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公开(公告)号：CN110138356B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201910576571.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高频声表面波谐振器及其制备方法，所述高频声表面波谐振器包括：高波速支撑衬底，位于所述高波速支撑衬底上表面的压电膜，及位于所述压电膜上表面的顶电极；其中，所述高波速支撑衬底中传播的体波波速大于所述压电膜中传播的目标弹性波波速。通过本发明提供的高频声表面波谐振器及其制备方法，解决了现有声表面波谐振器的工作频率较低的问题。
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公开(公告)号：CN111883649A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010719062.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/253 , H01L41/312 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L41/08 , H01L41/083
Abstract: 本发明涉及薄膜材料技术领域，特别涉及一种异质衬底上的薄膜结构及其制备方法，包括：提供键合体，键合体包括异质衬底层和键合于异质衬底层上的薄膜材料基板层，薄膜材料基板层中具有缺陷层；获取预设剥离应力，所述预设剥离应力为在第一退火温度时所述薄膜材料基板层中所述缺陷层处的第一最大热应力；在第一退火温度条件下，对键合体进行退火处理，使薄膜材料基板层以预设剥离应力沿缺陷层开始剥离；在剥离过程中，通过调整退火温度控制薄膜材料基板层以预设剥离应力沿缺陷层剥离，至得到异质衬底上的薄膜结构。本发明能够有效降低热应力差异对薄膜剥离厚度的影响，提高异质衬底上薄膜结构的厚度均一性。
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公开(公告)号：CN111883647A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010717300.7
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/253 , H01L41/04 , H01L41/08 , H03H9/02 , H03H9/64
Abstract: 本发明公开了压电薄膜的制备方法、压电薄膜及声表面波滤波器，该方法包括：对压电晶圆进行离子注入剥离，得到表面具有离子注入损伤层的初始压电薄膜；在预设温度范围内，通过氟离子对初始压电薄膜进行低能离子辐照去除所述离子注入损伤层，得到辐照后的压电薄膜；辐照后的压电薄膜的表面具有非晶层，所述非晶层包含所述氟离子与初始压电薄膜在离子辐照过程中进行化学反应得到的成分；使用预设混合溶液去除辐照后的压电薄膜表面的非晶层，得到压电薄膜。本发明能够降低薄膜表面粗糙度和提高薄膜厚度均匀性，同时不在薄膜表面留下非晶层。
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公开(公告)号：CN111880124A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010661706.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/00
Abstract: 本发明涉及磁场探测技术领域，本发明公开了一种高频可调节磁场探测器的制备方法。该探测器的制备方法具体如下，通过对具有二氧化硅介质层的碳化硅薄膜衬底进行图形化，进而得到待键合碳化硅薄膜衬底，并将该待键合碳化硅薄膜衬底与压电薄膜衬底进行键合，对键合后的薄膜衬底进行退火剥离，得到碳化硅-压电薄膜结构，再通过刻蚀掉该碳化硅-压电薄膜内部的部分二氧化硅介质层，之后通过制备叉指电极、低温快退火等工序，得到该磁场探测器。本申请提供的磁场探测器具有频率高和灵敏度高的特点。
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公开(公告)号：CN111865250A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010661703.4
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种POI衬底、高频声波谐振器及其制备方法，该POI衬底的制备方法包括以下步骤：获取重掺杂SiC衬底和压电衬底；对重掺杂SiC衬底进行多次H离子注入，在重掺杂SiC衬底中形成富H层，获得含富H层的重掺杂SiC衬底；其中，每次注入H离子的能量不同；对含富H层的重掺杂SiC衬底进行退火处理；对压电衬底进行离子注入，在压电衬底的设定深度位置形成缺陷层，获得含缺陷层的压电衬底；将含富H层的SiC衬底的注入面和含缺陷层的压电衬底的注入面进行键合，获得键合结构；对键合结构进行退火剥离处理，使得含缺陷层的压电衬底部分被剥离，形成含压电薄膜的键合结构；对含压电薄膜的键合结构进行后退火处理及对压电薄膜进行表面处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834520A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010603852.5
