公开(公告)号：CN102586880A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210080824.5

申请日：2012-03-26

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 王占勇 ,  钟柳明 ,  金敏 ,  徐家跃 ,  申慧 ,  房永征

IPC: C30B29/48 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开一种取向纳米晶ZnTe晶体的制备方法，即以纯度高于99.999%的金属Zn和Te为原料，在真空中合成ZnTe合金料，合金料经过去离子水清洗，用导电银胶粘结在脉冲激光沉积设备载物台上，作为溅射靶材，在室温下以脉冲激光能量密度为2~5J/cm2溅射ZnTe靶材，靶材与衬底距离设置为5cm，溅射衬底为玻璃、蓝宝石或单晶硅等，将溅射后的薄膜在30~400℃下进行原位退火处理后，即得到取向纳米晶ZnTe晶体。所得的取向纳米晶ZnTe晶体，其晶粒尺寸约为20～60nm，且具有 和 取向。与传统制备方法相比，该方法可通过溅射后退火温度控制、衬底控制实现纳米晶ZnTe晶体取向生长。

公开(公告)号：CN102002754B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010608426.7

申请日：2010-12-28

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 徐家跃 ,  申慧 ,  金敏 ,  张彦 ,  何庆波 ,  江国健 ,  王占勇

IPC: G01T1/202 ,  C30B15/24 ,  C30B29/34 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明公开了一种定形提拉法生长硅酸铋（Bi4Si3O12，简称BSO）闪烁晶体的方法，属于单晶生长领域。其特点是在坩埚中设计和安装特定形状的模具，利用定形提拉炉生长的BSO闪烁晶体。所述的方法为：Bi2O3、SiO2经过高温预烧得到BSO多晶原料，放入带有特定形状模具的坩埚中，装入定形提拉炉中。持续加热至1100-1200℃，恒温3-5h,然后下籽晶并快速提拉，生长得到板状BSO晶体。本发明能够快速生长高质量的板状BSO闪烁晶体，减少晶体生长周期，同时减少了后期的晶体加工工序，提高晶体利用率，有效节约生产成本。

公开(公告)号：CN101545133B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200910048392.8

申请日：2009-03-27

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 申慧 ,  徐家跃 ,  武安华 ,  金敏 ,  张红玲 ,  王红 ,  李新华

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/24

Abstract: 本发明涉及一种稀土铁氧体磁光材料RFeO3晶体(R为Y、Gd、Tm、Nd、Sm、Eu、Ho、Yb等稀土元素)的生长方法，属于单晶生长领域。即R2O3和Fe2O3形成的初烧料与PbO+PbF2+B2O3复合助熔剂混合均匀后，放入铂金坩埚内气密后，将坩埚置于下降炉内，升温熔化原料，通过控制炉温、调节坩埚底部的气流量或水流量、优化固液界面温度梯度和生长速度等参数，实现不同化学组成的该系列稀土磁光晶体的生长。本发明通过助熔剂降低了晶体生长温度，同时坩埚底部通气或通水造成局部过冷并快速成核，从而生长出大尺寸的RFeO3单晶。同时具有设备简单、一炉多产、成本低有利于实现晶体的批量生产等。