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公开(公告)号：CN105280727A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510747914.9
申请日：2015-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H01L29/94 , H01L21/4889 , H01L23/49 , H01L29/66181
Abstract: 本发明公开了一种微波内匹配功率晶体管匹配电容及其制作方法，涉及电容及其制作方法技术领域。所述电容包括完成了内匹配电容正面工艺的MIM上电容组件，MIM上电容组件包括衬底，所述衬底的上表面设有金属下电极，所述衬底上设有引出通孔，所述衬底的下表面设有金属下电极引出电极，所述金属下电极引出电极的一部分穿过所述引出通孔与所述金属下电极电连接。所述电容具有耐高温，频率性能好，体积小，制作工艺简单，成本低的特点。
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公开(公告)号：CN103280419A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310212033.8
申请日：2013-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/673 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种用于存放薄晶圆片的周转存储盒，涉及专门适用于特殊物件或物料的容器、包装元件或包装件技术领域。包括盒体和盒盖，所述盒体上设有舱室平台，舱室平台为一个平滑的圆形平台，平台的直径大于薄晶圆片的直径，沿舱室平台外周的部分弧将盒体分为高低两部分，在盒体低的部分设有取放口，取放口为一条设置在舱室平台外侧的弧形凹槽，所述凹槽紧挨着舱室平台，取放口的高度大于舱室平台的高度，所述盒盖也分为高低两部分，盒盖低的部分与盒体高的部分相适配，盒盖高的部分与盒体低的部分相适配。使用所述存储盒转运薄晶圆片，能够有效保证薄晶圆片的安全且取放薄晶圆片方便。
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公开(公告)号：CN101556919A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910074413.3
申请日：2009-05-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/311 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种控制SiC基体刻蚀的台阶形貌的方法，应用在半导体的加工工艺中，该方法包括清洗SiC基体、淀积掩蔽层、光刻、刻蚀掩蔽层、干法刻蚀SiC基体，关键的改进是在刻蚀掩蔽层的工序中控制掩蔽层刻蚀的台阶形貌与SiC基体刻蚀的台阶形貌一致。本发明改变了以往通过单一控制SiC基体与掩蔽层的刻蚀比控制台阶形貌的方法，该方法可有效、灵活地控制SiC基体刻蚀的台阶形貌，其坡度在5°～90°之间进行调整。
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公开(公告)号：CN101552195A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910074306.0
申请日：2009-05-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/283 , H01L21/20 , H01L21/314 , H01L21/311 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于霍尔效应测量的轻掺杂SiC基体上制作欧姆电极的方法，包括在轻掺杂SiC基体上划定欧姆电极的区域、在上述区域淀积或涂覆金属、高温退火，形成欧姆电极，在淀积或涂覆金属步骤前面，增加下列工序：在欧姆电极的区域形成一导电类型相同的重掺杂SiC层。本发明在轻掺杂SiC基体上的欧姆电极的区域形成一导电类型相同的重掺杂SiC外延层，易于欧姆电极的制备，且比接触电阻较低；轻掺杂SiC基体与外延的重掺杂SiC层是同质结，不存在晶体结构变化的问题，因此在温度循环过程中，电极稳定，获得霍尔效应测试的数据稳定、可靠。
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公开(公告)号：CN104992966B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510262095.9
申请日：2015-05-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/66 , H01L21/324 , H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种热预算低的双极高频功率晶体管芯片的制作方法。涉及半导体器件及其制造领域。该制作方法采用离子注入代替热扩散后，高硼离子注入后不进行高温热退火，而是在低硼离子注入后，一起进行一次高温退火，退火温度控制在950~1050℃，降低了晶体管制作的热预算，简化了工艺流程，避免了对晶圆片的反复高温加热，节约了能源，也降低了晶圆片经反复高温，变形的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104037062B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410256975.0
申请日：2014-06-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种MOS电容的制造方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括以下步骤：在硅晶圆片的上表面形成氧化层；在氧化层的上表形成金属引出电极的窗口；在金属引出电极的窗口处形成倒梯形的光刻胶形貌；蒸发一层金属铂；去除光刻胶的同时也将光刻胶上的金属铂一起去除；进行合金处理，使金属铂与硅形成良好的欧姆接触；在金属电极以外的区域形成光刻胶；上表面蒸发多层金属；剥离去除金属上电极和金属引出电极以外的步骤中蒸发的金属，形成MOS电容。所述方法简化了工艺流程，使用安全、环保。
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公开(公告)号：CN103985743A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410203101.9
申请日：2014-05-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/331
CPC classification number: H01L21/02697 , H01L23/522
Abstract: 本发明公开了一种双极型功率晶体管基片及其制作方法，涉及晶体管的制作方法技术领域。所述基片包括晶圆片，所述晶圆片的下表面从上到下依次设有钛金属层、镍金属层和金金属层。所述方法提高了双极型功率晶体管的背面金属与晶圆片背面的粘附性能，又保证了管芯在与管座烧结在一起时的牢固可靠，同时又避免了烧结时容易在大功率芯片背面烧结处出现空洞造成功率晶体管热斑对晶体管可靠性形成威胁的被动局面，主要适合于金金属化系统，即管座烧结处是镀金的，芯片背面金属也是以金为主要参与烧结的金属体系。
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公开(公告)号：CN103545172A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310472185.1
申请日：2013-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L28/40
Abstract: 本发明公开了一种避免微波内匹配电容分割处介质裂纹的方法，涉及电子元器件的制造方法技术领域。包括以下步骤：1）将硅晶片清洗干净，然后进行高温氧化，在硅晶片的上表面形成氧化层；2）在氧化层的上表面进行第一次金属溅射，形成金属种子层；3）形成金属电极；4）光刻分割处的氧化层；5）腐蚀分割处的介质层；6）分割电容。所述方法能够避免微波内匹配电容分割处介质裂纹，提高了内匹配电容的稳定性，从而提高了内匹配晶体管整体的稳定性与可靠性。
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公开(公告)号：CN101246899B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810054651.3
申请日：2008-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/24 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故意掺杂的本征碳化硅层。相对于采用一般结构的MESFET(金属场效应管)而言，采用二次外延方式制备得到的MESFET具有源漏电阻小、欧姆接触面积大、管内工作区域电场分布均匀等优点，可以提高跨导，提高器件的工作电压以及功率。同时，大大简化了器件制备的工艺，保证了器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN101567363B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910074716.5
申请日：2009-06-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/64 , H01L23/48 , H01L29/417
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种双极结型晶体管发射极的镇流电阻，属于晶体管制作领域。所述镇流电阻包括镇流电阻本体、与镇流电阻本体连接的输入引线和输出引线，输入引线和输出引线呈平面梳状排布，关键的改进是：输出引线呈等间距排布，输入引线呈疏密相间排布，形成电流的单向传输通路。本发明在不改变器件及镇流电阻基本结构的条件下，有效降低了功耗，同时避免大功率器件因“热奔”而烧毁。
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