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/312 , H01L41/33 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法，利用键合技术将压电单晶晶片其中注入的一面与支撑材料绑定，其键合温度高于后续退火剥离温度，将得到的键合晶圆在低于键合温度的条件下进行退火处理，一段时间后实现压电薄膜的剥离与转移，然后对转移后的压电薄膜进行后处理，得到薄膜均匀性优化后的晶圆级压电薄膜。相对于现有技术，本发明提出的表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法，利用高温键合工艺使压电衬底与支撑衬底在高温下键合，在低于键合温度的条件下实现衬底间在张应力的条件下实现薄膜的剥离与转移，最终得到薄膜均匀性优化后的晶圆级压电薄膜。
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公开(公告)号：CN110534474A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910828397.6
申请日：2019-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L21/18
Abstract: 本发明提供了一种衬底上薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供包括第一表面和第二表面的薄膜转移衬底；对第一表面进行离子注入并形成注入损伤层；提供包括第三表面和第四表面的支撑衬底；将薄膜转移衬底与支撑衬底键合并形成键合衬底；在水浴、油浴或盐浴中对键合衬底退火,同时采用超声或兆声功率对所述键合衬底进行处理，使键合衬底沿注入损伤层剥离，得到位于支撑衬底上的薄膜。本发明通过采用水浴、油浴或盐浴作为退火介质对键合衬底进行退火，并在退火时采用超声或兆声功率对键合衬底进行处理，使键合衬底在低于预期剥离温度的条件下剥离，减少了离子注入的剂量，优化异质材料键合时的热应力分布，降低了生产成本，提高了薄膜质量及成品率。
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公开(公告)号：CN110391131A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810368167.1
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种异质薄膜复合结构及制备方法，制备包括：提供键合衬底，具有离子注入面；于离子注入面进行离子注入，以在键合衬底的预设深度处形成缺陷层；提供支撑衬底，且具有刻蚀面，自刻蚀面刻蚀支撑衬底，以在支撑衬底上形成凹槽结构；将离子注入面与刻蚀面进行键合；沿缺陷层剥离部分键合衬底，使键合衬底的一部分转移至支撑衬底上，获得表面无泡且低应力异质薄膜复合结构。本发明在支撑衬底上光刻凹槽结构，增加了键合界面处气体与支撑衬底的接触面积，打开了界面气体向外界释放的通道，使界面处产生的气体更好的扩散进支撑衬底或外界环境，得到表面无泡的键合薄膜，也使转移的键合薄膜的应力得到释放，使异质薄膜结构有利于后期器件制备。
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公开(公告)号：CN110223912A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910537310.X
申请日：2019-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/324 , C30B1/02
Abstract: 本发明提供一种含氧单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供含氧化合物衬底；对含氧化合物衬底进行氢离子注入，以于含氧化合物衬底内预设深度形成缺陷层，缺陷层内形成有氢-氧化学键；提供键合衬底，将键合衬底与氢离子注入后的含氧化合物衬底进行键合，以得到异质键合结构；对异质键合结构进行红外照射处理，以使得异质键合结构自缺陷层发生剥离而得到含氧单晶薄膜。本发明的含氧单晶薄膜的制备方法中，采用红外照射对含有氢-氧化学键的缺陷层进行处理，红外会引起氢-氧化学键的振动，可以在异质键合结构具有较低温度状态下实现自缺陷层发生剥离，热应力较小，不会发生异质键合结构解键合的情况，更不会存在异质键合结构碎裂的问题。
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公开(公告)号：CN109678106A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811347796.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法，包括提供碳化硅单晶晶片，通过氢离子注入在碳化硅单晶晶片中形成注入缺陷层并提供碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶晶片或碳化硅单晶薄膜上外延生长4H-SiC单晶薄膜；将所述4H-SiC单晶薄膜与一硅支撑衬底键合，得到包括碳化硅单晶晶片、4H-SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；剥离，得到包括碳化硅单晶薄膜、4H-SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；表面处理以除去碳化硅单晶薄膜，得到包括4H-SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构。本发明的制备方法得到的集成薄膜结构不存在结晶质量差的问题。
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