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公开(公告)号：CN107902650A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711146672.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/28 , C01B32/184
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种超纳米金刚石表面上制备单层石墨烯的方法，该方法包括：将超纳米金刚石膜进行预处理，去除表面的杂质和表面应力；在经过所述预处理后的超纳米金刚石膜的形核面形成金属层，所述金属层为镍层和所述镍层上表面的铜层或所述金属层为铜镍合金层；将已生长所述金属层的超纳米金刚石膜进行高温退火处理，自组织形成单层石墨烯。本发明直接在超纳米金刚石膜上生长单层石墨烯，无需二次转移工艺，有效的避免了二次转移过程中引入杂质和晶格缺陷，并且，生长的单层石墨烯具有较小的晶格失配和表面变化。
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公开(公告)号：CN107500278A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710928128.8
申请日：2017-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备低褶皱密度石墨烯材料的生长方法，涉及石墨烯材料的制备技术领域。包括以下步骤：选择绝缘衬底，对绝缘衬底清洗，干燥；将清洗好的绝缘衬底放入CVD设备中，抽真空至≤10-4mbar；开启微波电源，真空环境升温，去除绝缘衬底表面吸附的气体；通入氩气和氢气作为载气，氩气流量为1-30L/min，氢气流量为1-60L/min；通入气态碳源，气态碳源流量与氢气流量之比控制在0.001％-50％之间；通入气态氮源，流量为0.005-2L/min；在生长温度在500-1800℃之间，保持气体压力为500-1000mbar，持续时间为1-100min，在绝缘衬底表面得到1-5层P型掺杂的石墨烯。该方法操作简单，成本低，可控制石墨烯材料表面褶皱密度，有助于制备表面形貌平坦，高质量的石墨烯材料。
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公开(公告)号：CN118957752A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411033252.4
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸单晶金刚石衬底及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：自支撑多晶金刚石衬底的制备；覆Ir金刚石复合衬底的制备；单晶金刚石的制备。在Si衬底覆盖金刚石籽晶后生长多晶金刚石；对多晶金刚石正面抛光；在抛光后的多晶金刚石正面固定临时载片；去除Si衬底并对多晶金刚石背面抛光；去除临时载片形成自支撑多晶金刚石衬底；在MgO衬底上沉积定晶向Ir膜得到Ir/MgO复合衬底；将自支撑多晶金刚石衬底正面与Ir/MgO复合衬底进行键合，形成多晶金刚石/定晶向Ir膜/MgO复合衬底；去除MgO衬底形成覆Ir金刚石复合衬底；在覆Ir金刚石复合衬底上生长单晶金刚石，制得大尺寸单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN118888601A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411012293.5
申请日：2024-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构金刚石场效应肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：在金刚石衬底上外延高掺杂浓度p型金刚石外延层；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的正面生长轻掺杂p型金刚石外延层，去除高掺杂浓度p型金刚石外延层背部的金刚石衬底；在轻掺杂p型金刚石外延层上刻蚀出圆柱形阴极区和场效应控制区，阴极区在圆柱的顶部；在轻掺杂p型金刚石外延层上形成N型掺杂；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的背面淀积阳极金属；在光刻阴极区形成氧化铝，淀积阴极金属；在阴极金属上制作阴极电极。本发明制备的肖特基二极管，降低了正向导通电阻，提升了反向击穿电压，从而提升了器件的功率品质因子。
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公开(公告)号：CN114047555B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202111315822.5
申请日：2021-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金刚石NV色心的磁力探测头及磁力探测系统。该基于金刚石NV色心的磁力探测头包括：具有两端开口的陶瓷套管、设置在陶瓷套管的腔体内的金刚石NV色心系综样品以及设置在陶瓷套管一端面上的微波天线；金刚石NV色心系综样品为毫米级的块状结构，其朝向微波天线的第一端面上设有用于接收激光入射的凹坑；微波天线设有中心通孔、且中心通孔与金刚石NV色心系综样品的凹坑同轴设置，微波天线用于连接微波源并向陶瓷套管的腔体发射微波；其中，金刚石NV色心系综样品在微波源和激光的激发下，在陶瓷套管的腔体内产生荧光。本发明提供的基于金刚石NV色心的磁力探测头灵敏度更高，且适用范围更广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107731916B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201710948671.4
申请日：2017-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括：在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面沉积具有施主特性且组分缓变的三元化合物形成第一施主层，在所述金刚石层与第一施主层的界面处形成一个缓变异质结，在金刚石一侧，近结处形成二维电子气，利用二维电子气作为n型导电沟道。所述方法可使n型金刚石材料沟13 ‑2道内的载流子浓度和迁移率分别达到10 cm 和2000cm2/V s。
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公开(公告)号：CN107731915B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201710948663.X
申请日：2017-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括：在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面形成具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物，在所述金刚石与受主层的界面处形成一个异质结，在所述金刚石的一侧近结10nm‑20nm处形成二维空穴气，利用二维空穴气作为p型导电沟道。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在0℃‑1000℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN116110970A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310121971.0
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种金属氧化物终端金刚石场效应晶体管及制备方法，该金属氧化物终端金刚石场效应管晶体管包括：金刚石衬底；源极和漏极，分别设置于金刚石衬底上表面的两侧；金属氧化物终端，设置于金刚石衬底上表面，且位于源极和漏极之间；栅介质层，设置于金属氧化物终端上表面；栅极，设置于栅介质层上表面。本申请金属氧化物终端与栅介质之间晶格匹配，能够有效降低界面态密度，提高金属氧化物终端上表面沉积的栅介质的质量，进而使金属氧化物终端金刚石具备高载流子迁移率，使金属氧化物终端金刚石场效应晶体管具备良好的直流和射频性能。
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公开(公告)号：CN115016018A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210633597.8
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于金刚石色心量子传感技术技术领域，提供了荧光收集方法及装置，该荧光收集方法包括：获取抛物面透镜和预设尺寸的金刚石NV，加工抛物面透镜上表面中部，得到与预设尺寸的金刚石NV大小相同的抛物面透镜凹槽；将预设尺寸的金刚石NV放入抛物面透镜凹槽，并向预设尺寸的金刚石NV和抛物面透镜的上表面蒸镀二向色滤光镀层；基于抛物面透镜及预设尺寸的金刚石NV收集荧光。本申请提高了金刚石NV的荧光收集效率。
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公开(公告)号：CN114540952A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210051168.X
申请日：2022-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，属于异质外延金刚石制备技术领域，包括以下步骤：以MgO衬底为基础衬底，通过光刻和刻蚀制备金字塔形状的MgO衬底，并通过高温溅射将金属Ir结合，形成Ir/MgO复合衬底，通过在Ir/MgO复合衬底上完成异质外延金刚石的生长，最后，Ir/MgO复合衬底连同外延金刚石一并从高温状态快速降温，利用Ir/MgO复合衬底和外延金刚石热膨胀系数的不同，使二者脱离，以完成异质外延金刚石的制备，并达到Ir/MgO复合衬底可重复利用的目的。本发明提供的一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，有助于制备人为可控厚度，表面均匀平坦，可重复利用衬底异质外延金刚石材料。
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