公开(公告)号：CN112530855A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011412909.X

申请日：2020-12-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  石航宁 ,  游天桂 ,  周李平 ,  徐文慧

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种复合异质集成半导体结构、半导体器件及制备方法，可集成具有不同功能、不同特性的材料层，实现复合异质集成，且根据不同材料层所具有的特点，从而可发挥各材料层的不同优势，以获得高质量、高性能的半导体器件；进一步的，半导体单晶晶片可以回收循环利用，从而可大大降低成本。

公开(公告)号：CN117518714A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311363532.7

申请日：2023-10-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  杨秉承 ,  伊艾伦 ,  周李平

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  G03F1/80 ,  H01S3/30

Abstract: 本发明涉及一种用于拉曼激光器的碳化硅光子器件制备方法，本发明方法可获得侧壁光滑、垂直度高的碳化硅直波导和微环谐振器，从而使得光被束缚在回音壁式微腔中，产生回音壁式拉曼激光。

公开(公告)号：CN111962148A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010772092.0

申请日：2020-08-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  周李平 ,  伊艾伦 ,  游天桂

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  C30B33/06 ,  C30B33/10 ,  C30B33/02 ,  C25F3/12 ,  C30B29/64

Abstract: 本申请提供一种单晶钻石薄膜的制备方法，包括以下步骤：获取钻石衬底和异质衬底；对钻石衬底的表面进行He离子注入，使注入的离子在钻石衬底相应的深度下聚集形成缺陷层，将钻石衬底中缺陷层之上的钻石薄膜作为同质外延的衬底；采用同质外延在钻石薄膜上生长一层单晶钻石薄膜；将单晶钻石薄膜与异质衬底键合，形成键合结构；对键合结构进行湿法腐蚀或电化学腐蚀，将缺陷层去除，使钻石薄膜转移至异质衬底表面；若对键合结构进行电化学腐蚀，则在将外延后的钻石薄膜与异质衬底键合步骤之前，对进行同质外延后的钻石衬底进行高温退火，使缺陷层发生石墨化，形成石墨化的缺陷层；其中，He离子的注入能量和注入剂量根据溶解缺陷层的方法分梯度设定。