公开(公告)号：CN112382666B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202011225486.0

申请日：2020-11-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 常永伟 ,  董业民

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种柔性器件及其制备方法，主要结构由上至下包括：基底层(1)、粘结层(2)、隔离区(3)、保护层(4)，及其包围的器件区，所述器件区包括源区和漏区(5)、体区(6)、栅介质层(7)、栅电极(8)、互连层(9)、第一连接电极(10)、第二连接电极(11)。本发明通过设置基底层和保护层对柔性器件形成保护，对其进行应力缓冲，能够防止外界的沾污、冲击等对器件功能层造成损伤，提高了柔性器件的可靠性和柔性。

公开(公告)号：CN111725149B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201911000927.4

申请日：2019-10-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 常永伟 ,  董业民 ,  刘艳 ,  吕凯

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种柔性电子器件及其制备方法，包括：柔性基底和电子器件，所述电子器件包括衬底层和延伸层，所述延伸层设置在所述衬底层上；所述柔性基底设置在所述延伸层远离所述衬底层的表面上。在电子器件正面形成柔性基底，可避免器件减薄、转移、键合等制造过程中导致力学失效和破坏，提高柔性器件的性能可靠性和稳定性。在电子器件之间形成大面积柔性隔离层，进一步增强器件单元之间的柔性连接，提高器件结构的整体柔韧性和延展性。本发明同时形成背栅偏压控制端，能够实现器件电学性能的动态调制，改善器件的抗辐射特性。

公开(公告)号：CN111739933A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010579138.7

申请日：2020-06-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 常永伟 ,  董业民 ,  吕凯 ,  单毅

IPC: H01L29/10 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种浮空的柔性器件及其制备方法，柔性器件结构包括：器件区、电极区、柔性导线、过渡区、粘合层、柔性基底。本发明提出浮空的器件区、蛇形柔性导线，实现了更大的延展性和可弯曲性。通过在柔性基底上方设置浮空的器件区域，降低了衬底形变对器件的影响，使制备的柔性器件具有更加优异的柔性和更稳定的电学性能。

公开(公告)号：CN111725149A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201911000927.4

申请日：2019-10-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 常永伟 ,  董业民 ,  刘艳 ,  吕凯

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种柔性电子器件及其制备方法，包括：柔性基底和电子器件，所述电子器件包括衬底层和延伸层，所述延伸层设置在所述衬底层上；所述柔性基底设置在所述延伸层远离所述衬底层的表面上。在电子器件正面形成柔性基底，可避免器件减薄、转移、键合等制造过程中导致力学失效和破坏，提高柔性器件的性能可靠性和稳定性。在电子器件之间形成大面积柔性隔离层，进一步增强器件单元之间的柔性连接，提高器件结构的整体柔韧性和延展性。本发明同时形成背栅偏压控制端，能够实现器件电学性能的动态调制，改善器件的抗辐射特性。