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公开(公告)号：CN114944347A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210118412.X
申请日：2022-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够抑制接液杯状体内的气氛被污染的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片保持部、液供给部、接液杯状体、排气管线、排液管线和减压部。基片保持部保持基片，液供给部对基片供给处理液。接液杯状体包围由基片保持部保持的基片，并承接被供给到基片的处理液。排气管线与接液杯状体连接，并将接液杯状体内的气氛排出。排液管线与接液杯状体连接，并将接液杯状体内的处理液排出。减压部对排液管线内进行减压以使得排液管线内的压力低于接液杯状体内的压力。
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公开(公告)号：CN101609791B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910150550.0
申请日：2009-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板清洗装置、基板清洗方法以及存储介质，具体而言，提供一种能够用海绵状刷子有效地除去附着在至少基板端面上的附着物的基板清洗装置。基板清洗装置(1)包括：旋转卡盘(3)，其以能够旋转的方式保持基板(W)；马达(4)，其旋转被保持在旋转卡盘(3)上的基板(W)；清洗液供给机构(10)，其向被保持在旋转卡盘(3)上的基板(W)供给清洗液；以及清洗机构。清洗机构具有在清洗时与基板(W)的至少端面相接触的由海绵状树脂形成的刷子(21)，以及压缩刷子(21)的刷子压缩机构(23a，23b，24)。刷子(21)呈被压缩机构(23a，23b，24)压缩的状态，并至少清洗基板(W)的端面。
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公开(公告)号：CN101253604B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200680022348.4
申请日：2006-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/02 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/6708 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提出一种衬底(W)，它用处理液如去离子水进行处理。接着，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第一流体以形成液体膜。接下来，当晶片(W)被旋转时，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第二流体。在此供给操作期间，从衬底(W)的旋转中心(Po)朝外径向移动向衬底(W)供给第二流体的供给位置(Sf)。结果，在通过使用第一流体和第二流体干燥衬底(W)后可以防止在衬底(W)上产生颗粒。
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公开(公告)号：CN100449702C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200580018436.2
申请日：2005-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B1/04 , H01L21/67046
Abstract: 本发明提供一种基板清洁装置和基板清洁方法。使刷子(3)在旋转的同时与基板W接触，并使刷子(3)的清洁位置相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动。通过双流体喷嘴(5)将由液滴和气体组成的处理液喷射到基板W上，使双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动，而刷子(3)的清洁位置Sb从中心部向周边部移动，双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn定位成比刷子(3)的清洁位置Sb更靠近中心P0。由于可以防止刷子上的污染物传递到晶片上，因此能够避免污染晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110060924B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201910202521.8
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN102683245B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210067192.9
申请日：2012-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供液处理装置和液处理方法。能够利用简单的方法形成适合所进行的液处理的处理气氛。在用于在壳体内的处理空间(21)中向被处理基板(W)的表面供给处理液而进行液处理的液处理装置(2)中，旋转保持部(33、341)保持被处理基板并使其绕铅垂轴线旋转，处理液供给喷嘴(35)向旋转的被处理基板的表面供给处理液。第1气体供给部(23)为了形成适合上述液处理的处理气氛而形成在被处理基板的整个表面流动并流入到杯状件(31)中的第1气体的下降流，第2气体供给部(22)在该第1气体的下降流的外侧区域中形成与上述第1气体不同的第2气体的下降流。且第1气体供给部和第2气体供给部设在构成上述处理空间的壳体的顶部。
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公开(公告)号：CN102683245A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210067192.9
申请日：2012-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供液处理装置和液处理方法。能够利用简单的方法形成适合所进行的液处理的处理气氛。在用于在壳体内的处理空间(21)中向被处理基板(W)的表面供给处理液而进行液处理的液处理装置(2)中，旋转保持部(33、341)保持被处理基板并使其绕铅垂轴线旋转，处理液供给喷嘴(35)向旋转的被处理基板的表面供给处理液。第1气体供给部(23)为了形成适合上述液处理的处理气氛而形成在被处理基板的整个表面流动并流入到杯状件(31)中的第1气体的下降流，第2气体供给部(22)在该第1气体的下降流的外侧区域中形成与上述第1气体不同的第2气体的下降流。且第1气体供给部和第2气体供给部设在构成上述处理空间的壳体的顶部。
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公开(公告)号：CN101253604A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680022348.4
申请日：2006-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/02 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/6708 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提出一种衬底(W)，它用处理液如去离子水进行处理。接着，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第一流体以形成液体膜。接下来，当晶片(W)被旋转时，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第二流体。在此供给操作期间，从衬底(W)的旋转中心(Po)朝外径向移动向衬底(W)供给第二流体的供给位置(Sf)。结果，在通过使用第一流体和第二流体干燥衬底(W)后可以防止在衬底(W)上产生颗粒。
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公开(公告)号：CN209729872U
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201920567710.0
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种基板处理装置，其在使用处理液对基板进行液体处理后，通过供给挥发性处理液来进行干燥处理，其中，对基板进行加热的基板加热单元在用处理液进行处理的过程中开始向基板的背面供给加热的处理液，由此在供给挥发性处理液之前开始基板的加热，并且在供给挥发性处理液时，向基板的正面供给挥发性处理液的同时向基板的背面供给加热的处理液一定时间，以在基板的表面从挥发性处理液露出之前使基板的表面温度高于露点温度。由此能够防止在基板表面产生水痕而附着微细颗粒的情况。
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