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公开(公告)号：CN115967442A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211556583.7
申请日：2022-12-06
Applicant: 中北大学
IPC: H04B10/2507 , H01S3/067 , H01S3/30 , H04B10/516 , H04B10/50
Abstract: 本发明涉及光纤通信与微波光子学技术领域，现有的可调谐双通带微波光子滤波器通带稳定性差，不能满足实际的应用需求；本发明提供一种布里渊光纤激光窄带可调双通带微波光子滤波器，通过可调谐激光源与强度调制器生成双音泵浦光激发布里渊，结合布里渊光纤振荡器和级联法布里‑珀罗腔，将布里渊增益谱压窄至kHz量级，同时利用两个环形腔不同的周期共振频率，有效抑制边模，滤出所需的频带信号；此外，通过改变泵浦光波长同步地调谐滤波器两个通带的中心频率，同时控制信号发生器的输出频率来改变两个通带之间的频率间隔，最终实现窄线宽可调谐双通带微波光子滤波器。
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公开(公告)号：CN115267974A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210998053.1
申请日：2022-08-19
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及微波光子信号处理领域，公开了一种基于布里渊光纤激光器的窄带可调谐微波光子滤波器，窄线宽连续波光纤激光器Ⅰ依次连接偏振控制器Ⅰ、相位调制器、环形腔Ⅰ；窄线宽连续波光纤激光器Ⅱ依次连接偏振控制器Ⅱ、掺铒光纤放大器、环形腔Ⅰ，环形腔Ⅰ连接光电探测器、矢量网络分析仪、相位调制器。本发明提出将窄线宽双环布里渊激光器与微波光子滤波结构设计相结合，利用布里渊光纤激光器有效压窄受激布里渊散射增益谱的特性来实现窄带滤波，解决现有微波光子滤波器实现亚kHz量级单通带滤波技术难题，此外，采用双波长结构，分别提供调制光与布里渊泵浦光，通过改变调制光波长调谐滤波器通带中心频率，最终实现窄带可调谐微波光子滤波器。
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公开(公告)号：CN114941128A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210621350.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了基于纳米类金刚石薄膜的直立石墨烯复合物制备方法，涉及直立石墨烯复合物制备技术领域，包括以下步骤：a，通过磁控溅射将金属催化剂均匀溅射在基底表面；b，将步骤a制备的溅射有金属催化剂薄膜的基底置于含碳气体环境中，制得纳米类金刚石薄膜；c，将步骤b制得的沉积纳米类金刚石薄膜的基底，置于氢气环境下，缓慢升温，随后维持使纳米类金刚石石墨化，得到基于纳米类金刚石薄膜的直立石墨烯复合物薄膜。通过产物扫描电镜照片，直立石墨烯生长在纳米类金刚石薄膜表面，有效提升与基底的附着力，适用于一些特殊功能器件，解决了形成的直立石墨烯层微观上底部有较多无定形碳影响材料质量和性能等问题。
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公开(公告)号：CN119726323A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411801732.0
申请日：2024-12-09
Applicant: 中北大学
IPC: H01S3/067 , H01S3/094 , H01S3/08031 , H01S3/1112
Abstract: 本发明属于微波光子及光通信技术领域，具体为单模光纤扭转径向模式游标效应下的全光微波振荡器，其包括自激掺铒光纤放大器、可调谐光学滤波器、隔离器、第一偏振控制器、第二偏振控制器、第三偏振控制器、第一单模光纤、第二单模光纤、偏振器、第一分光耦合器、第二分光耦合器、第三分光耦合器、光谱仪、光电探测器和频谱分析仪。本发明利用非线性偏振旋转（NPR）技术实现了基于扭转径向模式的无源锁模，并通过无源本征谐振腔将线宽压窄至赫兹量级，基于双环游标效应有效抑制边模，打破了常规无法产生高性能扭转径向模式全光微波振荡信号的限制，具备独特创新优势，最终实现了高边模抑制比的扭转径向模式单纵模振荡信号输出。
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公开(公告)号：CN117989940A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410278397.4
申请日：2024-03-12
Applicant: 中北大学
IPC: F42B35/02
Abstract: 本发明涉及类似线性尺寸的计量或角度的计量技术领域，尤其涉及基于位置敏感探测器的行进间炮口偏移测量装置及方法，解决了现有静态测量炮口偏移量的装置误差大且无法测量行进间的炮口偏移量的技术问题；其包括第一激光器、第二激光器、第一PSD、第二PSD、信号处理装置、信号采集装置和计算机，第一、二PSD对称安装至炮口的两侧，第一、二激光器安装至炮尾的两侧，第一激光器的激光入射至第一PSD，第二激光器的激光入射至第二PSD，第一PSD和第二PSD的信号输出端依次经过所述信号处理装置和所述信号采集装置再与所述计算机的信号输入端相连。其能够在往复运动过程中实现行进间炮口平动和转动的实时精确测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114941128B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210621350.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了基于纳米类金刚石薄膜的直立石墨烯复合物制备方法，涉及直立石墨烯复合物制备技术领域，包括以下步骤：a，通过磁控溅射将金属催化剂均匀溅射在基底表面；b，将步骤a制备的溅射有金属催化剂薄膜的基底置于含碳气体环境中，制得纳米类金刚石薄膜；c，将步骤b制得的沉积纳米类金刚石薄膜的基底，置于氢气环境下，缓慢升温，随后维持使纳米类金刚石石墨化，得到基于纳米类金刚石薄膜的直立石墨烯复合物薄膜。通过产物扫描电镜照片，直立石墨烯生长在纳米类金刚石薄膜表面，有效提升与基底的附着力，适用于一些特殊功能器件，解决了形成的直立石墨烯层微观上底部有较多无定形碳影响材料质量和性能等问题。
