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公开(公告)号：CN1875467A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480032469.8
申请日：2004-11-02
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1703771A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200380101022.7
申请日：2003-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 森田治
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , C23C16/511
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32458
Abstract: 本发明的目的是使电介质板支撑部和金属制容器的损伤降低到最低限并谋求提高等离子体处理效率。在本发明，在电介质板和处理容器的对向区域配置有树脂层，据此，可以抑制因电介质板和金属制处理容器之间的热膨胀率差产生的粒子、损伤，此外，抑制在电介质板的边缘部等的电场边界部上局部放电的发生，提高氧化膜成膜的等离子体处理效率。
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公开(公告)号：CN102867725B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210235937.8
申请日：2012-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种能够改善基板表面处理量的面内均匀性的天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法。该天线具备电介质窗（16）和设置于电介质窗（16）一个表面上的槽板（20）。电介质窗（16）的另一个表面具有：平坦面（146），其被环状的第一凹部包围；和第二凹部（153），其以包围平坦面（146）的重心位置的方式在平坦面（146）内形成多个。当从与槽板的主表面垂直的方向观看时，各个第二凹部（153）的重心位置重叠位于槽板（20）中的各个槽（133）内。
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公开(公告)号：CN102867725A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210235937.8
申请日：2012-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种能够改善基板表面处理量的面内均匀性的天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法。该天线具备电介质窗（16）和设置于电介质窗（16）一个表面上的槽板（20）。电介质窗（16）的另一个表面具有：平坦面（146），其被环状的第一凹部包围；和第二凹部（153），其以包围平坦面（146）的重心位置的方式在平坦面（146）内形成多个。当从与槽板的主表面垂直的方向观看时，各个第二凹部（153）的重心位置重叠位于槽板（20）中的各个槽（133）内。
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公开(公告)号：CN100492600C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200480032469.8
申请日：2004-11-02
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。
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公开(公告)号：CN300770458D
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200730147467.X
申请日：2007-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.本产品是透明的；
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