公开(公告)号：CN114631180A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080073454.5

申请日：2020-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 拉尔斯·利布曼 ,  杰弗里·史密斯 ,  丹尼尔·沙内穆加梅 ,  安东·德维利耶

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括第一电源轨、第一电力输入结构、电路和第一中段轨。该第一电源轨形成在衬底上的第一隔离沟槽内的第一轨开口中。该第一电力输入结构被配置为与半导体器件外部的电源的第一端子连接以从该电源接收电力。该电路在衬底上由第一电源轨与第一电力输入结构之间的层形成。第一中段轨由形成该电路的这些层中的一层或多层形成。第一中段轨被配置为将来自第一电力输入结构的电力输送到第一电源轨，并且第一电源轨将电力提供给该电路以供操作。

公开(公告)号：CN113424307A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080013797.2

申请日：2020-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 姜浩英 ,  拉尔斯·利布曼 ,  安东·德维利耶 ,  杰弗里·史密斯 ,  丹尼尔·沙内穆加梅

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8234

Abstract: 本披露内容的各方面提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：通过从与衬底的第二侧相反的该衬底的第一侧进入，在该衬底上形成虚拟电力轨。进一步地，该方法包括：通过进入该衬底的第一侧，在该衬底上形成晶体管器件和第一布线层。这些虚拟电力轨被定位于该衬底的第一侧的这些晶体管器件的水平下方。然后，该方法包括：通过从与该衬底的第一侧相反的该衬底的第二侧进入，用导电电力轨来替换这些虚拟电力轨。