公开(公告)号：CN100380605C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200380104293.8

申请日：2003-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 兴石公 ,  广瀬润 ,  小笠原正宏 ,  平野太一 ,  佐佐木宽充 ,  吉田哲雄 ,  斋藤道茂 ,  石原博之 ,  大薮淳 ,  沼田幸治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32587

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括可以设置成有真空气氛的处理容器(10)。第一上部电极(36)被配置成与配置在处理容器(10)内的被处理基板(W)相面对并成环状。在第一上部电极(36)的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置第二上部电极(38)。第一供电部(50)把来自第一高频电源(52)的第一高频以第一功率值提供给第一上部电极(36)。从第一供电部(50)分出的第二供电部(76)把来自第一高频电源的所述第一高频，以比第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极(38)。

公开(公告)号：CN100337313C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN03807528.8

申请日：2003-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石原博之 ,  荒木阳一 ,  高桥俊树 ,  久保卓也 ,  伊藤淳 ,  小野洋子

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供了一种可提高处理区域内的处理气体排气效率，和可以可靠抑制等离子体泄漏的等离子体处理装置。磁控管式平行平板等离子体处理装置(30)具有处理室容器(3)；处理室容器(3)包括：在其顶部有多个气体导入孔的上部电极(1)；在其下部有顶部带有载置作为被处理体的半导体晶片(W)的载置面的下部电极(2)；和在下部电极(2)的顶部位置上，将处理室容器(3)内部隔离成处理区域(8)和排气区域(9)的隔离板(50)。隔离板(50)具有应将处理区域(8)内的处理气体排出至排气区域(9)的、连通处理区域(8)和排气区域(9)的多个气体通路孔(5a)；同时由非导电性部(5b)构成。在与气体通路孔(5a)相对的气体通路侧面(20b)上配置导电性部件(5c)。在导电性部件(5c)上，由电源(21)加电压(V)，使气体通路侧面(20b)的电位比处理区域面(20a)的电位高。