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公开(公告)号：CN104851771A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510086922.3
申请日：2015-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/45536 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32779
Abstract: 本发明可将基板上的每个位置通过等离子体区域的时间不均抑制得较低，并且可提高所产生的等离子体的均匀性。本发明所揭示的基板处理装置(10)包括：载置台(14)，能够以轴线(X)为中心旋转地设置；气体供给部，对通过载置台(14)的旋转而基板(W)依序通过的区域供给气体；及等离子体产生部(22)，产生所供给的气体的等离子体；且等离子体产生部(22)包括：天线(22a)，辐射微波；及同轴波导管(22b)，将微波供给至天线(22a)；且在构成从沿着轴线(X)的方向观察天线(22a)的情况下的截面形状的线段包含随着从轴线(X)离开而相互远离的2个线段，同轴波导管(22b)将微波从天线(22a)的重心供给至天线(22a)。
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公开(公告)号：CN116544091A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310057808.2
申请日：2023-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在批量式的等离子体处理装置中更精密地对基板进行等离子体处理。所述等离子体处理装置具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；以及处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述基板进行加热的加热部，其中，所述基板保持部具有由电介体形成的多个载置台、以及埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电极层。
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公开(公告)号：CN114823263A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210014555.6
申请日：2022-01-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够兼顾旋转臂的旋转机构向真空处理容器的中央部的设置和排气路径的简单化的基板处理装置。基板处理装置具有真空处理容器和旋转轴位于真空处理容器的中央部的旋转臂，在旋转臂中，内部为中空的旋转筒构成旋转轴，旋转筒的中空部构成真空处理容器的排气路径。
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公开(公告)号：CN113284784B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110172280.4
申请日：2021-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。期待能够在基板的边缘附近高效地产生等离子体的载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。在一个例示性的实施方式中，提供一种具有载置面的载置台。该载置台的特征在于，载置台具有厚度，包括埋设有高频电极的载置台主体，载置台主体包含陶瓷，高频电极在载置面的外周部下方区域沿上述的厚度的方向延伸。
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公开(公告)号：CN113557797B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202080020699.1
申请日：2020-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。分隔板具有绝缘性，将处理容器的内部分隔为载置被处理体的反应室和生成等离子体的等离子体生成室。此外，分隔板在等离子体生成室侧的面设置第一电极，形成有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所包含的活性种供给到反应室的多个贯通孔。第二电极与第一电极相对地配置在等离子体生成室。在等离子体生成室生成等离子体时，电功率供给部对第一电极和第二电极中的任一者供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112466736B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010893601.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和温度控制方法。在一个例示的实施方式中，等离子体处理装置包括多个微波辐射机构、载置台、下部加热源和上部加热源。多个微波辐射机构设置于处理容器的上部。载置台配置于处理容器内。下部加热源设置于载置台内。上部加热源配置于与载置台相对的位置。根据本发明，能够形成品质优良的膜。
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公开(公告)号：CN107615446B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201680029129.2
申请日：2016-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 处理系统具备1个以上的处理单元(20)。各处理单元(20)具有多个处理腔室(22)和公用模块(30)。各处理腔室(22)使用所供给的处理气体来对被处理体进行处理。公用模块(30)包括对向多个处理腔室(22)分别供给的处理气体的流量进行控制的流量控制部(31)。多个处理腔室(22)在上下方向重叠地配置。公用模块(30)配置于多个处理腔室(22)中的、在上下方向相邻的两个处理腔室(22)之间。
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公开(公告)号：CN111696843A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010149908.4
申请日：2020-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 川上聪
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，抑制将等离子体生成室与处理室分离的分离板的温度上升。等离子体处理装置包括气体供给部、第1电力供给部、分离板以及温度控制构件。气体供给部向等离子体生成室内供给气体。第1电力供给部通过向等离子体生成室内供给第1高频电力，从而使供给到等离子体生成室内的气体等离子体化。分离板为将等离子体生成室与等离子体生成室的下方的处理室分离的板状的分离板，该分离板具有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所含有的活性种向处理室引导的多个贯通口。温度控制构件在内部具有供进行了温度控制的流体流动的流路，通过与流体之间的热交换，从而控制分离板的温度。
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公开(公告)号：CN104851771B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510086922.3
申请日：2015-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/513
Abstract: 本发明可将基板上的每个位置通过等离子体区域的时间不均抑制得较低，并且可提高所产生的等离子体的均匀性。本发明所揭示的基板处理装置(10)包括：载置台(14)，能够以轴线(X)为中心旋转地设置；气体供给部，对通过载置台(14)的旋转而基板(W)依序通过的区域供给气体；及等离子体产生部(22)，产生所供给的气体的等离子体；且等离子体产生部(22)包括：天线(22a)，辐射微波；及同轴波导管(22b)，将微波供给至天线(22a)；且在构成从沿着轴线(X)的方向观察天线(22a)的情况下的截面形状的线段包含随着从轴线(X)离开而相互远离的2个线段，同轴波导管(22b)将微波从天线(22a)的重心供给至天线(22a)。
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公开(公告)号：CN102084023B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200980123383.9
申请日：2009-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3423
Abstract: 在该溅射方法中，将多个细长堆积区域配置成：使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域，并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列；将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成：使得一个细长堆积区域的沿第一方向延伸的边中的一边实质上通过圆形区域的中心；将多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成：使得另一个细长堆积区域的在第二方向上的另一边通过圆形区域的边缘；设定多个细长区域中的每一个的宽度，使得将第二方向上的多个细长区域的多个宽度相加而得到的值等于圆形区域的半径；将多个细长靶配置成面对对应的多个细长区域，以使从多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的多个细长区域；与圆形区域重合地配置晶片；在将通过磁控放电生成的等离子体封闭在靶附近的情况下，使溅射粒子从靶的表面射出；使晶片以通过圆形区域的中心的法线作为旋转中心并以预定转速同轴旋转，从而在晶片表面上堆积膜。
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