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公开(公告)号：CN100539000C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510127554.9
申请日：2005-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113764307A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110585260.X
申请日：2021-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种捕集装置和基板处理装置，能够高效地捕获排出气体中包含的对象物。捕集装置具有：筒状的壳体，其具有供经由排气管排出的排出气体流通的流路；板状的第一捕集构件，其以在从沿着壳体的中心轴的方向观察时遮蔽流路的中央部的方式配置于壳体内；以及板状的第二捕集构件，其以在沿着壳体的中心轴的方向上与第一捕集构件隔开间隔的方式配置于壳体内，所述第二捕集构件在与第一捕集构件对应的位置具有开口。
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公开(公告)号：CN1783430A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510127554.9
申请日：2005-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。
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公开(公告)号：CN3361817D
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03342355.5
申请日：2003-05-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 左视图与右视图对称，故省略左视图。
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公开(公告)号：CN3348515D
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03310585.5
申请日：2003-05-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本外观设计产品主要用于半导体晶片的
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公开(公告)号：CN3347223D
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03342354.7
申请日：2003-05-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 左视图与右视图对称，省略左视图。
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