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公开(公告)号：CN108597558B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201810368154.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获取与写操作电流对应的电阻数据及V‑I特性曲线；每次写操作之前还基于相同预设擦参数对待操作单元进行擦操作；对不同写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对真写操作电流对应的V‑I特性曲线进行拟合获取若干亚阈值斜率；及对获取的各亚阈值斜率进行统计分析获取最优写操作电流。通过本发明，解决了现有方法无法筛选出最优写操作电流的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108520765B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810304264.4
申请日：2018-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；其中，可变电阻器与可变电容器串联成的串联电路一端与驱动电路相连接，另一端与第二相变存储器单元相连接；第二相变存储器单元的结构与第一相变存储器单元的结构相同。本发明可以简单便捷地得到相变存储器阵列中的位线寄生参数，为相变存储器阵列中的各相变存储器单元均能够被充分操作弥补能量损耗提供依据，为得到比较一致的电阻分布，提高相变存储器芯片的工作可靠性提供基础。
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公开(公告)号：CN109903800A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910196702.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质，包括：一检测单元，用于检测数据是否存在错误；一控制信号单元，获取来自所述相变储存器的第一存取参数设定值，根据所述第一存取参数设定值产生第一读取控制信号令所述相变储存器读取第一数据页面；当接收到所述校验单元校验第一数据页面存在错误而产生的检测错误信号时，根据第二存取参数设定值产生第二读取控制信号令所述相变储存器读取所述第一数据页面；其中，配置为所述第二存取参数设定值状态下的相变储存器的存取效率低于其配置为所述第一存取参数设定值状态。解决了因各个相变存储器的读取模式和参数不同使各端口匹配困难的问题，可以令端口实现自动匹配。
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公开(公告)号：CN105742490B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610140946.7
申请日：2016-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构，所述结构至少包括：相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层。通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高，来抑制非晶态的中心区域在小电流干扰下结晶，从而提高相变存储器的数据保持力。掺杂注入区域的直径要小于加热电极的直径，中心区域的相变材料进行掺杂后结晶温度高于两侧未掺杂的相变材料，在小电流干扰时，此掺杂区域不易结晶，使相变存储器高阻态保持时间延长。而正常电操作SET时，结晶区域在相变材料层中加热电极的边缘，边缘区域结晶温度较低，因此本发明的相变材料层在中心区域掺杂后不会影响正常的电操作。
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公开(公告)号：CN108648782B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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公开(公告)号：CN108648782A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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