公开(公告)号：CN101604657A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910053503.4

申请日：2009-06-19

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L21/20 ,  H01L21/78

Abstract: 一种制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；将第一离子注入单晶硅支撑衬底中；退火，从而在单晶硅支撑衬底中形成第一绝缘层以及第一单晶硅层；提供第一键合衬底；在第一键合衬底表的表面形成第二单晶硅层；在第二单晶硅层表面形成第二绝缘层；以第二绝缘层远离第一键合衬底的表面以及第一单晶硅层远离单晶硅支撑衬底的表面为键合面，进行键合操作；移除第一键合衬底。本发明的优点在于，采用注入工艺形成第一单晶硅层，从而能够避免边缘碎裂的问题，并且注入工艺可以减少机械抛光和键合的次数，从而提高了材料厚度的均匀性和晶向的对准精度。

公开(公告)号：CN101908472B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201010211441.8

申请日：2010-06-25

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  张正选 ,  邹世昌 ,  陈明 ,  毕大炜 ,  武爱民 ,  王湘 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑衬底键合在一起；实施键合后的退火加固；利用腐蚀自停止层将器件衬底减薄至目标厚度以在绝缘层表面形成器件层。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。

公开(公告)号：CN101707188B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN200910199624.X

申请日：2009-11-27

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王曦 ,  魏星 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  林成鲁

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311

Abstract: 一种采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底以及一键合衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层，所述键合衬底表面具有自停止层，所述自停止层表面具有薄膜半导体层；以薄膜半导体层和绝缘层的暴露表面为键合面将支撑衬底与键合衬底键合；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀键合衬底的第一腐蚀液，将键合衬底腐蚀除去；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀自停止层的第二腐蚀液，将自停止层腐蚀除去。本发明的优点在于，采用旋转腐蚀工艺腐蚀支撑衬底和自停止层，可以避免腐蚀液浸入到自停止层和薄膜半导体层而对薄膜半导体层和绝缘层进行腐蚀，因此能够保证最终产品结构的完整性。

公开(公告)号：CN101692436A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910197073.3

申请日：2009-10-13

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一锗硅层与支撑衬底，所述第一锗硅层具有第一晶向，支撑衬底具有第二晶向；在第一锗硅层中形成生长窗口；在生长窗口侧壁的表面形成侧墙；在生长窗口中外延生长第二锗硅层；抛光第一与第二锗硅层；注入氧离子至半导体衬底中并退火；在第一与第二锗硅层表面生长具有第一应变硅层与第二应变硅层。本发明的优点在于，保证了所有的器件层的下方都有绝缘埋层，以实现器件层和衬底之间的介质隔离。并且能够保持应变硅的应变程度，避免其在后续工艺中由于环境的变化而发生晶格的弛豫，导致应变特性丧失。

公开(公告)号：CN101609800A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910053504.9

申请日：2009-06-19

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02

Abstract: 一种制备混合晶向半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供键合衬底，所述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层；提供第二半导体支撑衬底，所述第二半导体支撑衬底表面具有第二晶面；在第一半导体层或者第二半导体支撑衬底表面形成媒介层，或者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底的表面均形成媒介层；将第二半导体支撑衬底与键合衬底键合；采用选择性腐蚀工艺除去剥离层和腐蚀停止层；对键合后衬底进行退火。本发明的优点在于，利用高温退火消除键合界面的由亲水键合导致的自然氧化层的办法，能够制备出全局混合晶向体硅衬底，并且该全局混合晶向半导体衬底的表面半导体层具有良好的厚度均匀性。

公开(公告)号：CN102130037B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010607936.2

申请日：2010-12-27

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王中党 ,  叶斐 ,  曹共柏 ,  林成鲁 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/48

Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；热处理器件衬底，从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固，使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区域转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。

公开(公告)号：CN101908472A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010211441.8

申请日：2010-06-25

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王湘 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑衬底键合在一起；实施键合后的退火加固；利用腐蚀自停止层将器件衬底减薄至目标厚度以在绝缘层表面形成器件层。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。

公开(公告)号：CN101901780A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010211457.9

申请日：2010-06-25

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王湘 ,  杨建 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种绝缘体上锗硅材料的制备方法，包括如下步骤：提供含有空洞层的衬底；在衬底表面外延生长锗硅层；将改性离子注入在空洞层的位置；退火形成绝缘埋层；在锗硅层表面生长应变硅层。本发明进一步提供了一种绝缘体上应变硅材料的制备方法，包括如下步骤：提供含有空洞层的衬底；在衬底表面外延生长锗硅层；将改性离子注入在空洞层的位置；退火形成绝缘埋层；在锗硅层表面生长应变硅层。本发明的优点在于，采用了含有空洞层的初始衬底作为外延锗硅的支撑衬底，在随后的注氧制备SiGeOI和应变硅材料的过程中，该空洞层能够有效地促进注入的改性离子的聚集形成绝缘层，从而得到高质量的SiGeOI和应变硅材料并降低生产成本。

公开(公告)号：CN101707188A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200910199624.X

申请日：2009-11-27

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王曦 ,  魏星 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  林成鲁

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311

Abstract: 一种采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底以及一键合衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层，所述键合衬底表面具有自停止层，所述自停止层表面具有薄膜半导体层；以薄膜半导体层和绝缘层的暴露表面为键合面将支撑衬底与键合衬底键合；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀键合衬底的第一腐蚀液，将键合衬底腐蚀除去；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀自停止层的第二腐蚀液，将自停止层腐蚀除去。本发明的优点在于，采用旋转腐蚀工艺腐蚀支撑衬底和自停止层，可以避免腐蚀液浸入到自停止层和薄膜半导体层而对薄膜半导体层和绝缘层进行腐蚀，因此能够保证最终产品结构的完整性。

公开(公告)号：CN101604631A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910053505.3

申请日：2009-06-19

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20

Abstract: 一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，包括如下步骤：提供键合衬底，所述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层；提供第二半导体支撑衬底；在第一半导体层或者第二半导体支撑衬底表面形成绝缘埋层，或者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底的表面均形成绝缘埋层；将第二半导体支撑衬底与键合衬底键合；采用选择性腐蚀工艺除去剥离层和腐蚀停止层。本发明的优点在于，利用带有腐蚀停止层的多层结构键合衬底同支撑衬底相键合，以获得混合晶向衬底；由于采用了腐蚀停止层控制减薄工艺，因此该混合晶向衬底顶层半导体厚度均匀。