公开(公告)号：CN107591186B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201710749389.3

申请日：2017-08-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 闫帅 ,  蔡道林 ,  薛媛 ,  宋志棠 ,  陈一峰 ,  卢瑶瑶 ,  吴磊 ,  刘源广

IPC: G11C29/56 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法，包括：具有脉冲电流源模块、开关驱动模块、测试状态切换模块的电压电流测试自动切换电路；数字源表；探针台、第一待测相变电阻及第二待测相变电阻。电压测试时，电压电流测试自动切换电路接收单脉冲电压信号，并加载到第一待测相变电阻的两端，通过数字源表测量第一待测相变电阻的阻值；电流测试时，电压电流测试自动切换电路基于单脉冲电压信号及负直流电流信号产生单脉冲电流信号，并加载到第二待测相变电阻，通过数字源表测量第二待测相变电阻的阻值。本发明将分立的电压和电流测试系统合成到一起，通过电压和电流的自动切换实现工程测试的自动化，同时减小噪音干扰。

公开(公告)号：CN107068198A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710256187.5

申请日：2017-04-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 闫帅 ,  蔡道林 ,  薛媛 ,  宋志棠 ,  陈一峰 ,  卢瑶瑶 ,  吴磊

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明提供一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法，包括：产生第一、第二脉冲电流源的脉冲电流源产生电路；控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降的电容；输出所述输出驱动电流的负载相变电阻；控制电容充放电的开关管；及对单脉冲驱动电压反相的反相器。基于负直流电流及单脉冲驱动电压产生第一、第二脉冲电流源；在单脉冲驱动电压为高电平时，第一脉冲电流源为电容充电；第二脉冲电流源流经负载相变电阻，作为输出驱动电流的高电平信号；在单脉冲电压为低电平时，电容为负载相变电阻供电，使输出驱动电流的下降沿缓慢下降。本发明利用RC放电效应，控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降，以此每个存储单元都能作用在最优SET操作的参数下。

公开(公告)号：CN108597558B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201810368154.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴磊 ,  陈一峰 ,  蔡道林 ,  卢瑶瑶 ,  刘源广 ,  闫帅 ,  李阳 ,  宋志棠

IPC: G11C29/56 ,  G06F30/33

Abstract: 本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获取与写操作电流对应的电阻数据及V‑I特性曲线；每次写操作之前还基于相同预设擦参数对待操作单元进行擦操作；对不同写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对真写操作电流对应的V‑I特性曲线进行拟合获取若干亚阈值斜率；及对获取的各亚阈值斜率进行统计分析获取最优写操作电流。通过本发明，解决了现有方法无法筛选出最优写操作电流的问题。

公开(公告)号：CN108520765B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201810304264.4

申请日：2018-04-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 卢瑶瑶 ,  蔡道林 ,  陈一峰 ,  闫帅 ,  宋志棠 ,  吴磊 ,  刘源广 ,  李阳

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；其中，可变电阻器与可变电容器串联成的串联电路一端与驱动电路相连接，另一端与第二相变存储器单元相连接；第二相变存储器单元的结构与第一相变存储器单元的结构相同。本发明可以简单便捷地得到相变存储器阵列中的位线寄生参数，为相变存储器阵列中的各相变存储器单元均能够被充分操作弥补能量损耗提供依据，为得到比较一致的电阻分布，提高相变存储器芯片的工作可靠性提供基础。

公开(公告)号：CN109903800A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910196702.4

申请日：2019-03-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 蔡道林 ,  宋志棠 ,  陈一峰 ,  卢瑶瑶 ,  闫帅 ,  吴磊 ,  刘源广 ,  余力 ,  陆俊杰

IPC: G11C16/26 ,  G11C29/00

Abstract: 本申请提供一种相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质，包括：一检测单元，用于检测数据是否存在错误；一控制信号单元，获取来自所述相变储存器的第一存取参数设定值，根据所述第一存取参数设定值产生第一读取控制信号令所述相变储存器读取第一数据页面；当接收到所述校验单元校验第一数据页面存在错误而产生的检测错误信号时，根据第二存取参数设定值产生第二读取控制信号令所述相变储存器读取所述第一数据页面；其中，配置为所述第二存取参数设定值状态下的相变储存器的存取效率低于其配置为所述第一存取参数设定值状态。解决了因各个相变存储器的读取模式和参数不同使各端口匹配困难的问题，可以令端口实现自动匹配。