一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法与仪器

    公开(公告)号:CN104977336A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201510376679.9

    申请日:2015-07-01

    Abstract: 本发明公开了一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法,通过测定氧化膜的纯电子传导电流或电阻和离子向氧化膜中迁移形成的电流或阻抗,由离子迁移电流或阻抗与电子传导电流或电阻的差异及其数值,来量化表征氧化膜中的微观缺陷。本发明的有益效果是:本发明的方法能客观量化表征氧化膜微观缺陷的情况,如缺陷尺度、分布密度等,而不只是定性地了解,能反映出微观缺陷在宏观尺度(10mm)上的分布情况;本方法不需要制样,可在样品上直接测量,方便快捷,避免了制样过程造成的影响及人为因素的影响。

    控制棒中子吸收体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115679145B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202211135233.3

    申请日:2022-09-19

    Abstract: 本发明公开了一种控制棒中子吸收体材料及其制备方法,中子吸收体材料组份包括Ag‑I n‑Cd合金基体以及弥散均匀分布于Ag‑I n‑Cd合金基体中的氧化钇颗粒。其制备方法包括:步骤S1、称取Ag、CdO、I n、Cd、Y原料;步骤S2、采用多阶段熔炼工艺将Ag、CdO、I n、Cd、Y原料熔炼得到含有氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金,多阶段熔炼工艺包括至少两个阶段的熔炼;步骤S3、将Ag‑I n‑Cd合金进行轧制变形处理,轧制完成后进行退火处理。与现有技术比较,本发明所提出的含有弥散分布的氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金与屈服强度和抗拉强度提升了50%以上,在材料强度方面提升显著,且并不会对延伸率造成明显的下降,十分适用于制作控制棒芯体,从而保障核反应堆长期安全运行。

    控制棒中子吸收体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115679145A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211135233.3

    申请日:2022-09-19

    Abstract: 本发明公开了一种控制棒中子吸收体材料及其制备方法,中子吸收体材料组份包括Ag‑I n‑Cd合金基体以及弥散均匀分布于Ag‑I n‑Cd合金基体中的氧化钇颗粒。其制备方法包括:步骤S1、称取Ag、CdO、I n、Cd、Y原料;步骤S2、采用多阶段熔炼工艺将Ag、CdO、I n、Cd、Y原料熔炼得到含有氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金,多阶段熔炼工艺包括至少两个阶段的熔炼;步骤S3、将Ag‑I n‑Cd合金进行轧制变形处理,轧制完成后进行退火处理。与现有技术比较,本发明所提出的含有弥散分布的氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金与屈服强度和抗拉强度提升了50%以上,在材料强度方面提升显著,且并不会对延伸率造成明显的下降,十分适用于制作控制棒芯体,从而保障核反应堆长期安全运行。

    一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法与仪器

    公开(公告)号:CN104977336B

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201510376679.9

    申请日:2015-07-01

    Abstract: 本发明公开了一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法,通过测定氧化膜的纯电子传导电流或电阻和离子向氧化膜中迁移形成的电流或阻抗,由离子迁移电流或阻抗与纯电子传导电流或电阻的差异及其数值,来量化表征氧化膜中的微观缺陷。本发明的有益效果是:本发明的方法能客观量化表征氧化膜微观缺陷的情况,如缺陷尺度、分布密度等,而不只是定性地了解,能反映出微观缺陷在宏观尺度(10mm)上的分布情况;本方法不需要制样,可在样品上直接测量,方便快捷,避免了制样过程造成的影响及人为因素的影响。

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