公开(公告)号：CN113394059A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110502070.7

申请日：2021-05-08

Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院

Inventor： 吴倩楠 ,  张世义 ,  王姗姗 ,  余建刚 ,  李孟委

IPC: H01H59/00

Abstract: 本发明涉及一种基于RF MEMS开关的多刀多掷开关，包括：衬底；设置在衬底上且级联的两个MEMS单刀多掷开关；MEMS单刀多掷开关包括若干信号线、地线、若干上电极、若干驱动电极、功分器和若干空气桥。该多刀多掷开关通过将两个MEMS单刀多掷开关级联，不仅可以减小器件的插入损耗，提高了器件的隔离度，减小了器件的尺寸，扩宽了器件的工作频率，而且可以实现多通道信号的选通功能。

公开(公告)号：CN114291784A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202110814293.7

申请日：2021-07-19

Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院 ,  中北大学

Inventor： 王俊强 ,  张世义 ,  吴倩楠 ,  余建刚 ,  李孟委

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法，包括步骤：S1、获取晶圆；S2、在晶圆的表面沉积牺牲层，牺牲层的材料包括半导体材料；S3、刻蚀牺牲层，在共面波导上形成通孔；S4、在通孔中电镀锚点材料，形成初始锚点；S5、对牺牲层和初始锚点进行抛光处理，形成目标锚点，目标锚点的表面与牺牲层表面平齐；S6、在牺牲层表面电镀上电极，使得上电极与目标锚点接触；S7、释放牺牲层，形成MEMS开关的悬臂梁。该制备方法将大马士革工艺引入到牺牲层的制备过程中，有效改善了MEMS牺牲层的平整度，提高了牺牲层的稳定性，降低了牺牲层的释放时间，提高了生产效率，适用于MEMS开关的量产工作。

公开(公告)号：CN111517275A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010385823.6

申请日：2020-05-09

Applicant: 中北大学 ,  中北大学南通智能光机电研究院

Inventor： 王俊强 ,  张世义

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明属于牺牲层的制备方法技术领域，具体涉及一种实用化射频MEMS开关双层牺牲层的制备方法，包括下列步骤：准备晶圆；旋涂聚酰亚胺，平流并预固化；刻蚀开关锚点通孔，固化聚酰亚胺；旋涂AZ5214光刻胶；光刻、显影，保留下聚酰亚胺下凹处的AZ5214光刻胶，作为第二层牺牲层；溅射种子层；以AZ4620光刻胶作掩模，电镀开关上电极；释放牺牲层得到开关。本发明射频MEMS开关通过旋涂双层牺牲层获得了较好平整度，提升了射频MEMS开关的成品率和寿命，且射频MEMS开关的微波性能良好，接触灵敏，可应用于各类射频开关场景中。本发明用于射频MEMS开关牺牲层的制备。