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公开(公告)号：CN116931378A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210359999.3
申请日：2022-04-06
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种金属薄膜图形的制造方法，包括：在基板表面沉积金属薄膜，在所述金属薄膜上面形成聚合物胶层，在所述聚合物胶层上面形成感光性光刻胶层；对所述感光性光刻胶进行曝光和显影，从而将所述感光性光刻胶图形化，形成第一刻蚀窗口，其中，在使用显影剂对所述感光性光刻胶进行显影时，从所述第一刻蚀窗口中露出的所述聚合物胶层被所述显影剂腐蚀以形成第二刻蚀窗口；以及对从所述第二刻蚀窗口暴露的所述金属薄膜进行刻蚀，以形成金属薄膜图形。根据本申请，使用光刻胶图形做掩膜，在聚合物胶层中形成刻蚀窗口，以该聚合物胶层中的刻蚀窗口作为掩膜，对金属薄膜进行刻蚀，从而形成金属薄膜图形，由此，能够改善金属薄膜侧壁粗糙度。
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公开(公告)号：CN116072521A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111283824.0
申请日：2021-11-01
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于晶圆级封装的共晶键合方法，所述共晶键合方法包括：提供一第一晶圆，于所述第一晶圆上形成第一膜层，所述第一膜层包含第一金属和第二金属，并且所述第一膜层的最表层由所述第一金属构成，所述第一金属与所述第二金属相比具有更强的抗氧化性；提供一第二晶圆，于所述第二晶圆上形成第二膜层，所述第二膜层的表层由所述第一金属构成；使所述第一膜层和所述第二膜层中的所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合，以形成所述第一金属和所述第二金属组成的共晶键合层。本发明可减轻共晶键合工艺中氧化膜的形成，可提高键合结构的质量，并且有利于键合条件和结果的可控性。
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公开(公告)号：CN119409135A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411559296.0
申请日：2024-11-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Inventor： 陈朔
Abstract: 本发明涉及微机电领域，特别涉及一种微机电结构和制备方法，微机电结构包括层叠设置且相互键合的承载层和覆盖层，承载层靠近覆盖层的表面形成有若干键合部，覆盖层覆盖于承载层并通过键合部紧密连接，覆盖层表面形成有多个通孔，通孔用于连通覆盖层两侧，覆盖层包括目标区和若干检测区，且检测区与目标区内通孔的深度一致，覆盖层的检测区可通过机械方法与承载层拆分，和/或检测区形成于微机电结构的非功能区。在结构不影响产品功能的检测区形成深度相同的通孔，并通过破坏性测试获得检测区的通孔的深度，从而判断功能区通孔的刻蚀情况，具有较高的普适性，且不损耗产品，成本较低。
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公开(公告)号：CN118464281A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310102830.4
申请日：2023-02-09
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01L21/12 , B81B7/02 , B81B3/00 , B81C1/00 , C23C28/00 , C23C16/50 , C23C16/42 , C23C14/34 , C23C14/16 , C23C14/18
Abstract: 本发明提供一种微型真空计结构及其制备方法，该结构沿厚度方向依次包括基板及真空度感知薄膜；真空度感知薄膜由下向上依次包括第一介质薄膜、金属薄膜及第二介质薄膜，第一介质薄膜面向空腔的表面设置有两个以上第一凸起结构，以增大气体和真空度感知薄膜的接触面积。通过在第一介质薄膜的表面设置第一凸起结构，可以有效增加真空度感知薄膜的比表面积，使高真空条件下气体分子的传热能力得到大大提高，提高高真空范围的真空度检测灵敏度，同时具有足够的机械强度，使用性能得到保证；另外，相对于现有的微型真空计，本发明可以使用较小的器件体积和较简单的制备工艺达到高真空度范围内的高灵敏度气压检测，并可以降低器件整体的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117446740A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210845396.4
申请日：2022-07-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法，该具有微型加热器的薄膜吸气剂结构包括：在基板的一个主面一侧形成的一个或两个以上热子以及在所述热子表面形成有吸气剂薄膜，其中，所述热子包括：第一绝缘薄膜，在第一绝缘薄膜上表面形成的薄膜电阻，以及覆盖所述薄膜电阻的第二绝缘薄膜，所述薄膜电阻的端部从第二绝缘薄膜露出。所述基板的所述主面一侧具有多孔结构，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分位于所述多孔结构上方，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分通过连接部支撑于所述多孔结构周围的主面。
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公开(公告)号：CN117276186A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210664620.X
申请日：2022-06-13
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体基板中硅通孔的制作方法，包括以下步骤：在所述半导体基板的第一主面上形成电镀电极、电极连线和复数个通孔底部电极；在所述半导体基板的第一主面上形成电学结构；形成从所述半导体基板的第二主面形成贯穿至第一主面的复数个通孔沟槽，每一通孔沟槽与通孔底部电极成对设置，且每一通孔沟槽位于所述半导体基板的第一主面上的端部被相应的通孔底部电极覆盖。通过所述电镀电极、以所述通孔底部电极为种子层，在所述通孔沟槽中自底部向上电镀金属插塞。本发明可以用较简单的工艺及其结构达到现有技术难以实现的电镀效果，从而降低器件整体的成本，降低硅通孔的制造难度乃至整个器件的制造难度。
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公开(公告)号：CN116062680A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111282978.8
申请日：2021-11-01
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种微电子器件气密性封装结构的制造方法，包括步骤：在第一基板的第一主面上形成微电子器件；在第二基板的第一主面上形成吸气结构，包括吸气剂薄膜及热子结构；在第三基板中形成贯穿其第一主面和第二主面的通孔；将第一基板的第一主面与第三基板的第一主面进行气密性基板键合，将第二基板的第一主面与第三基板的第二主面进行气密性基板键合，通孔与第一基板和第二基板组成气密性空腔，微电子器件的主要部分位于气密性空腔中，吸气结构的主要部分与气密性空腔连通。本发明降低了对封装外壳气密性的要求，在对封装外壳进行拆装时不会影响器件内部的气密性，提高了封装效率且便于MEMS器件的后续使用和维护。
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公开(公告)号：CN116062676A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111282960.8
申请日：2021-11-01
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种微电子器件气密性封装结构，包括：第一基板，其第一主面上形成有微电子器件；第二基板，其第一主面上形成有吸气结构，吸气结构包括吸气剂薄膜及用于激活吸气剂薄膜的热子结构；第三基板，其形成有贯穿其第一主面和第二主面的通孔；第一基板的第一主面与第三基板的第一主面气密性接触，第二基板的第一主面与第三基板的第二主面气密性接触，通孔与第一基板和第二基板组成气密性空腔，微电子器件的主要部分位于气密性空腔中，吸气结构的主要部分与气密性空腔连通。本发明降低了对封装外壳气密性的要求，在对封装外壳进行拆装时不会影响器件内部的气密性，提高了封装效率且便于MEMS器件的后续使用和维护。
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公开(公告)号：CN116022720A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111256802.5
申请日：2021-10-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种复合吸气剂薄膜结构，复合吸气剂薄膜结构包括：N个图形吸气剂薄层，N个图形吸气剂薄层中，至少有两个含不同的吸气剂材料的图形吸气剂薄层；图形吸气剂薄层具有在图形吸气剂薄层面内方向延伸的多个连续的孔隙，孔隙在图形吸气剂薄层的侧面具有开口。本发明可以有效增加吸气剂薄膜的比表面积，使其吸气能力和速度得到大大提高。本发明可以在一个复合吸气剂薄膜结构中，导入两种以上的吸气剂材料，可以对应多种气体的吸附，同时节省空间，降低成本。
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