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公开(公告)号：CN104192854A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410317866.5
申请日：2014-07-07
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01B33/20
Abstract: 本发明一种制备硅酸铋粉体的方法，包括下列步骤：称取铋盐、硅酸钠、还原剂，所述的铋盐、硅酸钠、还原剂的摩尔比为1~12：1~2：10~30；将硅酸钠溶解在去离子水中获得硅酸钠溶液，所述的硅酸钠溶液的浓度在0.5~2mol/L之间；将还原剂完全溶解在去离子水中，得到还原剂溶液；将铋盐完全溶解在去离子水或硝酸溶液中，再将硅酸钠溶液和还原剂溶液倒入，随后用磁力搅拌器加热至80~100℃，持续搅拌后，将溶液移入预先加热到600~800℃的高温烧结炉中，随着水分的蒸发，剧烈燃烧，获得蓬松泡沫状产物。本发明采用成本相对价廉的硅酸钠为原料，有利于实际应用；制得的粉体分散良好，颗粒细小；设备、工艺简单。
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公开(公告)号：CN102011187B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010608864.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种硅锗酸铋混晶及其制备方法，属于单晶领域。硅锗酸铋混晶的分子式为Bi4Si3-xGexO12。其制备方法即以高纯Bi2O3、SiO2和GeO2为原料，经过充分研磨和预烧成多晶料；籽晶事先置于坩埚底部，将合成好的多晶料装入坩埚中，移至晶体生长炉内并控制温度1050-1150℃，固液界面温度梯度为20-50℃/cm，生长速度为0.2-0.5mm/h。本发明的硅锗酸铋混晶，原料成分可调且分布均匀，兼具硅酸铋和锗酸铋的闪烁性能，晶体尺寸较大；制备方法温场稳定、工艺设备简单；同时可以实现多根晶体同时生长，晶体生长效率高、生产成本低，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102586880A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210080824.5
申请日：2012-03-26
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种取向纳米晶ZnTe晶体的制备方法，即以纯度高于99.999%的金属Zn和Te为原料，在真空中合成ZnTe合金料，合金料经过去离子水清洗，用导电银胶粘结在脉冲激光沉积设备载物台上，作为溅射靶材，在室温下以脉冲激光能量密度为2~5J/cm2溅射ZnTe靶材，靶材与衬底距离设置为5cm，溅射衬底为玻璃、蓝宝石或单晶硅等，将溅射后的薄膜在30~400℃下进行原位退火处理后，即得到取向纳米晶ZnTe晶体。所得的取向纳米晶ZnTe晶体，其晶粒尺寸约为20～60nm，且具有 和 取向。与传统制备方法相比，该方法可通过溅射后退火温度控制、衬底控制实现纳米晶ZnTe晶体取向生长。
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公开(公告)号：CN102002754B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010608426.7
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种定形提拉法生长硅酸铋（Bi4Si3O12，简称BSO）闪烁晶体的方法，属于单晶生长领域。其特点是在坩埚中设计和安装特定形状的模具，利用定形提拉炉生长的BSO闪烁晶体。所述的方法为：Bi2O3、SiO2经过高温预烧得到BSO多晶原料，放入带有特定形状模具的坩埚中，装入定形提拉炉中。持续加热至1100-1200℃，恒温3-5h,然后下籽晶并快速提拉，生长得到板状BSO晶体。本发明能够快速生长高质量的板状BSO闪烁晶体，减少晶体生长周期，同时减少了后期的晶体加工工序，提高晶体利用率，有效节约生产成本。
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公开(公告)号：CN101545133B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910048392.8
申请日：2009-03-27
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明涉及一种稀土铁氧体磁光材料RFeO3晶体(R为Y、Gd、Tm、Nd、Sm、Eu、Ho、Yb等稀土元素)的生长方法，属于单晶生长领域。即R2O3和Fe2O3形成的初烧料与PbO+PbF2+B2O3复合助熔剂混合均匀后，放入铂金坩埚内气密后，将坩埚置于下降炉内，升温熔化原料，通过控制炉温、调节坩埚底部的气流量或水流量、优化固液界面温度梯度和生长速度等参数，实现不同化学组成的该系列稀土磁光晶体的生长。本发明通过助熔剂降低了晶体生长温度，同时坩埚底部通气或通水造成局部过冷并快速成核，从而生长出大尺寸的RFeO3单晶。同时具有设备简单、一炉多产、成本低有利于实现晶体的批量生产等。
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