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公开(公告)号：CN102299093A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110183212.4
申请日：2011-06-30
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/20 , H01L29/06
Abstract: 一种制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供第一衬底与第二衬底；在第一衬底表面外延形成器件层；在第二衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层和器件层为中间层，将第一衬底和第二衬底键合在一起；对键合后的衬底实施第一退火步骤；去除第一衬底，形成由器件层、绝缘层和第二衬底构成的带有绝缘埋层的半导体衬底；对此带有绝缘埋层的半导体衬底实施第二退火步骤，所述第二退火步骤的退火温度大于第一退火步骤的退火温度。本发明的优点在于，得到的SOI材料顶层硅完全由外延材料组成，与常规工艺生产的SOI材料顶层半导体层相比其氧元素和金属含量低，并且晶格完美，无原生缺陷产生，能够大幅度提高器件的良率。
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公开(公告)号：CN102130039B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010608061.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L21/48
Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；采用两步热处理工艺热处理器件衬底；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。并且在热处理器件衬底的工艺中仅采用了两步热处理步骤，而将第三步高温热处理步骤与后续加固键合界面的步骤整合成一步，从而降低了工艺复杂度，节约了工艺成本并提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN102386068A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110215670.1
申请日：2011-07-29
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种锗硅衬底的生长方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的表面形成锗硅晶体层。
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公开(公告)号：CN102383192A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110215672.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。本发明的优点在于提出了一种低高温锗外延结合的生长工艺，首先低温生长一层锗层，锗外延生长速度低，具有二维生长特性且完全弛豫，这层薄的低温锗层具有较多的缺陷，易于应力驰豫以及位错湮灭，随后，再高温生长一层锗外延层，该层生长速度快，能够得到具有高晶体质量且完全驰豫的单晶锗层。
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公开(公告)号：CN1252501C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200310108863.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应用大角度、小尺寸、低损耗的全反射型弯曲波导实现了传输光的分束、合束以及传输方向的改变。全反射型弯曲波导的全反射镜凹槽可以利用各向异性湿法腐蚀或反应离子刻蚀等技术获得，而且传输光在每个全反射镜镜面的入射角度均大于全反射角；此外，通过全反射镜连接的相邻传输波导的轴线相互垂直。本器件结构可以以硅、绝缘层上的硅(SOI)、GeSi/Si、AlGaAs、GaAs、GaAs/AlGaAs、InP/InGaAsP等材料为基材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1223881C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03141411.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法，包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导，其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料，每条调制波导有各自独立的载流子注入区域，调制波导之间的连接通过利用硅的各向异性腐蚀特性或反应离子刻蚀技术制得的全内反射波导实现，且两相邻调制波导的轴线相互垂直，在短距离、小面积范围内实现了调制波导的紧凑排列，解决了载流子吸收型硅波导光强度调制器的调制深度与器件长度之间的矛盾；同时通过设计、调整全内反射波导的位置和方向，调制波导可以与不同位置的输入输出波导实现灵活连接。本器件结构紧凑、尺寸小、便于实现集成化，采用常规硅微电子加工工艺制作。
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公开(公告)号：CN1544967A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310108863.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应用大角度、小尺寸、低损耗的全反射型弯曲波导实现了传输光的分束、合束以及传输方向的改变。全反射型弯曲波导的全反射镜凹槽可以利用各向异性湿法腐蚀或反应离子刻蚀等技术获得，而且传输光在每个全反射镜镜面的入射角度均大于全反射角；此外，通过全反射镜连接的相邻传输波导的轴线相互垂直。本器件结构可以以硅、绝缘层上的硅(SOI)、GeSi/Si、AlGaAs、GaAs、GaAs/AlGaAs、InP/InGaAsP等材料为基材料。
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公开(公告)号：CN1479136A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03141411.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法，包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导，其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料，每条调制波导有各自独立的载流子注入区域，调制波导之间的连接通过利用硅的各向异性腐蚀特性或反应离子刻蚀技术制得的全内反射波导实现，且两相邻调制波导的轴线相互垂直，在短距离、小面积范围内实现了调制波导的紧凑排列，解决了载流子吸收型硅波导光强度调制器的调制深度与器件长度之间的矛盾；同时通过设计、调整全内反射波导的位置和方向，调制波导可以与不同位置的输入输出波导实现灵活连接。本器件结构紧凑、尺寸小、便于实现集成化，采用常规硅微电子加工工艺制作。
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公开(公告)号：CN102909639B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210422897.8
申请日：2012-10-30
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体衬底的表面处理方法以及半导体衬底的制作方法。所述半导体衬底的表面处理方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；研磨减薄所述半导体衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面。本发明的优点在于，研磨工艺会在半导体衬底的表面形成一层自然氧化层，本发明采用了能够腐蚀半导体衬底的自然氧化层的氧化物抛光浆料对半导体衬底实施抛光，保证在对半导体衬底表面化学机械抛光之前，半导体衬底的表面是绝对无任何多余物质的，避免不同物质的机械强度不同对研磨造成影响。
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公开(公告)号：CN102201358B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110123914.3
申请日：2011-05-13
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/00 , H01L21/306
Abstract: 一种表征衬底表面性质的装置，用于夹持衬底以对其表面进行选择性遮挡，以便对衬底表面进行选择性腐蚀，包括：多个压盘，所述压盘各自具有一朝向被夹持的衬底的被腐蚀表面的平面；一背板，所述背板与压盘相对设置，用于同压盘的平面相配合以夹持衬底；第一夹具，所述第一夹具与压盘以及背板连接，用于在压盘和背板上施加对向的压力，从而将衬底夹持在压盘与背板之间；连接件，所述连接件用于连接压盘与压盘，以及压盘与夹具。
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