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公开(公告)号：CN115602539A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211248587.9
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所(CN)
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/417
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种硅基PIN二极管平面化制备方法及硅基PIN二极管，该方法包括：在硅晶圆衬底的上表面进行P+掺杂，形成第一预设直径的P+层；在硅晶圆衬底的下表面进行N+掺杂，形成N+层；对I层进行刻蚀，I层位于P+层与N+层之间，保留I层在P+层下的第二预设直径的I层区域；第一预设直径大于第二预设直径；将N+层的下表面减薄至预设厚度；在N+层上表面除I层区域与P+层的区域制备钝化层；在P+层上表面制备阳极焊盘；在钝化层上表面刻蚀多个凹槽至N+层，基于多个凹槽制备多个阴极焊盘。本申请平面化的硅基PIN二极管可以应用于高密度集成领域，缩小电子器件的尺寸，提高集成度。
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公开(公告)号：CN111128908A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911155674.8
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/64
Abstract: 本发明提供了一种三维堆叠电路结构及其制备方法，属于微电子封装领域，电路基板上设有第一过孔构件，封装底板上设有第二过孔构件，相邻电路基板之间设有第一焊球，第一过孔构件之间通过第一焊球导电连接，底层电路基板上的第一过孔构件与第二过孔构件导电连接；第一焊球呈预设阵列分布，配合电路基板接地层形成虚拟金属腔体。本发明提供的三维堆叠电路结构及其制备方法，信号路径短，有效降低上层电路基板的接地寄生效应；虚拟金属腔体使各个信号链路通道之间实现高隔离度抑制，在高集成度条件下实现高频信号传输和处理，可调整虚拟金属腔谐振频率，避免微波链路信号在虚拟金属腔体内发生谐振造成电路性能恶化。
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公开(公告)号：CN111029296A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911155696.4
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H05K1/14
Abstract: 本发明提供了一种堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法，属于微波电路领域，包括步骤：获取上基板和下基板之间的目标堆叠间距和初选工艺参数，目标堆叠间距为上基板下表面和下基板上表面之间的预设间距，初选工艺参数为堆叠过程中预先设定的至少一个工艺参数；根据目标堆叠间距以及初选工艺参数确定调节工艺参数，调节工艺参数用于影响焊球的高度；基于初选工艺参数和所述调节工艺参数，在上基板下表面的第一焊盘上植入焊球；将第一焊盘上的焊球通过再流焊焊接在下基板上表面的第二焊盘上。本发明提供的制备方法只需提前获取各个参数，在操作的时候对应进行调整，就能够方便的调节目标堆叠间距，实现调整虚拟金属腔体的谐振频率。
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公开(公告)号：CN117747545A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311735431.8
申请日：2023-12-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/768 , H01L25/065 , H01L25/00
Abstract: 本申请适用于限幅器技术领域，提供了限幅器MMIC芯片及其制备方法。该限幅器MMIC芯片的制备方法包括：在硅基晶圆的上表面制备PIN二极管；在已制备PIN二极管的硅基晶圆的上表面制备绝缘介质层；将绝缘介质层与PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域对应的部分刻蚀掉，并对硅基晶圆与接地焊盘区域对应的部分继续刻蚀至硅基晶圆的N+层；通过电镀金属在PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域制备PIN二极管的上电极与接地焊盘；在硅基晶圆的上表面制备外围电路；在硅基晶圆的下表面制备PIN二极管的下电极；在外围电路上的植球焊盘上制备金球凸点；将GaN肖特基二级管芯片倒装焊接在植球焊盘上。本申请制备的芯片集成度高、体积小。
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公开(公告)号：CN111029296B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201911155696.4
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H05K1/14
Abstract: 本发明提供了一种堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法，属于微波电路领域，包括步骤：获取上基板和下基板之间的目标堆叠间距和初选工艺参数，目标堆叠间距为上基板下表面和下基板上表面之间的预设间距，初选工艺参数为堆叠过程中预先设定的至少一个工艺参数；根据目标堆叠间距以及初选工艺参数确定调节工艺参数，调节工艺参数用于影响焊球的高度；基于初选工艺参数和所述调节工艺参数，在上基板下表面的第一焊盘上植入焊球；将第一焊盘上的焊球通过再流焊焊接在下基板上表面的第二焊盘上。本发明提供的制备方法只需提前获取各个参数，在操作的时候对应进行调整，就能够方便的调节目标堆叠间距，实现调整虚拟金属腔体的谐振频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128908B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201911155674.8
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/64
Abstract: 本发明提供了一种三维堆叠电路结构及其制备方法，属于微电子封装领域，电路基板上设有第一过孔构件，封装底板上设有第二过孔构件，相邻电路基板之间设有第一焊球，第一过孔构件之间通过第一焊球导电连接，底层电路基板上的第一过孔构件与第二过孔构件导电连接；第一焊球呈预设阵列分布，配合电路基板接地层形成虚拟金属腔体。本发明提供的三维堆叠电路结构及其制备方法，信号路径短，有效降低上层电路基板的接地寄生效应；虚拟金属腔体使各个信号链路通道之间实现高隔离度抑制，在高集成度条件下实现高频信号传输和处理，可调整虚拟金属腔谐振频率，避免微波链路信号在虚拟金属腔体内发生谐振造成电路性能恶化。
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公开(公告)号：CN111262529A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010123495.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。
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公开(公告)号：CN111029338A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911155016.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种电路基板及堆叠电路结构，属于三维电路领域，包括基板主体及设于所述基板主体上的第一接地过孔，所述第一接地过孔内填充有第一金属导电芯。本发明提供的电路基板及堆叠电路结构，第一接地过孔中填充有第一金属导电芯，由于采用金属填充物，第一接地过孔的导电性能显著提高，能有效降低第一接地过孔的电阻，进而有效降低电路基板在使用过程中的寄生效应，有利于提高堆叠电路结构整体的电路性能。
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公开(公告)号：CN211457498U
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201922041674.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于微波电路设计技术领域，提供了一种屏蔽结构和三维集成微波电路，包括：下基板、下基板接地焊盘、上基板和上基板接地焊盘。屏蔽接地焊球设置在下基板接地焊盘与上基板接地焊盘之间；屏蔽接地焊球排列形成至少一个封闭图形，封闭图形构成屏蔽腔。本申请实施例提供的屏蔽结构及三维集成微波电路，利用屏蔽接地焊球排列形成封闭的屏蔽腔。通过控制构成每个屏蔽腔的相邻屏蔽接地焊球的距离，能够达到良好的电磁波屏蔽和隔离效果。经试验，本申请实施例提供的屏蔽结构在毫米波频段隔离度可以达到40dBc以上，有效解决了小型化三维电路中电磁兼容和电磁干扰的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211655014U
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202020378062.7
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种脊波导与玻珠包带的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括脊波导本体、金带环和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，至少所述脊体的上表面设有第一镀层；金带环连接于所述第一镀层上；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体连接的探针，所述探针的外表面包覆第二镀层，所述探针伸入所述金带环内且与所述金带环的内壁接触。本实用新型提供的脊波导与玻珠包带的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变，探针直接插入金带环中，利用金带环的弹性，实现一定的弹性接触，在工作时，具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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