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公开(公告)号：CN102427068B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110394410.5
申请日：2011-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C30B19/12 , C30B23/025 , C30B25/06 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/68 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02546 , H01L21/02667 , Y10T428/12681 , Y10T428/2495 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种利用低粘滞度材料单片集成具有晶格失配的晶体模板及其制作方法，晶体模板的制作方法包括：提供具有第一晶格常数的第一晶体层；在第一晶体层上生长缓冲层；在缓冲层的熔点温度之下，在缓冲层上依序执行第二晶体层生长工艺和第一次模板层生长工艺生长第二晶体层和模板层、或者在缓冲层上直接执行第一次模板层生长工艺生长模板层；将缓冲层熔化并转化为非晶态，在高于缓冲层的玻璃化转变温度的生长温度下，在第一次模板层生长工艺中生长的模板层上执行第二次模板层生长工艺，继续生长模板层，直至模板层晶格完全弛豫。相较于现有技术，本发明具有制作简单、在同一衬底上实现多种晶格常数材料组合且位错密度低、晶体质量高等优点。
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公开(公告)号：CN106744657B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201611126275.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度；然后外延生长GeSn薄膜，通过精确控制GeSn薄膜中Sn的分布及GeSn薄膜的厚度，调控该GeSn薄膜中的应力分布；根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，制作出所需悬臂结构。本发明克服了难以制备全金属实体的三维微纳结构的问题，直接在锗锡材料上制备而成的三维悬臂结构，在高温或者导电方面都比聚合物的三维微结构更有优势。
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公开(公告)号：CN103618036B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310629211.7
申请日：2013-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种单片原位形成图形衬底的方法，所述方法至少包括步骤：提供一衬底，在所述衬底上外延生长具有张应变的结构，并使所述张应变以形成裂缝的形式弛豫，所述裂缝相互交错形成衬底图形。本发明的单片原位形成衬底图形的方法不需对衬底进行预处理，从而防止引入外来杂质，降低了工艺难度，且操作工艺简单，易控制。另外，在本发明提供的衬底图形上生长的结构和器件与衬底晶格失配并且可以保持极低的晶体缺陷密度。
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公开(公告)号：CN103618036A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310629211.7
申请日：2013-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种单片原位形成图形衬底的方法，所述方法至少包括步骤：提供一衬底，在所述衬底上外延生长具有张应变的结构，并使所述张应变以形成裂缝的形式弛豫，所述裂缝相互交错形成衬底图形。本发明的单片原位形成衬底图形的方法不需对衬底进行预处理，从而防止引入外来杂质，降低了工艺难度，且操作工艺简单，易控制。另外，在本发明提供的衬底图形上生长的结构和器件与衬底晶格失配并且可以保持极低的晶体缺陷密度。
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公开(公告)号：CN103367520A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264420.6
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备方法，该探测器结构由下而上依次包括：InP衬底、高掺杂n型InP缓冲层、吸收层和高掺杂p型InP帽层，所述的吸收层为低掺杂n型InyGa1-yAs1-xBix吸收层，其中0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039884A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710304793.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/341
Abstract: 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。
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公开(公告)号：CN106744657A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611126275.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0015 , B81C1/00349 , B81C1/00373
Abstract: 本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度；然后外延生长GeSn薄膜，通过精确控制GeSn薄膜中Sn的分布及GeSn薄膜的厚度，调控该GeSn薄膜中的应力分布；根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，制作出所需悬臂结构。本发明克服了难以制备全金属实体的三维微纳结构的问题，直接在锗锡材料上制备而成的三维悬臂结构，在高温或者导电方面都比聚合物的三维微结构更有优势。
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公开(公告)号：CN103367575A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264476.1
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构及其制备方法，所述的量子阱结构的势垒层中含有铋元素；其制备方法以GaAsBi量子阱为例，包括：（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；（2）生长AlGaAsBi势垒层；（3）生长GaAsBi势阱层；（4）继续重复生长N-1个周期的AlGaAsBi势垒层和GaAsBi势阱层，其中1≤N≤5；（5）最后再生长AlGaAsBi势垒层，即可。本发明的稀铋半导体量子阱结构的热稳定性好，本发明的稀铋半导体量子阱结构可用常规分子束外延、原子层沉积等多种方法进行生长，操作工艺简单，易控制。
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公开(公告)号：CN103367567A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264472.3
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束源快门，利用铋元素引起的III族元素互扩散实现非矩形量子阱结构，该方法可有效地控制材料组分，克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变矩形量子阱结构的问题，为量子结构和功能的设计及实现引入更大的自由度；本发明的制备方法适合采用分子束外延、原子层沉积等多种材料生长手段，操作工艺简单方便。
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公开(公告)号：CN103367123A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264486.5
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原子，利用此类原子增强铋原子在稀铋半导体材料中的成键强度，可以提高稀铋半导体材料在高温下的热稳定性；本发明可以用常规的分子束外延方法实现，操作工艺简单，易控制。
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