公开(公告)号：CN102931056B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201210391650.4

申请日：2010-07-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤直行 ,  长山将之 ,  长久保启一

IPC: H01L21/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C8/36 ,  C23C8/80 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/56 ,  H01J2237/31

Abstract: 本发明提供表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置。该表面处理方法是表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于，具有：准备表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的工序；在氧等离子体中加热上述破碎层，使部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的工序；和对进行了上述SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理将其溶析而除去的工序，通过将由上述破碎层构成的部件表面改性为致密层，使在将上述部件应用于等离子体处理装置时从上述部件表面释放出的粒子数减少。

公开(公告)号：CN102931056A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210391650.4

申请日：2010-07-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤直行 ,  长山将之 ,  长久保启一

IPC: H01L21/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C8/36 ,  C23C8/80 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/56 ,  H01J2237/31

Abstract: 本发明提供表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置。该表面处理方法是表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于，具有：准备表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的工序；在氧等离子体中加热上述破碎层，使部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的工序；和对进行了上述SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理将其溶析而除去的工序，通过将由上述破碎层构成的部件表面改性为致密层，使在将上述部件应用于等离子体处理装置时从上述部件表面释放出的粒子数减少。

公开(公告)号：CN101950721B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201010226907.1

申请日：2010-07-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤直行 ,  长山将之 ,  长久保启一

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/324 ,  H01L21/263

CPC classification number: C23C8/36 ,  C23C8/80 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/56 ,  H01J2237/31

Abstract: 本发明提供能够容易地消除形成在部件表面特别是台阶部的破碎层的表面处理方法。对表面具有破碎层25h的由碳化硅形成的聚焦环25，向表面照射电子束45，或使用等离子体喷枪50加热表面，或将其收容于退火处理装置60进行加热，从而将聚焦环25的表面加热到碳化硅的重结晶温度，例如1100℃～1300℃，使该部分的碳化硅重结晶从而改性为致密层，使当将聚焦环25应用于等离子体处理装置10时的从聚焦环25的表面释放出的粒子数减少。

公开(公告)号：CN101920256B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201010203984.5

申请日：2010-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  佐藤直行 ,  长久保启一 ,  永关一也

IPC: B09B3/00

CPC classification number: H01L21/465 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4418 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供能够消除浪费的等离子体处理装置用的消耗部件的再利用方法。通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(41)，加工碳化硅块(41)制造聚焦环(25)，在将所制造的聚焦环(25)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数，对在等离子体蚀刻处理中消耗的聚焦环(25’)的表面进行酸清洗，向被清洗的聚焦环(25)的表面通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(42)，加工碳化硅块(42)再制造聚焦环(25”)，在将再制造的聚焦环(25”)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数。

公开(公告)号：CN101920256A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010203984.5

申请日：2010-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  佐藤直行 ,  长久保启一 ,  永关一也

IPC: B09B3/00

CPC classification number: H01L21/465 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4418 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供能够消除浪费的等离子体处理装置用的消耗部件的再利用方法。通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(41)，加工碳化硅块(41)制造聚焦环(25)，在将所制造的聚焦环(25)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数，对在等离子体蚀刻处理中消耗的聚焦环(25’)的表面进行酸清洗，向被清洗的聚焦环(25)的表面通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(42)，加工碳化硅块(42)再制造聚焦环(25”)，在将再制造的聚焦环(25”)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数。

公开(公告)号：CN3348515D

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03310585.5

申请日：2003-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 长久保启一 ,  伊藤淳 ,  根津崇明

Abstract: 本外观设计产品主要用于半导体晶片的

公开(公告)号：CN302043993S

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201230082544.9

申请日：2012-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 长久保启一

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：电极件（等离子设备用）；2．本外观设计产品的用途：在等离子加工设备的室中使用，其国际外观设计分类号为15-09；3．本外观设计的设计要点：产品的形状；4．最能表明设计要点的图片或者照片：立体图；5．后视图与主视图相同，故省略后视图；左视图与右视图相同，故省略左视图。

公开(公告)号：CN3361817D

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03342355.5

申请日：2003-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 长久保启一 ,  伊藤淳 ,  根津崇明

Abstract: 左视图与右视图对称，故省略左视图。

公开(公告)号：CN302043994S

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201230082549.1

申请日：2012-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 桑原有生 ,  长久保启一

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：电极板（等离子设备用）；2．本外观设计产品的用途：用于将气体导入在等离子加工设备的室中；3．本外观设计的设计要点：产品的形状；4．最能表明设计要点的图片或者照片：立体图；5．后视图与主视图相同，故省略后视图；左视图与右视图相同，故省略左视图。

公开(公告)号：CN3514871D

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200530015559.3

申请日：2005-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 长久保启一 ,  佐藤大树

Abstract: 1.左视图与右视图对称，省略左视图。