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公开(公告)号：CN112821192A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110115525.X
申请日：2021-01-28
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种多电极半导体激光器封装结构，属于激光技术领域，包括多电极半导体激光芯片和热沉；多电极半导体激光芯片包括若干个芯片区；芯片区包括芯片区正极和芯片区负极；热沉包括负极金属化层和若干个互相绝缘的正极金属化层；若干个正极金属化层与若干个芯片区的芯片区正极一一对应，且芯片区正极附在对应的正极金属化层上；若干个芯片区的芯片区负极和负极金属化层电导通。本发明的一种多电极半导体激光器封装结构，可以满足在不同电极注入大小不同的电流，不同电极对之间不会发生短路，从而实现多电极半导体激光芯片的功能，散热性能好，稳定可靠。
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公开(公告)号：CN108321665A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810293233.3
申请日：2018-03-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: H01S3/0405 , H01S3/042
Abstract: 本发明提供了一种抑制板条与冷却器焊接后静态波前畸变的封装结构，该方案包括有板条激光增益介质、第一冷却器、第二冷却器、第一次热层、第二次热层以及焊料层；板条激光增益介质的上、下表面上分别设置有第一次热层和第二次热层；第一次热层的上表面上设置有第一冷却器；第二次热层的下表面上设置有第二冷却器；板条激光增益介质、第一次热层、第二次热层、第一冷却器、第二冷却器之间均设置有焊料层。该封装结构很好的解决了板条激光增益介质与冷却器在焊接过程中因材料膨胀系数差异、焊料层空洞等原因导致板条在封装过程中产生较大静态波前畸变的问题。
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公开(公告)号：CN105576482A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610131882.4
申请日：2016-03-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: H01S3/04 , H01S3/0407 , H01S3/042
Abstract: 本发明提供了一种用于激光器晶体的纵向式冷却器系统。该纵向式冷却器系统的上盖板层、散热层、小孔分水板层、宽度分水板层、冷却水合并层、辅助焊片层和底盖板层从下至上依次叠加，上下层之间采用焊接方式进行紧固密封；各层之间的进水通道和出水通道，与温控制冷设备的出水口和进水口形成封闭的冷却回路。通过进水通道的逐层细分形成的散热通道将上盖板层冷却成一个温度分布均匀的散热面，能够将附着在散热面上的激光器晶体工作中产生的热高效带走，并保持激光器晶体横向温度的均匀性，减小激光器晶体内部的热梯度、热应力，确保了激光器的正常工作。
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公开(公告)号：CN102820610B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210325578.5
申请日：2012-09-06
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S3/0941 , H01S3/06 , H01S3/042
Abstract: 本发明公开了一种二极管泵浦激光增益模块及其制备方法，所述增益模块的前端板与偶数环形泵浦激光器组紧固在一起，偶数环形泵浦激光器组与奇数环形泵浦激光器组依次交替串接，两两之间密封固定；后端板与奇数环形泵浦激光器组串接，内部注入冷却液，形成增益模块主体。增益模块主体与底座之间连接半导体制冷器，及时换热。通过给二极管激光器施加电流，使二极管激光器发射激光泵浦棒状激光介质。棒状激光介质所产生的热量通过冷却液传导到环状内多边形热沉上，和二极管激光器产生的热一起通过半导体制冷器传导到底座散热。本发明的增益模块结构简单，安装方便，环境适应性好，可在环境温度-40℃～60℃良好工作。
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公开(公告)号：CN110549360B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910953160.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: B25J15/02
Abstract: 本发明公开了一种光学元件夹持装置和方法，属于光学元件夹持领域，左夹持臂的末端夹持面和右夹持臂的末端夹持面均对应设有大直径柱面和小直径柱面；大直径柱面和小直径柱面平行，且大直径柱面比小直径柱面更靠近端部，使夹紧光学元件时，大直径柱面比小直径柱面先接触光学元件两侧的非光通区平行平面。本发明的一种光学元件夹持装置和方法，能够稳定夹持小尺寸光学元件，不会造成光学元件的破坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110961846A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911407972.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: B23K37/04
