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公开(公告)号：CN114498294A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210085008.7
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器及利用光栅形成外腔谐振的光纤耦合结构，属于光纤耦合技术领域，半导体激光器包括设有两个出光面的半导体激光芯片，第一出光面和第二出光面的反射率不同，且半导体激光芯片分别从第一出光面和第二出光面输出激光束；光纤耦合结构通过将多个半导体激光器排列，从第一出光面输出的激光产生第一平行光束，从第二出光面输出的激光产生第二平行光束；第一平行光束经过一反射光栅，光栅的反射率与芯片第二出光面的反射率相等，第一平行光束再经过一半波片后与第二平行光束同时经过偏振合束器到聚焦透镜后聚焦到光纤上，激光从芯片的两个端面输出，能够提供反射的同时锁定光谱，降低激光芯片的输出光谱宽度。
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公开(公告)号：CN113948965A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111209007.0
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种纯增益耦合分布反馈式半导体激光器及制备方法，该激光器包括设置于外延层上的脊形波导、布拉格光栅、光放大器和外延层的上波导层，所述光放大器为锥形放大器，布拉格光栅由未经离子注入并与电极欧姆接触的电流注入区域和离子注入的绝缘区域构成，脊形波导包括一部分布拉格光栅，上波导层包括另一部分布拉格光栅，锥形放大器输入端与脊形波导连接，输出端位于激光器前腔面。本发明采用离子注入的方式在脊波导上形成周期性的纯增益耦合型布拉格光栅，其光栅深度只由离子注入的深度决定，无需对光栅进行刻蚀。采用较大的注入深度，能在不引入折射率耦合效应的同时增加增益耦合系数，减小了光学损耗并且有利于保持单纵模激光输出的稳定性。简化了制备工艺，可实现稳定的高亮度单纵模激光输出。
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公开(公告)号：CN113708218A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110800041.9
申请日：2021-07-15
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种平板耦合脊波导半导体激光器，属于半导体激光器件的技术领域，包括外延层，所述外延层的顶部设有一宽脊波导和分别位于该宽脊波导两侧的一窄脊波导，并通过各个所述窄脊波导限制宽脊波导的横向电场模式，且窄脊波导的宽度小于宽脊波导的宽度；其中，对所述宽脊波导施加正向偏置电压，对各所述窄脊波导施加反向偏置电压，以达到能提高单个激光器的输出功率，并能保持较好光束质量的目的。
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公开(公告)号：CN112821200A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110157669.1
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种脊型波导半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器件的技术领域，该结构的激光器制备在N型衬底层上，由衬底层往上依次为N型下限制层、N型下波导层、量子阱有源层、P型上波导层、P型上限制层、P型接触层、牺牲层；在半导体激光器外延结构表面外延生长一牺牲层，该层材料可通过选择性腐蚀去除，在制备脊型波导时可通过自对准的工艺制备电极窗口，避免了电极窗口光刻时的对准问题，进而可降低工艺难度，提高脊型波导半导体激光器的一致性和可靠性。
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公开(公告)号：CN105356215A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510720398.0
申请日：2015-10-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S3/0941 , H01S3/109
CPC classification number: H01S3/0941 , H01S3/109
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器直接倍频装置，该方案为半导体激光器发射出的激光束依次经过光谱合束及压窄机构、隔离器、耦合透镜、TEC温度控制模块、非线性倍频晶体和第二耦合输出镜后输出。该方案能够实现每个合束单元波长的锁定压窄和模式选择，同时将发光单元激光束空间近场和远场重叠成一束输出，极大的改善合束之后的光束质量，于是实现了高功率输出条件下实现高光束质量输出，对应的锁定光谱具有很高的谱亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118050909A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410247365.8
申请日：2024-03-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光偏振相干快速合成方法，属于激光器领域，用以实现高效快速激光偏振相干合成。本发明在多束具有高相干性的激光子束的光路上设置相位调制装置、偏振调整装置、光束准直装置和偏振相干合成模块，以对激光子束进行逐级合成，每一级均将每相邻两束待合束光束成对进行合路。本发明利用子束多频率快速相位遍历的方法，使得偏振相干合成在没有实施子束相位实时调控时瞬时达到最大值，完成对光场的调试。在完成光学系统的调试后，施加伺服相位控制，实现高效合成。本发明所提出的方法可以大幅提升偏振相干合成技术的调试速度，精准定位影响合成效率的系统构成，提升合成效率，从而推动高亮度高相干光源系统的发展。
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公开(公告)号：CN114498291A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111612121.8
申请日：2021-12-27
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供一种单束输出皮秒脉冲和连续复合激光的半导体激光器；所述半导体激光器包括激光器外延结构以及设置在激光器外延结构上的皮秒脉冲激光种子源、连续激光种子源、Y字型波导合束结构和锥形功率放大器；Y字型波导合束结构具有第一后端、第二后端以及一个前端；皮秒脉冲激光种子源包括依次设置的脊型脉冲增益部分、脊型可饱和吸收体和第一光栅，第一光栅对准第一后端；连续激光种子源包括依次设置的脊型连续增益部分和第二光栅，第二光栅对准第二后端；锥形功率放大器的较小端对准前端。本发明解决了激光器内部同时产生脉冲和连续两类激光的问题，具有单光束输出皮秒脉冲和连续复合大功率激光的良好结果。
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公开(公告)号：CN112615258B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011396116.3
申请日：2020-12-03
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器结构，属于半导体光电子的技术领域，该结构包括：由下往上分别设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，其中，在所述下波导层与有源层之间、有源层与上波导层之间分别嵌入有高折射率层，以达到有效提高大光腔波导结构的基模限制因子，同时增强波导对载流子的限制，降低器件的阈值电流，降低高阶模的模式增益，进而提高大光腔波导结构半导体激光器的基模输出功率，改善光束质量，为制备高性能的790nm高功率半导体激光器奠定基础的目的。
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公开(公告)号：CN113948970A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111170264.8
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于后腔外腔光谱调控的光谱合束装置，包括半导体激光系统、后腔外腔光谱调控系统、前腔共孔径合束系统，后腔外腔光谱调控系统接收半导体激光系统一侧输出的激光光束阵列进行调制并反馈回半导体激光系统，使得半导体激光系统另一侧输出的激光束阵列以一定的光谱间隔分别被调控并锁定在不同的中心波长上，且阵列中每一束激光光束的光谱宽度得到了压窄；前腔共孔径合束系统将半导体激光系统另一侧输出的激光束阵列进行共孔径合束并输出。本发明提出的方案实现了光谱调控与共孔径合束输出的解耦合，实现光谱密集排列的同时提升了合束效率；后腔外腔采用全反射镜进行激光反馈，实现了更加稳定可靠的光谱调控。
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公开(公告)号：CN113948969A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111029304.7
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种高效率半导体激光器，属于半导体激光器件的技术领域，包括衬底，还包括：设于衬底上的条型波导，所述条型波导上沿谐振腔方向设置有多个绝缘区，通过各个所述绝缘区分隔成多个电注入区，且相邻两所述绝缘区之间的间隔由激光器的后腔面至前腔面的方向呈逐渐增大，以达到抑制条型半导体激光器中的空间烧孔、提高电光转换效率的目的。
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