面积及相同吸收层厚度的条件下(RC带宽、渡越带宽相同),器件具有更大的吸收层面积,因而具有更大的响应度,可以在更高入射光功率下工作,在高速高功率应用中性能提升更为明显,适用于太赫兹信号产生、高速光通信中的光接收等领域。
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公开(公告)号:CN106784132A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611059090.7
申请日:2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/102 , H01L31/109 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/1844 , H01L31/035272 , H01L31/035281 , H01L31/102 , H01L31/109
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光探测器结构及其制作方法,利用分步腐蚀的方法,制作出收集层面积比吸收层面积小的光探测器结构,使得器件电容大大减小,在相同吸收层厚度条件下,提高了器件的RC响应带宽,进而提高了器件的总带宽;在相同收集层面积及相同吸收层厚度的条件下(RC带宽、渡越带宽相同),器件具有更大的吸收层面积,因而具有更大的响应度,可以在更高入射光功率下工作,在高速高功率应用中性能提升更为明显,适用于太赫兹信号产生、高速光通信中的光接收等领域。
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公开(公告)号:CN105244391B
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201510755793.2
申请日:2015-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法,所述宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器包括:衬底、下电接触层、第一多量子阱层、中电接触层、第二多量子阱层以及上电接触层。本发明具有以下有益效果:本发明的太赫兹量子阱光电探测器具有非常宽的响应谱,单个器件即可有效覆盖1.5~8 THz频率范围,半高宽达2.84 THz,比现有普通太赫兹量子阱光电探测器提升约89%。本发明结构和制作方法简单,效果显著,在半导体光电器件技术领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN103487943A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201310471301.8
申请日:2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明涉及一种激光点光源簇的产生装置,包括用于产生激光束(21)的激光源(11)、位于激光器一侧并设有通孔的光阑(12)以及位于光阑一侧、均匀分布微孔的滤纸(13);所述激光源(11)产生的激光束(21)经过光阑(12)的通孔后被限制为与通孔直径相等的入射激光束(22),该激光束(22)垂直入射滤纸(13)表面发生衍射,产生与入射激光束(22)束径等大的激光点光源簇,形成点发散激光(23)。本发明装置结构简单,激光源的选则广泛,易于实现,适合作为光路校准过程中的点发散光源。
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公开(公告)号:CN102288299B
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN201110207838.4
申请日:2011-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种基于太赫兹量子阱探测器的被动式热成像探测系统及方法,利用光电导型太赫兹量子阱探测器作为探测器,采用自行设计的辐射信号去噪调制方法,同步控制模块和信号传输-汇聚光路,完成了基于THzQWP的被动式热成像探测。在热辐射信号的采集端,利用可调式孔径光阑和斩波器对热辐射信号进行调制,调制频率由斩波器设定。THzQWP的信号检测电路端采用光电导模式,THzQWP通过离轴抛面镜组汇聚光路接收辐射信号并提取THz信号,通过加上稳定偏压,经跨阻放大器将THzQWP光电流转换成电压,通过低噪声放大器放大,由锁相放大器读数据。读出的信号再由同步控制模块记录并处理,最终获得热图像信息。
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公开(公告)号:CN102288299A
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN201110207838.4
申请日:2011-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种基于太赫兹量子阱探测器的被动式热成像探测系统及方法,利用光电导型太赫兹量子阱探测器作为探测器,采用自行设计的辐射信号去噪调制方法,同步控制模块和信号传输-汇聚光路,完成了基于THzQWP的被动式热成像探测。在热辐射信号的采集端,利用可调式孔径光阑和斩波器对热辐射信号进行调制,调制频率由斩波器设定。THzQWP的信号检测电路端采用光电导模式,THzQWP通过离轴抛面镜组汇聚光路接收辐射信号并提取THz信号,通过加上稳定偏压,经跨阻放大器将THzQWP光电流转换成电压,通过低噪声放大器放大,由锁相放大器读数据。读出的信号再由同步控制模块记录并处理,最终获得热图像信息。
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公开(公告)号:CN106996918B
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN201710183267.2
申请日:2017-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3581
Abstract: 本发明提供一种基于光子学技术的太赫兹成像系统,包括光频梳产生模块、光混频器模块、扫描模块、移动平台、聚焦模块、太赫兹探测器模块和终端处理模块,其中,光频梳产生模块产生光拍频信号;光混频器模块将光拍频信号转化成太赫兹信号;扫描模块对太赫兹信号进行准直并聚集到待测物体上;移动平台带动待测物体移动,聚焦模块汇聚从待测物品上散射出来的太赫兹信号;太赫兹探测器模块将太赫兹信号转化成电信号;终端处理模块根据电信号得到待测物体的二维图像。本发明采用光频梳产生模块作为光源,能够消除图像中的干涉现象,显著提高成像质量,同时所需光功率只有掺铒光纤放大器源成像系统的百分之三十以下,大大降低系统成本。
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公开(公告)号:CN106409940B
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201611152276.7
申请日:2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电二极管的收集区结构,所述收集区结构包括掺杂区和非掺杂区,其中,所述掺杂区靠近吸收区一侧。通过本发明提供的单行载流子光电二极管的收集区结构,解决了现有单行载流子光电二极管因空间电荷效应饱和电流较小的问题,进一步提升了单行载流子光电二极管的饱和电流。
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公开(公告)号:CN106872053A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201710225234.X
申请日:2017-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01J5/522 , G01J5/08 , G01J5/0834 , G01J5/0862 , G01J5/0893 , G01J5/10 , G01J2005/0077
Abstract: 本发明提供一种太赫兹噪声辐射源及成像系统,所述太赫兹噪声辐射源包括:黑体,与所述黑体的输出口对准的光纤准直器,通过光纤与所述光纤准直器连接的第一掺饵光纤放大器,通过光纤与所述第一掺饵光纤放大器连接的光调制器,通过光纤与所述光调制器连接的第二掺饵光纤放大器,以及通过光纤与所述第二掺饵光纤放大器连接的光电转换器;其中,所述光纤准直器、所述第一掺饵光纤放大器、所述光调制器、所述第二掺饵光纤放大器及所述光电转换器覆盖有共同的工作频段。通过本发明提供的一种太赫兹噪声辐射源及成像系统,解决了现有的太赫兹噪声源功率较弱、无法进行高速电调制的问题。
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公开(公告)号:CN103367473B
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:CN201210092230.6
申请日:2012-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器,包括:半导体衬底、金属反射层、多量子阱结构、以及金属光栅。所述金属光栅、多量子阱结构与金属反射层组成法布里-珀罗结构的金属共振微腔,调整所述金属光栅的周期、金属条的宽度以及多量子阱结构的厚度,使入射光子在腔体内形成符合法布里-珀罗结构的共振模,可以在金属共振微腔中形成强场区,提高了入射光的有效强度,进而提高器件的响应率、探测灵敏度和工作温度。本发明结构简单,效果显著,实用性强,适用于工业生产。
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