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公开(公告)号：CN106206832A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610740914.0
申请日：2016-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所 , 合肥公共安全技术研究院
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开了一种单级阻挡结构窄带通紫外探测器，包括：衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，I型吸收层，P型单级阻挡层，P型滤波层，N型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极；本发明阻挡层采用渐变掺杂和渐变组分分布形成单极能带结构，使得异质结的能带偏移全部落在导带上，而价带为平坦结构，能够阻挡短波滤波层产生的电子的自由运动同时不影响吸收层空穴信号的收集。同时该结构的引入还能够阻挡暗电流的输运通道。本发明能够有效地提高探测器的短波抑制比，降低器件的暗电流，显著提高探测器的性能而不影响其响应率。
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公开(公告)号：CN105845696A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610209302.9
申请日：2016-04-01
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L27/144 , H01L31/105 , H01L31/184
摘要： 本发明涉及一种用于监测燃气火焰温度的紫外探测器芯片及其制备方法。其目的是为了提供一种设计巧妙、监测准确的紫外探测器芯片及其制备方法。本发明包括采用光刻和ICP技术对探测器外延片进行刻蚀，并结合标准半导体微加工工艺在外延片上制作第一PIN二极管和第二PIN二极管，第一PIN二极管为具有滤波结构的PIN二极管，第二PIN二极管为普通PIN二极管，能分别探测不同波段的信号，通过一个紫外探测器芯片从而实现对两个特定目标波段的同时探测，特别是将该紫外探测器芯片应用到燃气燃烧设备的火焰温度探测中，可以通过第一PIN二极管与第二PIN二极管输出的光电流比获得燃气火焰的温度信息，从而实现对相关燃气燃烧参数的监控。
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公开(公告)号：CN105679779A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610171213.X
申请日：2016-03-22
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所 , 合肥公共安全技术研究院
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/105
CPC分类号： H01L31/02165 , H01L27/1443 , H01L31/03044 , H01L31/105
摘要： 本发明公开一种红斑响应探测器，一种用于太阳紫外线指数监测的芯片，属于半导体器件技术领域。该芯片横向集成了两个不同结构的探测单元，其一为传统PIN紫外光电二极管，其二为新结构的窄带通PIN紫外光电二极管，两光电二极管具有相同的感光面积。本发明探测器材料的结构为依次外延衬底层、缓冲层、N型层、I型吸收层、P型层、势垒层，短波滤波层，并利用标准半导体微加工工艺实现两不同结构探测器的单片集成。本发明的优点在于巧妙地采用双二极管集成芯片获得精确的红斑响应探测器，可以避免采用昂贵复杂的滤波装置以及滤波装置对器件响应率的影响，同时避免采用高铝组分作为吸收层所面临的材料生长困难和高暗电流问题。
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公开(公告)号：CN102910575B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210447091.4
申请日：2012-11-09
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所 , 合肥公共安全技术研究院
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种聚合物纳米通道的制作方法，包括以下步骤：（1）在清洗后的衬底上旋转涂覆抗蚀剂，获得抗蚀剂层；（2）烘烤除去抗蚀剂溶剂；（3）通过曝光和显影，获得成对的纳米线条结构；（4）用清洗液清洗纳米线条结构，待清洗液在空气中完全挥发后，纳米通道制作完成。本发明利用液体表面张力进行通道密封，无需现有技术的键合工艺，从而不会出现流体在通道中的堵塞等现象，与电子束光刻技术相比，降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN112802935B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110309127.1
申请日：2021-03-23
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层依次生长在衬底上，所述电子阻挡层为双量子阱臂结构，所述电子阻挡层自下而上依次包括AlxGa1‑xN势垒层、AlyGa1‑yN量子阱层、AlxGa1‑xN势垒层、GaN势阱层、AlxGa1‑xN势垒层、AlzGa1‑zN量子阱层与AlxGa1‑xN势垒层；本发明的优点在于：能够减弱引入电子阻挡层造成的有害极化效应，提高空穴的注入效率。
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公开(公告)号：CN113035982A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110234815.6
申请日：2021-03-03
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所 , 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/105
摘要： 本发明提供一种全硅掺杂多结电场增强型锗光波导探测器，涉及硅基光电子器件技术领域。本发明中沿第一方向依次堆叠的金属电极、硅氧化上包层、波导层和硅氧化下包层；所述波导层包括锗吸收层和薄硅层，所述锗吸收层位于所述薄硅层和硅氧化上包层之间；所述锗吸收层下方的薄硅层设有多结型掺杂区结构；所述硅氧化上包层包括通孔结构，所述通孔结构连接所述金属电极和所述薄硅层。实现在不增加工艺难度的情况下，同时抑制暗电流、提高探测器响应度、并大范围的提高探测器带宽，即极大地提高了探测器的综合性能。
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公开(公告)号：CN110112272A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910345418.9
申请日：2019-04-26
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 本发明公开了一种具有异质外延结型电子阻挡层的LED结构，属于半导体光电子器件技术领域，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层依次生长在衬底上，所述电子阻挡层为异质外延的P-I-N结结构，所述异质外延的P-I-N结结构包括P型AlxGa1-xN层、I型AlyGa1-yN层与N型AlzGa1-zN层。本发明可以有效降低电子泄漏，提高空穴的注入效率，增加电子与空穴的辐射复合，提高LED的内量子效率和光的输出功率。
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公开(公告)号：CN107452820B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710698526.5
申请日：2017-08-15
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/105
摘要： 本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器，包括衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，N型欧姆接触电极，吸收层，二维δ掺杂层，P型欧姆接触层，P型欧姆接触电极；其中，所述二维δ掺杂层为高掺杂N型半导体材料制成，所述二维δ掺杂层制作在吸收层之上。本发明通过同质二维δ掺杂层来调节电场分布，从而提高P区光生载流子的收集效率，进而提高探测器的光谱响应率。
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公开(公告)号：CN109065663A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810928201.6
申请日：2018-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0216 , H01L31/0304
CPC分类号： H01L31/109 , H01L31/02161 , H01L31/03044
摘要： 本发明公开了一种双异质结紫外探测器，所述GaN吸收层的上表面形成正的极化电荷，下表面形成负的极化电荷；在极化电荷的作用下，所述AlN缓冲层和GaN吸收层的界面间形成作为光生空穴的输送通道二维空穴气2DHG，GaN吸收层与AlGaN势垒层的界面间形成作为光生电子的输送通道二维电子气2DEG，所述探测器的工作模式为光线从肖特基接触层的上表面入射。本发明采用AlGaN/GaN/AlN双异质结代替传统的AlGaN/GaN单异质结，光生空穴将能通过2DHG沟道快速输运，从而消除单沟道结构光生空穴迁移速度慢导致的信号“拖尾”现象。光生空穴通过2DHG的有效收集将进一步提高器件的量子效率和响应频率。由于双沟道极化电荷的存在将更容易在GaN吸收区形成垂直的电场分布。
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公开(公告)号：CN107452820A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710698526.5
申请日：2017-08-15
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/105
CPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0264
摘要： 本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器，包括衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，N型欧姆接触电极，吸收层，二维δ掺杂层，P型欧姆接触层，P型欧姆接触电极；其中，所述二维δ掺杂层为高掺杂N型半导体材料制成，所述二维δ掺杂层制作在吸收层之上。本发明通过同质二维δ掺杂层来调节电场分布，从而提高P区光生载流子的收集效率，进而提高探测器的光谱响应率。
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