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公开(公告)号：CN118676036B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411160490.1
申请日：2024-08-22
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种硅的高均匀性湿法腐蚀装置及方法，属于半导体芯片制造技术领域，所述装置包括水浴锅，所述水浴锅内设有烧杯，所述烧杯内设有用于夹持硅片的聚四氟乙烯材料制作的夹具，所述夹具包括夹持件，所述夹持件包括通过螺栓连接的上夹持件和下夹持件，所述上夹持件的顶端设有上螺杆，所述夹持件的底部设有过滤板，下夹持件与过滤板之间通过中螺杆连接，过滤板的底部设有下螺杆。通过该装置及方法，能够提升湿法腐蚀均匀性、改善湿法腐蚀形貌，通过缓解腐蚀液流速，加速生成沉淀物和气体溢出，达到提高整片晶圆深硅腐蚀均匀性同时改善形貌的效果。
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公开(公告)号：CN118387830A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410289597.X
申请日：2024-03-14
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于量子传感相关的微型原子气室领域，具体涉及一种制备实现六面通光的微型原子气室的方法；包括清洗5片晶圆；通道层玻璃晶圆打孔、抛光；第一次连接层硅晶圆阳极键合；第一次连接层硅晶圆光刻；第一次连接层硅晶圆深硅刻蚀；第二次连接层硅晶圆阳极键合；第二次连接层硅晶圆光刻；第二次连接层硅晶圆深硅刻蚀；第一次盖板玻璃晶圆阳极键合；通道层玻璃晶圆的方形通孔内注入碱金属；第二次盖板玻璃晶圆阳极键合；晶圆切割；切割面抛光；采用MEMS工艺制作出完全规则的六面通光的正方体结构，每一个气室尺寸都保持一致，与传统工艺实现的玻璃气室相比，具备更稳定的热传导通道，参数更稳定。
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公开(公告)号：CN112919405B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110108281.2
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明属于射频微电子机械系统封装技术领域，具体涉及一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，包括下列步骤：提供一未释放牺牲层的RF MEMS开关晶圆，在衬底上完成信号线和悬臂梁的结构的制作；对晶圆进行第一次匀胶、光刻、显影工艺；在晶圆上沉积一层薄膜；对晶圆进行第二次匀胶、光刻工艺，并留出释放孔位置；对释放孔位置进行刻蚀工艺；进行氧气等离子体工艺；再次沉积一层薄膜。本发明通过在未释放晶圆上，通过两次匀胶、两次光刻、两次镀膜工艺实现开关的原位薄膜封装工艺，并且本发明采用氩气等离子实现释放孔的刻蚀，采用氧等离子体实现牺牲层的释放，能够保证开关的射频性能，同时提高开关的工作可靠性。本发明用于RF MEMS开关的原位薄膜封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117388772A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311224447.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 中北大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/12
Abstract: 一种用于原子磁强计的超表面集成反射型气室，属于原子磁强计技术领域，可解决现有原子磁强计的信号强度低，集成度低的问题，包括玻璃套筒，所述玻璃套筒内部填充有硅，玻璃套筒的外侧表面一端设有超表面，另一端设有光电探测器，超表面的上方设有四分之一波片，四分之一波片的上方设有激光器，玻璃套筒的两端套设有亥姆霍兹线圈。本发明的超表面可以实现湿法腐蚀长光学长度原子气室所需的19.48°的特殊偏转角，所提出的超表面在实现较大偏转角度的同时保持较高的效率。
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公开(公告)号：CN117354975A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311224413.3
申请日：2023-09-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于CPT原子钟的VCSEL加热和温度检测装置，属于原子钟技术领域，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有感温区和加热区，所述感温区位于陶瓷基板的中心，加热区位于感温区的两侧，所述感温区包括呈几字型布置的铂薄膜金属线，加热区包括呈蛇形布置的铜薄膜金属线，感温区的中心设有垂直腔面发射激光器。本发明通过将感温区和加热区集成在一个陶瓷基底上，通过感温区的电流控制输入给加热区的电流，从而维持原子钟的温度恒定。相较于传统NTC热敏电阻的方式减少了体积，满足了CPT原子钟体积的微型化、功耗低的基本要求，供热速度快，同时，使物理封装更加便捷。
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公开(公告)号：CN113394059B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202110502070.7
申请日：2021-05-08
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明涉及一种基于RF MEMS开关的多刀多掷开关，包括：衬底；设置在衬底上且级联的两个MEMS单刀多掷开关；MEMS单刀多掷开关包括若干信号线、地线、若干上电极、若干驱动电极、功分器和若干空气桥。该多刀多掷开关通过将两个MEMS单刀多掷开关级联，不仅可以减小器件的插入损耗，提高了器件的隔离度，减小了器件的尺寸，扩宽了器件的工作频率，而且可以实现多通道信号的选通功能。
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公开(公告)号：CN113394059A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110502070.7
申请日：2021-05-08
Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明涉及一种基于RF MEMS开关的多刀多掷开关，包括：衬底；设置在衬底上且级联的两个MEMS单刀多掷开关；MEMS单刀多掷开关包括若干信号线、地线、若干上电极、若干驱动电极、功分器和若干空气桥。该多刀多掷开关通过将两个MEMS单刀多掷开关级联，不仅可以减小器件的插入损耗，提高了器件的隔离度，减小了器件的尺寸，扩宽了器件的工作频率，而且可以实现多通道信号的选通功能。
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公开(公告)号：CN113381139A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110426812.2
申请日：2021-04-20
Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院
Abstract: 本发明涉及一种K～D波段宽频射频MEMS开关，包括：衬底(1)、地线(2)、信号线(3)、上电极组件(4)、至少两个驱动电极(5)、至少两条驱动引线(6)和至少两个空气桥组件(7)，其中，所述信号线(3)为渐变型信号线，所述渐变型信号线的中间段信号线的宽度小于两端信号线的宽度。该开关由地线和信号线共同形成渐变型微波传输线结构，可以有效提高开关工作带宽，降低插入损耗，提高隔离度，使得开关在18GHz～184GHz的范围内，有着优越的射频性能，提高了开关的微波性能。
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