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公开(公告)号：CN112951698A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011335819.5
申请日：2020-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明中公开的等离子体处理方法包括在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第1期间的第2期间，停止供应源自高频电源的高频电力的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第2期间的第3期间，将负极性的直流电压从偏置电源施加到基板支承器的工序。在第3期间，未供应高频电力。在第3期间，将负极性的直流电压设定为利用二次电子在腔室内生成离子，该二次电子通过使腔室内的离子碰撞基板而释放。
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公开(公告)号：CN112447480A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010855272.5
申请日：2020-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和处理方法。等离子体处理装置包括：载置基片的第一电极；用于生成等离子体的等离子体生成源；对第一电极供给偏置功率的偏置电源；对等离子体生成源供给频率比偏置功率高的生成源功率的生成源电源；和控制偏置电源和生成源电源的控制部，生成源功率具有第一状态和第二状态，控制部进行控制，使得与跟偏置功率的高频的周期同步的信号、或者基准电气状态的一个周期内的相位同步地交替施加第一状态和第二状态，其中基准电气状态表示在偏置功率的供电系统中测量出的电压、电流或者电磁场中任一者，并且，控制部在至少基准电气状态的一个周期内的相位的负侧峰值时将生成源功率控制为关断。本发明能够控制离子能分布。
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公开(公告)号：CN119340187A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411459146.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN119340186A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411459091.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN113345788B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110571547.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113834453A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110655009.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
IPC: G01B15/02 , H01J37/244
Abstract: 本发明提供测量器和求取鞘层的厚度的方法，能够在等离子体处理装置中不安装专用的测量装置，而求取鞘层的厚度。一种公开的测量器包括基片以及设置于基片中或者基片上的发送电路、发送天线、接收天线、接收解调电路和运算器。发送电路生成微波。发送天线将由发送电路生成的微波作为发送波发送。接收天线至少将被基片支承器的上方的等离子体反射的发送波的反射波作为接收波接收。接收解调电路根据接收波生成反映基片与等离子体之间的鞘层的厚度的信号。运算器根据由接收解调电路生成的信号求取鞘层的厚度。
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公开(公告)号：CN111837222A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980017894.6
申请日：2019-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 在本发明示例性实施例的等离子体处理方法中，在第一期间中执行第一等离子体处理，在接着第一期间的第二期间中，执行第二等离子体处理。在第一期间和第二期间内，用于偏压的第一高频功率被连续地供给到下部电极。在第一期间内的第一高频功率的各周期内的第一部分期间内，能够以脉冲状的高频功率来供给用于产生等离子体的第二高频功率。在第二期间内的第一高频功率的各周期内的第二部分期间内，能够以脉冲状的高频功率来供给第二高频功率。
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公开(公告)号：CN111052874A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201980004388.3
申请日：2019-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/3065
Abstract: 例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、高频电源部和修正信号生成部。高频电源部在第一期间输出脉冲状的高频电功率。高频电源部在第一区间之后的一个以上的第二期间输出合成高频电功率。修正信号生成部生成相对于第一期间的反射波监测信号以反相振荡的修正信号。高频电源部使用修正信号来生成合成高频电功率。电源部交替地反复进行第一期间的脉冲状的高频电功率的输出和一个以上的第二期间的合成高频电功率的输出。
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公开(公告)号：CN107535043A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026715.1
申请日：2016-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 等离子体处理装置包括：处理容器；载波组生成部，其生成由分别具有彼此不同的频率的多个载波构成的载波组，其中上述频率属于以规定的中心频率为中心的规定的频带；和使用载波组在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部。
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公开(公告)号：CN107452589A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710327016.7
申请日：2017-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种不扩大离子能的分布地控制离子能、在低压且低等离子体密度的环境下稳定地维持等离子体的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置(10)具有处理容器(12)、载波群生成部(62)以及下部电极(LE)。载波群生成部(62)生成载波群，该载波群在频域中包括频率不同的多个载波，在时域中通过第一峰值部分与绝对值比第一峰值部分的绝对值小的第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示。下部电极(LE)使用载波群来在处理容器(12)内生成等离子体。
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