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公开(公告)号：CN116887662B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311139761.0
申请日：2023-09-06
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/30 , H10N30/853 , H10N30/01 , G01H11/08 , G01R29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于传动梁结构的硅基铌酸锂压电振动传感器及制备方法。所述传感器包括Si基底，Si基底表面生长一层SiO2薄膜后与LiNbO3晶片键合后构成Si‑LiNbO3键合片；Si‑LiNbO3键合片经MEMS工艺形成基底边框、中心质量块及四条悬臂传动梁；悬臂传动梁由呈垂直布置的宽梁和窄梁构成，宽梁端部与中心质量块的侧面连接，窄梁端部与基底边框的侧面连接；四条悬臂传动梁规则布置于基底边框和中心质量块之间。本发明设计合理，由于铌酸锂在高温环境下可以保持很好的压电特性，这对于极端环境下的振动信号监测具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116171095B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310436129.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/045 , H10N30/853 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS制备工艺，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法，在铌酸锂单晶表面进行离子注入后溅射一层金属，将其与具有二氧化硅绝缘层的铌酸锂衬底直接键合，接着在退火后剥离损伤层得到单晶铌酸锂薄膜，并利用减薄、抛光等工艺制备光学级的铌酸锂薄膜，最后在制备好的单晶铌酸锂薄膜表面利用Single Frequency PFM模式，将针尖输出电压改为交流电压后在Litho模式下实现纳米电畴的精准调控。本发明基于铌酸锂畴壁倾角单一特性，利用PFM输出交流电压调控纳米级畴结构设计方法，有效解决传统纳米级电畴在制备时出现难调控、不易保持以及高密度畴壁无法精准调控等问题。
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公开(公告)号：CN116230811A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310478329.8
申请日：2023-04-28
Applicant: 中北大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/113 , B82Y40/00 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/14
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于铁电半导体材料的光电响应突触器件制备方法，通过机械剥离制备二维α‑In2Se3纳米片，采用光刻工艺在重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面进行对准标记并完成金属电极的溅射，使用剥离工艺，实现金属电极图形化。将二维α‑In2Se3纳米片转移到重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面极间缝隙处，采用湿法转移石墨烯覆盖于α‑In2Se3纳米片表面，最后使用ALD在器件表面生成Al2O3薄膜层完成封装。本发明提供的基于铁电半导体材料的光电响应突触器件通过光刺激对载流子调节实现α‑In2Se3沟道层的电导控制，制得的器件具有低功耗、低延时、结构简单和感存算一体等优点。
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公开(公告)号：CN119764986A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411801739.2
申请日：2024-12-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于微波光子及光通信技术领域，具体为一种基于前向布里渊散射的可调谐窄线宽微波光子振荡器，解决了现有的微波光子产生方法存在结构复杂、可调谐性差以及线宽满足不了要求的技术问题，该结构中，掺铒光纤放大器通过滤波器连接至第一光纤耦合器，第一光纤耦合器两个输出端分别连接至第三光纤耦合器和第二光纤耦合器，第二光纤耦合器的两个输出端分别连接至光谱仪以及依次连接有光电探测器和频谱仪；第三光纤耦合器两个输出端分别依次通过第一偏振控制器和第一单模光纤连接至第四光纤耦合器的输入端c以及通过第二偏振控制器和第二单模光纤连接至第四光纤耦合器的输入端b，第四光纤耦合器通过第三偏振控制器连接至掺铒光纤放大器。
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