公开(公告)号：CN117355632A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280037854.X

申请日：2022-05-30

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 千叶洋一

IPC: C23C16/40

Abstract: 本发明提供一种生产率优异、且能够在耐热性低的基材的凹凸表面形成平坦性优异的平坦化膜的平坦化膜的制造方法、平坦化膜用材料以及平坦化膜。平坦化膜2的制造方法为：在具有凹凸表面11的基材1上，通过PECVD法由平坦化膜用材料形成将凹凸表面11平坦化的平坦化膜2的制造方法；平坦化膜用材料包含氧化剂和不饱和脂肪族烃基与Si原子键合的有机硅烷化合物；平坦化膜2的形成通过依次或同时进行源自平坦化膜用材料的未固化膜在基材1上的形成和固化来进行，未固化膜的形成和固化均是通过被等离子体激发的化学反应来进行的。

公开(公告)号：CN104903337A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380069822.9

申请日：2013-12-06

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 多田贤一 ,  山本俊树 ,  尾池浩幸 ,  摩庭笃 ,  千叶洋一 ,  岩永宏平 ,  河野和久

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/28568 ,  C07F7/02 ,  C07F15/0046 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871

Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数)。

公开(公告)号：CN102264754A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152740.4

申请日：2009-12-21

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 古川泰志 ,  大岛宪昭 ,  河野和久 ,  千叶洋一

IPC: C07F17/02 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C07F17/02 ,  B01J31/2295 ,  C07F15/0046 ,  C23C16/18 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌，即使该化合物含有类似化合物时也可由其制造含钌薄膜；制造该含钌化合物的方法；使用所述化合物制造含钌薄膜的方法；以及含钌薄膜。从含有所述类似化合物的(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌分离出该类似化合物，由此得到所述(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌，其中该类似化合物的含量为5重量％以下。该含钌化合物用作制备薄膜的原料。

公开(公告)号：CN101304964A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680041647.2

申请日：2006-11-01

Applicant: 东曹株式会社 ,  财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 多田贤一 ,  稻叶孝一郎 ,  古川泰志 ,  千叶洋一 ,  山川哲 ,  大岛宪昭

IPC: C07C211/65 ,  C23C16/34 ,  C07F7/28

CPC classification number: C23C16/18 ,  C07C211/65 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405

Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1－6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1－3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1－4个碳原子的烷基或类似物)。