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    真空装置、其泄漏率测量方法及测量用程序和存储介质
    11.
    发明公开
    真空装置、其泄漏率测量方法及测量用程序和存储介质 失效

    公开(公告)号：CN1835200A

    公开(公告)日：2006-09-20

    申请号：CN200610008362.0

    申请日：2006-02-21

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 北泽贵 ,  小林敦 ,  手塚一幸

    IPC: H01L21/66 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  G01M3/26 ,  C23F4/00 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00

    Abstract: 本发明提供一种在排气部不使用闸阀的真空装置中，能够准确地测量真空腔室泄漏率的泄漏率测量方法。该方法是对测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括：内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与真空腔室相连接的第一排气泵、连接在第一排气泵排气方向下游的第二阀门，该装置设有从所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道分支出来的、以连通状态与真空腔室相连接的循环通道，在所述第一阀门设定在规定的通导性，所述第二阀门闭合的状态下，由所述第一排气泵通过所述循环通道使气体向所述真空腔室循环，对所述真空腔室内的压力进行监测。

    上部电极和等离子体处理装置
    12.
    发明公开
    上部电极和等离子体处理装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN116779406A

    公开(公告)日：2023-09-19

    申请号：CN202310217330.5

    申请日：2023-03-08

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 山中进矢 ,  北泽贵

    IPC: H01J37/32

    Abstract: 本发明提供能够抑制上部电极的异常放电的上部电极和等离子体处理装置。本发明的上部电极在电容耦合型的等离子体处理装置中构成喷淋头。上部电极包括第一部件、第二部件和第三部件。第一部件由导电体形成。在第一部件形成有第一气孔。第一气孔贯穿第一部件。第二部件由导电体形成。第二部件设置在第一部件之上。在第二部件形成有第二气孔。第三部件由电介质形成。第三部件设置在第一部件与第二部件之间。第三部件形成气体扩散室。第一气孔和第二气孔与气体扩散室连接。

    基板处理装置的基板载置台
    13.
    发明公开
    基板处理装置的基板载置台 无效 复审申请

    公开(公告)号：CN102110632A

    公开(公告)日：2011-06-29

    申请号：CN201010582558.7

    申请日：2010-11-17

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 佐藤彻治 ,  北泽贵 ,  吉村章弘

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/6831

    Abstract: 提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上部平面的用于载置晶片(W)的圆板状的静电卡盘(23)；和配置在静电卡盘(23)的周围，包围晶片(W)，并覆盖基部(41)的上部平面(41b)的外周部的圆环状的聚焦环(25)，静电卡盘(23)呈现具有上部圆板部(23b)与直径比该上部圆板部(23b)大的下部圆板部(23a)的两阶结构，下部圆板部(23a)嵌合在基部(41)的凹部(41a)中，并通过粘接剂层(42)被粘接在凹部(41)的底部平面上，嵌合部由聚焦环(25)覆盖。

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