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体激光器中COS焊接夹具，属于COS焊接技术领域，包括承载定位组件和至少一个的悬臂弹簧探针组件；承载定位组件用于承载和定位管壳底座；悬臂弹簧探针组件包括至少一个的定位杆、和定位杆一一对应的压簧、至少一个的弹簧探针、悬臂支架和锁紧件；定位杆设在承载定位组件上，且定位杆外套有压簧；压簧压缩在承载定位组件和悬臂支架之间；定位杆穿过悬臂支架；锁紧件用于将悬臂支架限定在离承载定位组件一定距离位置；弹簧探针设在悬臂支架上，用于将COS压在管壳底座上设有的焊料上。本发明的一种用于半导体激光器中COS焊接夹具，能够有效防止COS在焊接过程中产生位移偏差，提高COS定位准确性。
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公开(公告)号：CN106340793A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201611049152.6
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S3/00
CPC classification number: H01S3/00 , H01S2301/02
Abstract: 本发明提供了一种基于大面荧光吸收的板条放大自发辐射抑制金属化过渡层结构，该方案包括有从下到上依次设置的板条、倏逝膜、锗层、铂层和金层；倏逝膜镀在板条上；锗层镀在倏逝膜上；铂层镀在锗层上；金层镀在铂层上。该方案采用金属化过渡层抑制板条自发辐射，既能够方便板条可靠焊接，同时能够将板条内部大部分小于全反角的自发辐射荧光吸收，抑制板条内部放大自发辐射。
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公开(公告)号：CN102820610A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210325578.5
申请日：2012-09-06
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S3/0941 , H01S3/06 , H01S3/042
Abstract: 本发明公开了一种二极管泵浦激光增益模块及其制备方法，所述增益模块的前端板与偶数环形泵浦激光器组紧固在一起，偶数环形泵浦激光器组与奇数环形泵浦激光器组依次交替串接，两两之间密封固定；后端板与奇数环形泵浦激光器组串接，内部注入冷却液，形成增益模块主体。增益模块主体与底座之间连接半导体制冷器，及时换热。通过给二极管激光器施加电流，使二极管激光器发射激光泵浦棒状激光介质。棒状激光介质所产生的热量通过冷却液传导到环状内多边形热沉上，和二极管激光器产生的热一起通过半导体制冷器传导到底座散热。本发明的增益模块结构简单，安装方便，环境适应性好，可在环境温度-40℃～60℃良好工作。
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公开(公告)号：CN102593717A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210075628.9
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器，特别是超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括衬底上的下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，上下金属电极层，前后腔面分别镀的增透膜和高反射薄膜，在上金属化层和上金属电极层之间的上金属化层表面开有至少两条沟槽，两相邻沟槽之间设有载流子限制绝缘凸起。制备方法是采用光刻技术与刻蚀技术在上金属化层制备沟槽，然后在金属化层上沉积载流子限制层；将沟槽之间的载流子限制层进行裁减，形成载流子限制绝缘凸起。本发明绝缘层厚度低，可以使半导体激光器的散热更加快速，有利于半导体激光器功率和寿命的提高。
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公开(公告)号：CN102593710A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210075365.1
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器，特别是利用热沉散热的半导体激光器的封装方法，含以下步骤：在热沉上制备含有碳纳米管的焊料；将半导体芯片置于热沉上并固定，在半导体芯片上放置低膨胀系数玻璃压条，低膨胀系数玻璃压条上放置压块；通过升温和降温过程将半导体芯片焊接到热沉上；压焊电极引线。本发明的方法封装半导体激光器有利于改善芯片焊接到热沉上的形变，有利于改善激光器的光束质量，有利于提高热沉的散热效率，有利于延长激光器的寿命。
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