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公开(公告)号：CN113737270B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202111033321.8
申请日：2021-09-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 沈伟民
Abstract: 本申请提供了一种热场的排气装置，属于热场排气的技术领域，具体包括：排气管，排出通过热场后的气体；排气罩，罩设于排气管的进气端的外部，排气罩的侧壁上设置复数个进气口；导气锥体，固定于排气管内，且位于排气管的出气端，导气锥体的截面积从排气管的进气端至出气端逐渐增大，且导气锥体的外壁与管的排气内侧壁之间存在空隙，供气流经过导气锥体后从排出排气管。通过本申请的处理方案，减少排气管的氧化物沉积，延长更换周期。
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公开(公告)号：CN114892263A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210473460.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置、晶体直径控制方法、系统及存储介质，晶体生长装置包括：直径获取单元、坩埚、导流筒、加热单元、晶体提拉单元、坩埚升降单元、导流筒升降单元和控制单元，控制单元与直径获取单元、加热单元、晶体提拉单元、坩埚升降单元和导流筒升降单元连接，用于根据所述当前晶体直径与预设的目标晶体直径的直径偏差，计算需要调整的液面距偏差，并根据所述液面距偏差调整所述导流筒的位置，以相应改变液面距，从而对所述直径偏差进行修正，其中，所述液面距为所述熔体液面与所述导流筒的距离。根据本发明的晶体生长装置、晶体直径控制方法、系统及存储介质可以及时有效地对晶体直径偏差进行修正，抑制晶体直径变化的波动。
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公开(公告)号：CN112680788B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910990351.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒内壁底部开设有凹槽，以使所述导流筒在所述磁场的施加方向上与所述硅晶棒之间的距离大于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN111519241B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201910104706.5
申请日：2019-02-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置，所述装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及热屏装置，所述热屏装置包括导流筒，所述导流筒呈桶状并绕所述硅晶棒四周设置，用以对从所述炉体顶部输入的氩气进行整流并调整所述硅晶棒和所述硅熔体液面之间的热场分布；其中，所述热屏装置还包括在所述导流筒下端内侧设置的调整装置，用以调整所述热屏装置与所述硅晶棒之间的最小距离。根据本发明，通过在导流筒下端内侧设置调整装置，在不改变导流筒形状、位置的情况下调整硅晶棒和与其靠近热屏装置之间的距离，提升了晶体生长速度和质量。
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公开(公告)号：CN113737270A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111033321.8
申请日：2021-09-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 沈伟民
Abstract: 本申请提供了一种热场的排气装置，属于热场排气的技术领域，具体包括：排气管，排出通过热场后的气体；排气罩，罩设于排气管的进气端的外部，排气罩的侧壁上设置复数个进气口；导气锥体，固定于排气管内，且位于排气管的出气端，导气锥体的截面积从排气管的进气端至出气端逐渐增大，且导气锥体的外壁与管的排气内侧壁之间存在空隙，供气流经过导气锥体后从排出排气管。通过本申请的处理方案，减少排气管的氧化物沉积，延长更换周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112095143B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910527727.8
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加磁场；其中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体液面之间的距离小于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布的均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN113046833A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911381171.2
申请日：2019-12-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：坩埚，用以容纳硅熔体；和水平磁场施加装置，用以产生水平磁场；其中，所述水平磁场施加装置包括位于所述坩埚的相对的两侧的至少两个单线圈超导磁体，每一个所述单线圈超导磁体包括沿着所述水平磁场的方向绕制的线圈，以使所述单线圈超导磁体产生串联的所述水平磁场水平穿过所述坩埚内的硅熔体。根据本发明的半导体晶体生长装置，使单线圈超导磁体中线圈产生的水平磁场串联穿过坩埚内的硅熔体，串联的磁场使得磁场发生装置有较小的磁漏，提升磁场发生装置的电磁转换效率，减小了半导体晶体生长装置的制造和使用成本。同时，采用本发明，线圈绕制简单，也大大降低了半导体晶体生长装置的制造成本。
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公开(公告)号：CN112921395A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110088626.2
申请日：2021-01-22
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 沈伟民
Abstract: 本发明公开了一种拉晶装置。所述拉晶装置包括导流筒，所述导流筒包括内筒、外筒和设置在所述内筒和所述外筒之间的隔热材料，所述隔热材料包括采用纤维材料绕制形成的筒状固毡，其中，所述纤维的绕制方向靠近垂直于所述内筒侧壁的法线方向，以使所述纤维材料的延伸方向靠近与所述导流筒的内筒侧壁平行的方向。根据本发明的拉晶装置，将用以形成隔热材料的固毡的纤维材料绕制方向设置成靠近垂直于所述内筒侧壁的法线方向，以使所述纤维材料的延伸方向靠近与所述导流筒的内筒侧壁平行的方向，当热量从坩埚或坩埚内的硅熔体通过导流筒侧壁传到内侧时，由于热量的传导方向与纤维材料的延伸方向垂直从而减小了热传导的效率，使得隔热材料的阻热效果达到最大。
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公开(公告)号：CN112481694A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201910860775.9
申请日：2019-09-11
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于晶体生长的反射屏装置，包括:导流筒，配置为调节熔体和晶体之间的温度；其中，所述导流筒包括第一表面，所述第一表面靠近所述熔体表面；所述导流筒还包括第二表面，所述第二表面靠近所述晶体表面；热辐射通道，所述热辐射通道位于所述第一表面和所述第二表面之间，以将所述第一表面的热量传递到所述第二表面。根据本发明提供的用于晶体生长的反射屏装置，在导流筒的第一表面和第二表面之间设置热辐射通道，以控制熔体表面的热辐射传递到晶体外表面的热通量，从而使固液界面变得较为平坦，且晶体固液界面至其轴向一定高度处的平均温度梯度值在晶体中心和边缘范围内变得相同或相近。
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公开(公告)号：CN111621843A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910151553.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶体提拉机构及晶体生长装置，所述晶体提拉机构包括:腔体；晶体提拉单元，所述晶体提拉单元位于所述腔体中，配置为通过提拉晶绳提拉晶体；颗粒捕获单元，所述颗粒捕获单元位于所述腔体中，配置为捕获所述提拉晶绳上吸附的颗粒物。根据本发明提供的晶体提拉机构，通过颗粒捕获单元捕获提拉晶绳上吸附的颗粒物，避免了提拉过程中产生的金属颗粒落入硅熔体，进而避免了生长后的单晶棒中金属元素浓度超出许可范围，提高了产品质量和生产效率。
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