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公开(公告)号：CN101598908A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910145756.4
申请日：2009-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够防止支承被处理基板的销转印到基板上。所述基板处理装置包括：腔室(106)，收纳被处理基板(G)；减压单元(142)，对腔室(106)内进行减压；多个升降销(128)，被排列在腔室(106)内并从下方支承被处理基板(G)；升降销升降单元(126)，以多个升降销(128)为一组，分别独立升降各组内的升降销(128)；基板温度范围检测单元(133)，将随着减压干燥处理而发生变化的基板(G)的温度划分为规定的温度范围进行检测；升降销温度调整单元(131、132)，对所述组内的每个升降销(128)，将上述销上的与基板(G)的接触部设定为规定温度，上述规定温度包含在由所述基板温度范围检测单元(133)检测出的温度范围中；和控制单元(133)，对升降销升降单元(126)进行驱动控制。
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公开(公告)号：CN100549838C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610111028.8
申请日：2003-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30 , G02F1/1333 , B05B1/00
Abstract: 一种向基片上供应处理液，进行液体处理的液体处理装置，具有一边以大致水平的姿式传送基片一边向上述基片上供应规定的处理液，进行液体处理的液体处理部，具有向基片上喷射干燥气体的气体喷射喷嘴，一边以大致水平的姿式传送上述液体处理部中的处理结束了的基片一边采用上述气体喷射喷嘴向上述基片上喷射干燥气体的干燥处理部，在上述干燥处理部中，为了在上述基片上形成上述处理液的液膜，控制从上述气体喷射喷嘴喷射的干燥气体的流速的喷射量控制装置。
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公开(公告)号：CN1302341C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN03119834.1
申请日：2003-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 一种向基片上供应处理液，进行液体处理的液体处理装置，具有以大致水平的姿式向水平方向传送基片的传送路径，在传送路径上向基片上供应规定的处理液，进行液体处理的液体处理部，具有一个或多个喷射蒸气的蒸气喷射喷嘴、在液体处理部下游一侧的传送路径上向基片上喷出蒸气，将液体从基片上扫出的干燥处理部。根据本发明，可抑制在干燥处理后的基片表面上产生瘢痕、残渣、水印等。
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公开(公告)号：CN1916771A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610111028.8
申请日：2003-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30 , G02F1/1333 , B05B1/00
Abstract: 一种向基片上供应处理液，进行液体处理的液体处理装置，具有一边以大致水平的姿式传送基片一边向上述基片上供应规定的处理液，进行液体处理的液体处理部，具有向基片上喷射干燥气体的气体喷射喷嘴，一边以大致水平的姿式传送上述液体处理部中的处理结束了的基片一边采用上述气体喷射喷嘴向上述基片上喷射干燥气体的干燥处理部，在上述干燥处理部中，为了在上述基片上形成上述处理液的液膜，控制从上述气体喷射喷嘴喷射的干燥气体的流速的喷射量控制装置。
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公开(公告)号：CN1442758A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03119834.1
申请日：2003-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30 , B05B1/00 , G02F1/1333
Abstract: 一种向基片上供应处理液，进行液体处理的液体处理装置，具有以大致水平的姿式向水平方向传送基片的传送路径，在传送路径上向基片上供应规定的处理液，进行液体处理的液体处理部，具有一个或多个喷射蒸气的蒸气喷射喷嘴、在液体处理部下游一侧的传送路径上向基片上喷出蒸气，将液体从基片上扫出的干燥处理部。根据本发明，可抑制在干燥处理后的基片表面上产生瘢痕、残渣、水印等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110875217A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910789299.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种缩短基片处理装置的整体长度的技术。实施方式的基片处理装置包括涂敷线、第一输送部、热处理线和第二输送部。涂敷线在基片上涂敷处理液。第一输送部将基片输送到涂敷线。热处理线与涂敷线并排配置，对涂敷了处理液的基片进行热处理。第二输送部从涂敷线将涂敷了处理液的基片输送到热处理线。第一输送部将进行了热处理的基片从热处理线送出。
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公开(公告)号：CN106017337A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610132907.2
申请日：2016-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内测定形成于基板的有机膜的膜厚分布的膜厚测定装置和膜厚测定方法。实施方式的膜厚测定装置包括照射部、拍摄部和控制部。照射部将紫外光照射到形成有有机膜的基板上的照射区域。拍摄部对受到紫外光的照射的照射区域进行拍摄。控制部基于由拍摄部拍摄的拍摄图像的亮度分布求取有机膜的膜厚分布。
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公开(公告)号：CN100505155C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710004353.9
申请日：2007-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种即使针对大型的基板也具有优异的安全性并同时提高生产率的基板冷却装置。基板冷却装置(25)具有：滚动搬送机构(5)，作为向一个方向搬送基板(G)的搬送路径；和冷却机构(7)，在壳体(6)内使由滚动搬送机构(5)搬送的基板(G)与冷却介质接触、进行冷却。
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公开(公告)号：CN100474507C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610165602.8
申请日：2006-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种即使是大型的基板，也可以抑制产生基板弯曲或破损等，同时实现使收纳基板的壳体小型化的加热处理装置。加热处理装置(28)具有：作为在一个方向搬送基板(G)的搬送通路的辊搬送机构(5)；围绕搬送通路而设置的壳体(6)；在壳体(6)内，以接近基板(G)的方式在搬送通路中被搬送的基板(G)的两面侧分别设置的沿着搬送通路的第一和第二面状加热器(71a～71r、72a～72r)。
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公开(公告)号：CN101009210A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710004356.2
申请日：2007-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基板冷却装置，即使针对大型化的基板，也能够提高生产能力，同时能够确实地防止基板的变形和破损。基板冷却装置(25)包括：滚动搬送机构(5)，其为向一个方向搬送加热后的基板(G)的搬送路；和冷却结构(7)，冷却由滚动搬送机构(5)搬送的基板(G)。冷却机构(7)沿滚动搬送机构(5)从搬送方向的上游侧依次配置有预备冷却室(65a)和主冷却室(65b)，在预备冷却部(65a)冷却加热后的基板(G)，粗略除去基板(G)的热量，然后在主冷却部(65b)将该基板(G)冷却至规定的温度。
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