公开(公告)号：CN114843167A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210078431.4

申请日：2022-01-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山岸幸司 ,  青田雄嗣 ,  永海幸一 ,  石原田幸太

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明能够消除等离子体密度分布的偏倚，改善蚀刻特性。提供一种用于等离子体处理装置的高频电力的滤波电路，该等离子体处理装置具有电极和与所述电极的背面的中心部连接的供电体，通过施加高频电力来生成等离子体，其中，所述滤波电路，设置在设置于所述等离子体处理装置的导电性部件与向所述导电性部件供给直流电力或小于400kHz的频率的电力的电源之间的配线上，且具有串联谐振电路，该串联谐振电路具有与所述配线串联连接的线圈和连接在所述配线与接地之间的电容器，所述线圈的中心轴与所述供电体的中心轴一致。

公开(公告)号：CN112447480A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010855272.5

申请日：2020-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田绅治 ,  青田雄嗣 ,  舆水地盐

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和处理方法。等离子体处理装置包括：载置基片的第一电极；用于生成等离子体的等离子体生成源；对第一电极供给偏置功率的偏置电源；对等离子体生成源供给频率比偏置功率高的生成源功率的生成源电源；和控制偏置电源和生成源电源的控制部，生成源功率具有第一状态和第二状态，控制部进行控制，使得与跟偏置功率的高频的周期同步的信号、或者基准电气状态的一个周期内的相位同步地交替施加第一状态和第二状态，其中基准电气状态表示在偏置功率的供电系统中测量出的电压、电流或者电磁场中任一者，并且，控制部在至少基准电气状态的一个周期内的相位的负侧峰值时将生成源功率控制为关断。本发明能够控制离子能分布。